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[发明专利]一种获取金属结构内部三维温度场的方法-CN201410163865.X有效
发明人：赵金伟;吴永祥;刘振;徐峰涛;赵建平;罗景琳;闫桂荣 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取金属结构内部三维温度场的方法，首先，利用标定法确定金属结构的三维有限元模型前后表面的几何结点与金属结构的热像仪二维图结点之间的映射关系，利用该映射关系，就可得到金属结构表面的温度分布图；然后，利用金属结构的三维有限元模型的几何信息，对金属结构内部的用户指定截面进行定位，接着再利用线性计算方法计算金属结构内部用户指定截面上每个结点的温度值，进而得到所有用户指定截面上的温度分布；最后将这些温度分布图组合起来，就得到金属结构内部的三维温度场。
一种获取金属结构内部三维温度场方法

[实用新型]一种宽带增强拉曼散射的微纳芯片-CN201520849037.1有效
发明人：何赛灵;雍征东;陈飞鸿 -专利权人：亘冠智能技术（杭州）有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本实用新型由蝴蝶结金属结构与环状金属结构相互耦合实现，蝴蝶结结构位于环状金属结构的中心，整个芯片设置在石英玻璃上。蝴蝶结金属结构包含长度L、开角θ和间隙距离g₁三个重要的参数；环状金属结构包括内径R_i和环状金属结构的厚度T_r，蝴蝶结金属结构的边沿与环状金属内侧壁之间间隔为g₂，蝴蝶结金属结构和环状金属结构的高度一样；其中，R_i＝L+g₁/2+g₂；改变蝴蝶结的长度L和开角θ大小能够改变第一个共振峰的位置；改变环状金属结构的厚度T_r能够改变第二个共振峰的位置。本实用新型同样解决了宽带增强结构的尺寸问题,通过单个微纳结构就可以实现。
一种宽带增强散射芯片

[实用新型]一种用于识别焊垫的器件结构-CN201420815870.X有效
发明人：李英伟;高健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于识别焊垫的器件结构，至少包括：金属互连层和位于其上的顶层介质层；该金属互连层由若干相互堆叠的介质层和嵌于每一介质层中的金属组成；位于所述顶层介质层中且穿透其上下表面的顶层金属结构；所述顶层金属结构包括上表面位于同一水平面内的第一、第二金属结构；该第二金属结构位于第一金属结构两侧；所述第二金属结构与位于其下方的介质层中的金属连接；所述顶层介质层之上设有钝化层；所述钝化层设有完全暴露出第一金属结构上表面的凹槽本实用新型的器件结构中的所述第一金属结构使得金属焊垫在光学显微镜下的亮度提高，并能有效分辨出用于引线的金属焊垫来提高产品的良率。
一种用于识别器件结构

[发明专利]一种具有新型复合堆叠式阻挡层金属结构的垂直发光二极管及其制备方法-CN200910013721.5有效
发明人：林雪娇;吴志强;潘群峰;陈文欣;吴瑞玲;洪灵愿;张华 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2009-01-04 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有新型复合堆叠式阻挡层金属结构的垂直发光二极管及其制备方法，在有源层中的p型欧姆接触反射金属膜下与散热基板间积淀有新型复合堆叠式阻挡层金属结构，综合考虑了金属阻挡扩散特性、抗腐蚀性、抗氧化性、粘附性及热稳定性，能完全有效阻止Ag的氧化及阻挡Ag与焊料金属的互扩散，保证Ag具有高的反射率及低接触电阻，同时保证了GaN基外延与散热基板间的连接强度，实现高效垂直结构发光二极管的电、热的长期稳定性和可靠性
一种具有新型复合堆叠阻挡金属结构垂直发光二极管及其制备方法

[发明专利]CPI测试结构以及CPI测试方法-CN201610212871.9在审
发明人：王小宝;周柯;陈雷刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种CPI测试结构以及CPI测试方法。所述CPI测试结构包括：块状金属结构以及围绕块状金属结构的环形金属层叠层结构；其中块状金属结构为下层金属层到上层金属的叠层结构，其中各层之间利用通孔连接；块状金属结构与环形金属层叠层结构之间的中间区域为电介质材料
cpi 测试结构以及方法

[发明专利]半导体器件的可靠性测试结构及其测试方法-CN201510746428.5有效
发明人：冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体器件的可靠性测试结构及其测试方法，包括：第一金属结构和第二金属结构；与第一金属结构相连的第一导电插塞和第二导电插塞，与第二金属结构相连的第三导电插塞；横跨第一金属结构和第二金属结构并与第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞相连的金属线；所述第一金属结构、第一导电插塞、第二导电插塞和金属线构成金属互连线电迁移测试结构，所述第二金属结构、第三导电插塞和金属线构成金属互连线应力迁移测试结构。本发明通过将金属互连线电迁移测试结构和金属互连线应力迁移测试结构整合成一个测试结构，从而可以评估电迁移及应力迁移对金属互连线相互作用下的失效时间，进而提高半导体器件的可靠性测试的效率。
半导体器件可靠性测试结构及其方法

[发明专利]一种肠道支架及其制作方法-CN201810192365.7有效
发明人：戴庆涛;郭苗 -专利权人：戴庆涛
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： A61L31/12 文献下载
摘要：一种肠道支架及其制作方法，其从内向外依次包括内附着层、支架本体、金属结构层以及覆药层；所述内附着层的厚度为0.1‑0.15mm；所述支架本体具有纺织结构，材质为聚乙醇酸、聚甘醇碳酸和聚乳酸‑羟基乙酸共聚体的混合物丝状体；所述金属结构层为由可降解医用合金丝编织而成的网格状结构层，所述合金为Zn‑Cu‑Li合金，该网格状结构层的厚度为5‑10mm；所述覆药层由可降解的高分子材料制成，其表面覆有药物膜。
一种肠道支架及其制作方法

[发明专利]具有可靠性金属的透明音箱-CN202111296322.1在审
发明人：吴倩颖;路林;胡金峰;王银茂;温建林;朱海平 -专利权人：江苏铁锚玻璃股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H04R1/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有可靠性金属的透明音箱，其包括介质平面、多个音源组件、可靠性金属结构、音响罩和胶水结构层。多个音源组件设置于介质平面上。可靠性金属结构，设置于介质平面的周围，多个音源组件位于可靠性金属结构内侧，可靠性金属结构是内部中空的结构，可靠性金属结构与音源组件对应位置设有V型孔。音响罩设置于可靠性金属结构上，音响罩、介质平面和可靠性金属结构之间形成中空音腔。胶水结构层设置于可靠性金属结构的外侧。
具有可靠性金属透明音箱

[发明专利]显示面板及其制造方法、显示设备-CN202210869620.3在审
发明人：王明;赵策;周斌;刘宁;王顺 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：该显示面板包括基板、RIB结构和阳极功能层，RIB结构位于周边区域，包括在基板一侧依次层叠设置的第二透明电极、第一金属结构、第二金属结构和第三透明电极，第二透明电极设置在第一金属结构靠近基板的一侧；阳极功能层位于显示区域，包括在基板一侧依次层叠设置的第一透明电极、第二透明电极、第二金属结构和第三透明电极。本申请的阳极功能层的第二金属结构的厚度小于RIB结构的第一金属结构和第二金属结构的厚度，能够使得阳极功能层的金属结构的厚度降低，从而降低阳极功能层产生金属颗粒的数量级，进而能够利于改善或消除显示面板的暗点
显示面板及其制造方法设备

[实用新型]具有可靠性金属的透明音箱-CN202122676720.8有效
发明人：吴倩颖;路林;胡金峰;王银茂;温建林;朱海平 -专利权人：江苏铁锚玻璃股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H04R1/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有可靠性金属的透明音箱，其包括介质平面、多个音源组件、可靠性金属结构、音响罩和胶水结构层。多个音源组件设置于介质平面上。可靠性金属结构，设置于介质平面的周围，多个音源组件位于可靠性金属结构内侧，可靠性金属结构是内部中空的结构，可靠性金属结构与音源组件对应位置设有V型孔。音响罩设置于可靠性金属结构上，音响罩、介质平面和可靠性金属结构之间形成中空音腔。胶水结构层设置于可靠性金属结构的外侧。
具有可靠性金属透明音箱

[发明专利]金属间介质层及其制造方法及半导体器件-CN202010289992.X在审
发明人：冯冰;张建栋 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属间介质层及其制造方法及半导体器件，所述金属间介质层的制造方法包括：获取形成有金属结构的基底结构，金属结构的表面被SRO层覆盖；在金属结构侧壁的SRO层表面形成具有压应力的氮化硅层；填充含氟硅玻璃使其覆盖金属结构、SRO层及氮化硅层作为金属间介质层。本发明在SRO层与含氟硅玻璃之间设置一氮化硅层，由于该氮化硅层具有压应力，因此能够抑制热过程造成的金属结构微观形变(金属结构的膨胀系数比含氟硅玻璃的膨胀系数大，所以在温度变化过程中金属结构微观形变量大)进一步地，由于氮化硅的强度较大，因此新增的氮化硅层能够防止金属结构形变造成SRO层断裂，避免后续含氟硅玻璃中游离的氟离子进入并腐蚀金属结构造成空洞。
金属介质及其制造方法半导体器件

[发明专利]可转换计算设备上的针对槽缝天线对齐的基座盖-CN201780085355.7有效
发明人： K-J·孔;S·H·吴 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：一种用于可转换计算设备的下外壳的示例基座盖包括：第一金属结构，所述第一金属结构被定位在所述下外壳中；以及第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构电隔离。当所述上外壳被定位在所述下外壳上方并与所述下外壳平行时，所述第二金属结构被定位在所述下外壳中并且在限定在所述可转换计算设备的上外壳中的天线槽缝正下方。
转换计算设备针对天线对齐基座

[发明专利]一种基片集成差分双极化介质谐振器天线-CN202011164133.4有效
发明人：施金;邓小威;唐慧;徐凯;王磊 -专利权人：南通大学;南通先进通信技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基片集成差分双极化介质谐振器天线，包括顶层金属结构、上层介质结构、中间层金属结构、下层介质结构以及底层金属结构。顶层金属结构、上层介质结构和中间层金属结构构成一个田字型基片集成背腔介质谐振器。底层金属结构与中间层金属结构、下层介质结构构成一对水平方向微带馈线和一对垂直方向微带馈线，分别对应一对差分端口。上层介质结构的金属化通孔与顶层金属结构和中间层金属结构相连，形成环型背腔结构，保证了天线基片集成的可实现性，同时提高了天线增益。
一种集成差分双极化介质谐振器天线

[发明专利]磁性存储器及其驱动方法与制造方法-CN200810184705.8有效
发明人：蔡庆祥 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：磁性存储器包括多条导线结构、多个第一磁性金属结构、第二磁性金属结构及绝缘层。各个第一磁性金属结构配置于两相邻的导线结构之间，而第二磁性金属结构跨越导线结构。第一磁性金属结构与第二磁性金属结构所构成的结构包括多个彼此相连的磁性存储单元。每一磁性存储单元具有磁区及紧邻磁区的磁壁，其中磁区适于储存位元数据。
磁性存储器及其驱动方法制造

[发明专利]真木镶金属结构及其的制作方法-CN202111026549.4在审
发明人：苏建加;杨桂响 -专利权人：昆山金运新材料科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： B44C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真木镶金属结构及其的制作方法，真木镶金属结构，包括具有上下贯穿的镶嵌口的加强基体、固定复合于加强基体上的真木木皮和固定镶嵌于镶嵌口内的金属件，真木木皮上设有镂空图案，金属件上设有凸起图案，凸起图案对齐嵌设于镂空图案内，其制作方法为先将真木木皮固定于加强基体上表面，然后在真木木皮上激光雕刻镂空图案，制作金属件并在金属件上端加工凸起图案，给加强基底镶嵌口内侧壁和真木木皮底面刷胶后，将金属件插入镶嵌口内粘牢，最后去除残胶，本发明实现了真木内饰镶嵌金属结构，且金属件在真木内饰中的镶嵌牢固，大大提升了汽车内饰整体美观性。
镶金结构及其制作方法