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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510073963.5无效
发明人：小松宪代;相宗史记;广田俊幸 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成硅晶核、淀积第一非晶硅、淀积第二非晶硅、以及通过使晶核以固相方式生长而使第一和第二非晶硅晶化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]气相法原位制备工业沸石催化剂-CN200710177978.5无效
发明人：李英霞;刘星生;陈标华;金映 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： B01J29/70 文献下载
摘要：本发明提出一种气相法原位制备工业沸石催化剂的方法，将硅源、铝源、钠源、成型助剂与去离子水混合形成硅铝胶，经成型，干燥得到具有一定形状、强度和孔道结构的硅铝胶颗粒，然后把成型的硅铝胶，放入高压反应釜中，在有模板剂存在下，用气相法进行晶化，晶化结束后产物经过滤、洗涤至中性，烘干，焙烧，得到工业沸石催化剂。本发明所提供的方法，从根本上改变传统的制备流程，用成型的硅铝胶基质本身作为工业沸石催化剂的支撑载体，不使用外来载体，通过气相法使成型好的硅铝胶基质颗粒外表面和孔道表面原位晶化为沸石催化剂，有效的提高催化剂的利用率和催化性能
气相法原位制备工业催化剂

[发明专利]一种拜耳法氧化铝脱硫脱碳协同处理的方法及其系统-CN202111176301.6在审
发明人：王文志;张天星;曾宪飞;张扬 -专利权人：贵州华锦铝业有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明公开一种拜耳法氧化铝脱硫脱碳协同处理的方法及其系统，该系统在磨矿机后依次连接有碳酸盐溶出装置及第一固液分离装置，第一固液分离装置的固相出口与氧化铝生产线的循环母液浆化系统相连，循环母液浆化系统与拜耳法氧化铝预脱硅系统相连，第一固液分离装置的液相出口依次与苛化装置和第二固液分离装置相连，第二固液分离装置的液相出口通过循环管连接至磨矿机；第二固液分离装置的固相出口依次与脱硫剂反应器和脱硫剂pH调节池连接，脱硫剂pH调节池的液体出口连接至拜耳法氧化铝预脱硅系统；本发明不仅可以消除铝土矿石中碳酸盐对拜耳法氧化铝生产造成的影响，还能消除铝矿石中硫对氧化铝生产过程的影响。
一种拜耳法氧化铝脱硫脱碳协同处理方法及其系统

[发明专利]一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法-CN02104076.1无效
发明人：梁彤祥;刘杨秋;倪晓军;符晓铭;付志强 -专利权人：清华大学
申请日： 2002-03-08 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法,涉及微电子封装技术。本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体,采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗;利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层;以N2为载气,其流量170－350ml/min,以H2为反应气体,其流量为400－700ml/min,利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜,沉积反应温度为220－280℃,前驱体挥发温度为180－270℃。利用本铜金属化方法,其Cu膜电阻率低,抗电迁移能力好,结合强度大,完全满足电子封装基板需要。
一种聚酰亚胺金属化方法

[发明专利]锂离子电池正极活性材料的回收方法和回收设备-CN202111008185.7在审
发明人：袁鹏;陈泽伟 -专利权人：东莞市创明电池技术有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01M10/54 文献下载
摘要：其中回收方法包括步骤：(1)将报废的正极片浸泡于NMP中，加热使正极片中的粘结剂于NMP中溶解，经过滤、干燥可得正极废料材料；(2)于正极废料材料中加入LiNO3和LiOH共晶锂盐，混合均匀后采用固相法进行补锂修复，再进行高温烧结。本发明通过NMP将粘结剂进行溶解可将正极废料材料从集流体上脱离，再与共晶锂盐进行固相补锂修复，再进行高温烧结从而得到正极活性材料。采用共晶锂盐，其烧结温度较低，在较低烧结温度下可使融化的锂盐向正极废料材料的表面和内部渗透，可使烧结修复后的正极活性材料更均匀。采用固相法进行一步烧结，其回收率高，可避免水热反应需要先制备中间产物再对中间产物进行清洗和煅烧处理。
锂离子电池正极活性材料回收方法设备

[发明专利]锂离子电池正极材料磷酸亚铁锂的磷酸固相法合成工艺-CN201110178010.0无效
发明人：何开年;王卫江 -专利权人：扬州欧畅电源科技有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池正极材料磷酸亚铁锂的磷法固相法合成工艺：以铁源、锂源和磷酸根源为原料，加入双软膜板剂，混合均匀后在空气中加热搅拌干燥后作为前躯体，将前躯体采用固相法合成磷酸亚铁锂，其中磷酸根源为磷酸锂离子电池正极材料磷酸亚铁锂的磷法固相法合成工艺采用环保无害化设计，合成的磷酸亚铁材料用于制备可充式锂离子电池，具有比容量高、安全性能优良和循环周期长等特性。
锂离子电池正极材料磷酸亚铁固相法合成工艺

[发明专利]一种污泥用于干法旋窑的脊粒晶种化方法-CN201410598568.8有效
发明人：尹无忌 -专利权人：尹无忌
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C04B7/42 文献下载
摘要：一种污泥用于干法旋窑的脊粒晶种化方法，包括以下步骤：（1）将脊化晶种剂和促进剂在连续搅拌下加入污泥中，连续搅拌，在促进剂的作用下，脊化晶种剂与污泥中的固相物发生反应，将污泥中的固相物脊化为含大量熟料晶种前驱体矿物的颗粒物，得脊粒晶种化的污泥混合物；（2）将脊粒晶种化的污泥混合物脱水分离，得滤渣和滤液；（3）将所得滤渣作为生料原料和晶种配入生料立磨，同时作为立磨内的烟气脱硫剂，或滤渣经风干细化处理后直接加入干法旋窑烟室或分解炉内脱硝，残渣随料入窑内作为熟料晶种；滤液作为工业循环用水或返回污水处理厂。
一种污泥用于干法旋窑脊粒晶种化方法

[发明专利]改善有缺陷的半导体材料质量的方法-CN200410077160.2有效
发明人：斯蒂芬·W·比戴尔;基思·E·佛格尔;谢里斯·纳拉斯赫姆哈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：提供了一种方法，其中，对有缺陷的半导体晶体材料执行非晶化步骤，随之以热处理步骤。非晶化步骤使有缺陷的半导体晶体材料的包括表面区的区域部分或完全非晶化。然后执行热处理步骤，以便使有缺陷的半导体晶体材料的非晶化区域再结晶。在本发明中，利用从有缺陷的半导体晶体材料的非非晶化区域的固相晶体再生长，达到了再结晶。
改善缺陷半导体材料质量方法

[发明专利]均分散超细阴离子层状材料的新合成方法-CN99119385.7无效
发明人：段雪;矫庆泽;李蕾 -专利权人：北京化工大学
申请日： 1999-09-14 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种均分散阴离子层状超细材料(LDHs)的新合成方法,成核/晶化隔离法,克服了晶体生长过程中成核与晶化同步进行使晶粒分布不均匀的缺点。以全返混爆发式瞬间成核技术使反应体系在瞬间大量成核,进而阻止在晶化过程中成核的发生,成核反应时间2—10秒。利用程序控温动态晶化技术促使晶粒分布更均匀,并可大大的缩短晶化时间,动态晶化反应温度30—100℃,动态晶化时间1—10小时。本发明所用方法克服了现有阴离子层状材料合成方法中产品的晶相不规则和粒径分布不均等缺点,可使阴离子层状材料具有更好的晶相和均匀的粒径分布,同时具有制备工艺简化、减少设备投资、缩短生产时间、节约能耗、无环境污染
均分散超细阴离子层状材料合成方法

[实用新型]一种LED固晶装置-CN201820314317.6有效
发明人：张志华 -专利权人：深圳市祥冠光电有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED固晶装置，其结构包括装置本体、膜卷机、紧急停止按钮、膜片、压膜杆、LED故障灯，所述装置本体上设有固晶加热板，所述固晶加热板与装置本体相固定连接，所述固晶加热板上设有晶片，所述晶片与固晶加热板相固定连接，所述晶片上设有膜片，所述膜片左侧设有膜卷机，所述膜卷机与装置本体相固定连接，所述晶片右侧设有收卷机，所述收卷机与装置本体相固定连接，所述收卷机右侧设有控制面板，所述控制面板与装置本体相固定连接，所述膜片上面设有压膜杆，所述压膜杆上设有固晶机，所述固晶机与压膜杆相固定连接，所述固晶机上面设有显示屏，该LED固晶装置上设有晶片保护装置，精密度较高，结构简单，便于实现。
装置本体加热板压膜杆固晶晶片膜片固晶装置固晶机收卷机膜卷控制面板紧急停止按钮晶片保护装置本实用新型故障灯显示屏

[发明专利]一种室温制备P25型二氧化钛的固相合成方法-CN201410440353.3有效
发明人：胡英;何亮;成博伟 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温制备P25型二氧化钛的固相合成方法，该方法是以普通锐钛矿二氧化钛为原材料，在室温下采用反应球磨法对普通锐钛矿二氧化钛进行球磨，制得平均粒径为17纳米以下的P25型二氧化钛粉体材料，其晶相分布为锐钛矿/金红石晶相比为80/20。与现有技术相比，本发明采用球磨法使普通锐钛矿二氧化钛中20％的锐钛矿相发生相变为金红石相，合成均匀性、一致性好的性能优异的P25型二氧化钛粉体材料，且该种技术能耗低(室温下)，绿色环保(不向外排放无机、有机污染物)，机械化程度高，适合批量生产。
一种室温制备 p25 氧化相合成方

[发明专利]一种MCM-22分子筛的制备方法-CN201110322481.4有效
发明人：杨卫亚;沈智奇;凌凤香;王少军;王丽华;季洪海;郭长友 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：该MCM-22分子筛采用气相转移法合成，首先将MCM-22分子筛粉体与水形成悬浊液，经超声分散处理，从中剥离出小晶粒MCM-22分子筛，然后将其作为晶种，与硅源、铝源、碱和水混合制成硅铝干凝胶。由于硅铝干凝胶中大量小晶粒的MCM-22分子筛的存在，这些小晶粒分子筛在后继的气相转移法制备MCM-22分子筛过程中起到晶种的作用，从而显著缩短分子筛晶化反应时间，提高分子筛制备效率，并且在晶种的诱导晶化下，一定程度上拓宽了气相转移法合成MCM-22分子筛的硅铝比范围。
一种 mcm 22 分子筛制备方法

[发明专利]一种固相法制备磷改性的H-ZSM-5分子筛的方法-CN202211480515.7在审
发明人：蒋荣立;周子涵;高源;陈学帅;王兴文;于睿;高禹 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开了固相法一步制备磷改性的H‑ZSM‑5分子筛的方法，包括以下步骤：将硅源、铝源、磷源、有机模板剂、碱度调节剂按照一定的比例充分研磨后得到的粉末转移到反应釜中晶化，回收晶化后产品进行煅烧脱除模板剂
一种法制改性 zsm 分子筛方法

[发明专利]ZL101A铝合金热处理工艺-CN201310726406.3在审
发明人：陈玉光 -专利权人：青岛玉光精铸厂
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C22F1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZL101A铝合金热处理工艺，在ZL101A合金热处理工艺参数为固溶处理温度525～550℃、固溶处理保温时间60～120分钟，时效处理温度165～180℃、时效处理保温时间90～180分钟的条件下，处理后得到的铝合金坯件具有细小、球化的共晶Si相和均匀析出的Mg2Si强化相，并且固溶处理过程得到Mg、Si元素分布均匀的过饱和铝合金固溶体，实现了残余Si共晶相的球化，时效处理过程促进了强化相的均匀析出，确保了经固溶及时效处理后获得的合金微观组织达到标准T6处理的理想状态。
zl101a 铝合金热处理工艺

[发明专利]一种钐钴系烧结材料的制备方法-CN201210168731.8有效
发明人：潘道良;苏广春;关井和 -专利权人：宁波科星材料科技有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种钐钴系烧结材料的制备方法，包括合金熔炼、快淬制备出合金铸带、氢化歧化法和气流磨法联合制备磁粉、取向与成型、正压烧结和固溶和时效处理。本发明通过熔炼和制粉工艺上的创新，引入氧化镁或氧化钙钉扎相，最大程度的优化了磁体的微观组织，使磁体主要由柱状晶组成，晶界包含氧化镁或氧化钙钉扎相，易于取向且磁体的高温性能稳定，而且熔炼完成后无需清洗去除氧化镁或氧化钙
一种钐钴系烧结材料制备方法