专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种晶圆的剥离方法及剥离装置-CN202010860508.4在审
  • 王宏建;赵卫;何自坚;陈湘文;朱建海 - 松山湖材料实验室
  • 2020-08-24 - 2020-11-24 - H01L21/02
  • 其包括:先在晶锭的目标聚焦面上形成多个间隔分布的第一质层,然后在目标聚焦面上形成第二质层,第二质层的数量为一个或多个,第二质层与第一质层交替布置且互相连接以共同形成连续的第三质层,第三质层沿目标聚焦面贯穿晶锭;以第三质层作为剥离界面,将作为目标晶圆的部分自晶锭剥离,获得晶圆。上述方法相比于现有的通过激光束一次性直接形成连续的第三质层方式,可有效减小因激光束连续作用而导致的局部区域热量集中,大幅降低激光加工过程中产生的不利热影响,提高晶圆的剥离质量。
  • 一种剥离方法装置
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202110306965.3在审
  • 谭思博 - 株式会社迪思科
  • 2021-03-23 - 2021-09-28 - H01L21/268
  • 该方法包含如下工序:保护部件配设工序,将保护部件(14)配设于晶片的正面(2a);环状质层形成工序,沿着外周剩余区域形成第一环状质层(24)和第二环状质层(26);分割预定线质层形成工序,沿着分割预定线形成分割预定线质层(28);和分割工序,对晶片的背面(2b)进行磨削而将晶片形成为规定的厚度,通过从分割预定线质层沿分割预定线延伸的裂纹(28′)将晶片分割成各个器件芯片。在分割预定线质层形成工序中,按照分割预定线质层的始点(28a)和终点(28b)位于第一、第二环状质层之间的方式定位激光光线的聚光点。
  • 晶片加工方法

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