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[发明专利]一种补光用偏光透镜、补光控制方法及相关装置-CN202110681023.3有效
发明人：徐银辉;丁乃英;夏兵 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： F21V5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种补光用偏光透镜、补光控制方法及相关装置，该补光用偏光透镜包括入光面、反射面和出光面；反射面是环形曲面，包括周向上分布的第一区域反射面、第二区域反射面、第三区域反射面和第四区域反射面；第一区域反射面和第二区域反射面、第三区域反射面和第四区域反射面分别以面对称分布，经过反射面的光在出光面的第一方向上等强度分布，第一区域反射面和第四区域反射面、第二区域反射面和第三区域反射面分别非面对称分布，经过反射面的光在出光面的第二方向上非均匀分布
一种补光用偏光透镜控制方法相关装置

[发明专利]薄型化直下式背光模块-CN03110169.0无效
发明人：范国书;郭正夏;林宽礼 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2003-04-15 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供一种直下式背光模块，至少包括：灯管、反射板、扩散板、反射层。反射板设置于灯管的下方；扩散板设置于灯管的上方，包括一第一区域及一第二区域，其中第一区域对应于灯管的上表面，而第二区域邻接第一区域；反射层为局部覆盖灯管之上表面，用以遮蔽部分从上表面射出的光线，以使光线反射至反射板，再经由反射板将光线反射至第二区域。
薄型化直下式背光模块

[发明专利]一种光源装置及投影系统-CN202110430862.8有效
发明人：葛明星;陈龙 -专利权人：无锡视美乐激光显示科技有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种光源装置及投影系统，光源装置包括光源用于发射激发光；分光元件的第一区域用于接收光源发射的激发光并透射或反射激发光；波长转换装置的波长转换区域用于接收经分光元件的第一区域透射或反射的激发光，以产生受激光；波长转换装置的激发光反射区域，用于反射入射到波长转换装置的激发光反射区域的激发光；当分光元件的第一区域用于透射光源发射的激发光时，则分光元件的第二区域用于反射经波长转换装置反射的激发光，第一区域和第二区域用于反射受激光；或者，当分光元件的第一区域用于反射光源发射的激发光时，则分光元件的第二区域用于透射经波长转换装置反射的激发光，第一区域和第二区域用于透射受激光。
一种光源装置投影系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710333254.9有效
发明人：杜丽娟;曹轶宾;赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相邻第一区域和第二区域，第一区域用于形成第一器件，第二区域用于形成第二器件，第一器件和第二器件的掺杂类型不同；在基底上形成第二区域功能层；在第二区域功能层上依次形成第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层，第二底部抗反射涂层致密度小于第一底部抗反射涂层；在第二区域第二底部抗反射涂层上形成光刻胶层；以光刻胶层为掩膜刻蚀第一区域的第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层；以第二区域的光刻胶层为掩膜刻蚀第一区域的第二区域功能层相比仅采用第一底部抗反射涂层的方案，本发明缩短了刻蚀工艺的时间，降低第二区域第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层的损耗程度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]深度域地震子波的确定方法和装置-CN201710301335.0有效
发明人：叶月明;张金陵;徐美茹;庄锡进 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G01V1/48 文献下载
摘要：本申请实施方式提供了一种深度域地震子波的确定方法和装置，其中，该方法包括：获取声波测井数据，根据声波测井数据，分别确定深度域反射系数序列和井位置的深度域成像数据；根据所述深度域反射系数序列和所述井位置的深度域成像数据，确定深度域地震子波。由于该方案通过根据深度域反射系数序列和深度域成像数据，构建矩阵方程，求取以深度域成像数据为期望输出，基于深度域反射系数序列的最佳匹配算子作为深度域地震子波。因而解决了现有的深度域地震子波的确定方法存在的无法直接求取深度域地震子波、确定过程复杂、所确定的深度域地震子波准确度差的技术问题，达到了准确、简便地确定深度域地震子波的技术效果。
深度域地震子波反射系数序列成像数据声波测井数据方法和装置技术效果矩阵方程最佳匹配准确度算子构建期望输出申请

[发明专利]可反射出色域的电极结构以及单晶硅面板与显示装置-CN200610162854.5无效
发明人：官大双;范纯圣 -专利权人：联诚光电股份有限公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种电极结构，包括一基板、一电极结构层以及一色域反射层。基板上包括已形成的一电路。电极结构层位于基板上与该电路耦接。色域反射层位于电极结构层上。当一入射光入射于该色域反射层与该电极结构层时，该色域反射层用以仅会反射特定的一光域。依照所述电极结构，可以制造出反射式单晶硅面板，以及投射式显示装置。
反射出色电极结构以及单晶硅面板显示装置

[发明专利]层析偏移速度分析中的射线追踪方法及装置-CN201810712101.X有效
发明人：张才;李萌;崔兴福;秦楠;崔栋;王春明 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G01V1/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种层析偏移速度分析中的射线追踪方法及装置，该方法包括：获取角度域共成像点道集；角度域共成像点道集中的横坐标具有相同的第一角度间隔；对于角度域共成像点道集中深度大于深度阈值的每个反射点，根据反射点对应的深度、最小反射角、最大反射角和反射角及深度阈值处反射点对应的深度、最小反射角、最大反射角和反射角，获得反射点对应的第二角度间隔；根据每个反射点对应的第二角度间隔，对应调整角度域共成像点道集中的横坐标间隔，以使调整后的角度域共成像点道集中不同深度的反射点对应相同数量的反射射线条数；根据调整后的角度域共成像点道集进行射线追踪。
成像点反射点角度域偏移速度分析角度间隔射线追踪最大反射角最小反射角反射角层析射线均衡性条数种层反射申请

[发明专利]背光模组及显示设备-CN201510146987.2在审
发明人：李昱麒 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明提供一种背光模组，其包括多个光源组件及一用于反射光线的反射件；反射件包括侧板及底板，侧板朝远离底板的方向倾斜；多个光源组件间隔分布且对应底板设置；侧板包括第一区域及第二区域，第一区域的入射光强度大于第二区域的入射光强度，第一区域上设置有微结构，以降低该第一区域的光反射率。本发明通过该微结构调节反射件中各入射光强度不同的区域的反射光强度，使反射件上各区域的光反射强度相当，从而使得自反射件反射出的光线亮度均一，最终达到改善显示模块的显示效果的效果。
背光模组显示设备

[发明专利]一种指纹传感器-CN201711047373.4在审
发明人：张建民 -专利权人：温州华大信息技术有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种指纹传感器，包括透镜，滤镜，设置于透镜底面，滤镜对应透镜的第一区域，用以反射第一区域的指纹图像；第一反射镜，设置于透镜底面，第一反射镜对应透镜的第二区域，用以反射第二区域的指纹图像；及影像撷取器，用以接收滤镜及第一反射镜所反射出的第一区域以及第二区域的指纹图像，滤镜设置于第一反射镜至影像撷取器的光路之间，第一区域的指纹图像经由滤镜反射至影像撷取器，第二区域的指纹图像经由第一反射镜反射后再穿透滤镜
一种指纹传感器

[发明专利]一种用于背光源的背板、背光源和显示装置-CN201210544433.4有效
发明人：孙凌宇;朱红丽;陈秀云;尹大根 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： F21V21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于背光源的背板、背光源和显示装置，所述背板包括第一面和第二面，其中一面上具有包括第一区域和第二区域的反射面，所述第一区域反射面和第二区域反射面都由若干段凹面弧组成，所述第一区域反射面的凹面弧的曲率逐渐增大，所述第二区域反射面的凹面弧的曲率逐渐减小，所述第一区域反射面中曲率最大的凹面弧与第二区域反射面中曲率最大的凹面弧相连接。本发明将背光源的导光板替换为背板，利用背板上凹面弧组成的反射面来将光源光线反射到显示面板上，由于凹面弧具有一定的曲率，使得光源发出的光反射成较为均匀的光线。
一种用于背光源背板显示装置

[实用新型]一种用于背光源的背板、背光源和显示装置-CN201220694939.9有效
发明人：孙凌宇;朱红丽;陈秀云;尹大根 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： F21V21/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于背光源的背板、背光源和显示装置，所述背板包括第一面和第二面，其中一面上具有包括第一区域和第二区域的反射面，所述第一区域反射面和第二区域反射面都由若干段凹面弧组成，所述第一区域反射面的凹面弧的曲率逐渐增大，所述第二区域反射面的凹面弧的曲率逐渐减小，所述第一区域反射面中曲率最大的凹面弧与第二区域反射面中曲率最大的凹面弧相连接。本实用新型将背光源的导光板替换为背板，利用背板上凹面弧组成的反射面来将光源光线反射到显示面板上，由于凹面弧具有一定的曲率，使得光源发出的光反射成较为均匀的光线。
一种用于背光源背板显示装置

[发明专利]深度域速度模型构建方法及装置-CN201911389513.5在审
发明人：王光银;唐虎;张小宝;段鹏飞;熊晶璇;张恩嘉 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G01V1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种深度域速度模型构建方法及装置，该方法包括：根据地震数据中的叠加速度建立深度域速度模型；重复执行以下步骤，直至更新后的深度域速度模型满足预设精度要求：分别在深度域速度模型下进行面波走时射线追踪、初至走时射线追踪、反射波走时射线追踪，获得面波走时射线追踪数据、初至走时射线追踪数据、反射走时射线追踪数据；对深度域速度模型进行反射波偏移速度分析，获得反射波道集剩余曲率；根据面波走时、初至走时和反射走时的射线追踪数据以及反射波道集剩余曲率，建立联合层析方程组；对联合层析方程组进行求解，获得深度域速度更新量；根据深度域速度更新量，更新深度域速度模型。
深度速度模型构建方法装置

[发明专利]结合过井剖面的VSP深度域层速度模型构建方法及系统-CN201910579729.1有效
发明人：李文杰;张宏;张建伟 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01V1/40 文献下载
摘要：公开了一种结合过井剖面的VSP深度域层速度模型构建方法及系统。该方法包括：根据零井源距VSP资料，计算VSP井位置处的地下地层的深度域层速度进行时深转换，获得VSP井位置处的地下地层的时间域层速度；根据过井剖面的地震层位，确定主要反射层；根据过井剖面的反射同相轴，确定每个主要反射层的次要反射层；根据VSP井位置处的地下地层的时间域层速度，确定对应的主要反射层与次要反射层的层速度，确定VSP时间域层速度模型；将VSP时间域层速度模型进行时深转换，获得VSP深度域层速度模型本发明通过过井剖面构建VSP深度域层速度模型，提高VSP速度模型的准确度，消除由常规VSP速度建模方法所带来的局限性。
结合剖面 vsp 深度速度模型构建方法系统

[发明专利]指纹传感器-CN201510035933.9有效
发明人：周思瑄;翁念亭;林升源 -专利权人：富港电子（东莞）有限公司;正崴精密工业股份有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种指纹传感器，包括至少一第一光源、一透镜、一滤镜、一第一反射镜及一影像撷取器，透镜接受光源照射，透镜上形成一第一区域及一第二区域，滤镜及第一反射镜设置于透镜底面，且分别对应透镜的第一区域及第二区域，滤镜及第一反射镜分别反射第一区域及第二区域的部分指纹图像，影像撷取器用以接收滤镜及第一反射镜所反射出的第一区域以及第二区域的部分指纹图像，第一区域及第二区域的部分指纹图像其中部分相同，通过处理第一区域与第二区域的相同指纹图像以取得一完整指纹图像
第二区域第一区域指纹图像透镜滤镜指纹传感器反射镜影像撷取器反射反射镜设置部分相同光源照射透镜底面薄型化电子产品光源应用

[发明专利]具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法-CN201810457279.4有效
发明人：林进祥;陈建诚;李信昌;陈嘉仁;许倍诚;苏益辰;李环陵;沈仓辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
具有黑色边界区域光刻及其制造方法

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