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[发明专利]电压变换电路及其控制方法、电子设备-CN202180021104.9在审
发明人：胡章荣;申朋朋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：该电压变换电路包括第一开关、第二开关、第一器件、第二器件、电容、第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一电压端、第二电压端和接地端；第一开关耦合在第一电压端和电容的第一端之间，第一开关还与第一控制端耦合；第二开关耦合在电容的第二端和第二电压端之间，第二开关还与第二控制端耦合；第一器件耦合在第一电压端和电容的第二端之间，第二器件耦合在电容的第一端和接地端之间；第一器件和第二器件中一个为第三开关，另一个为电感；第三开关还与第三控制端耦合。
电压变换电路及其控制方法电子设备

[发明专利]电荷泵电路-CN201610072649.3有效
发明人：阿伦·罗思;艾瑞克·苏恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：子电路包括输入端、输出端、晶体管、第一电容性器件、第一二极管器件和第二二极管器件。晶体管具有与输入端耦合的第一源极/漏极(S/D)端、与输出端耦合的第二S/D端以及栅极端。第一电容性器件具有与晶体管的栅极端耦合的第一端部以及配置为接收第一驱动信号的第二端部。第一二极管器件具有与晶体管的第二S/D端耦合的阴极以及与晶体管的栅极端耦合的阳极。第二二极管器件具有与晶体管的栅极端耦合的阴极以及与晶体管的第二S/D端耦合的阳极。
电荷电路

[发明专利]具有跨接桥的堆叠半导体封装-CN202110891166.7在审
发明人：徐从贵;谢目荣;尤长源;康忠斌;胡禄业 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：根据各种示例，描述了一种器件。该器件可以包括封装衬底。该器件还可以包括设置在封装衬底上的多个半导体器件，其中该多个半导体器件包括顶表面和底表面。该器件还可以包括耦合到封装衬底的多个互连，其中该多个互连与该多个半导体器件相邻。该器件还可以包括耦合到该多个半导体器件的顶表面和该多个互连的跨接桥，其中跨接桥通过该多个互连直接耦合到封装衬底，并且其中该多个半导体器件的底表面与封装衬底电隔离。
具有跨接桥堆叠半导体封装

[发明专利]一种光器件耦合控制方法-CN202211095599.2有效
发明人：张林波;张强;许远忠 -专利权人：成都光创联科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种光器件耦合控制方法，光器件包括透镜、支架和光纤头，耦合控制包括支架的位置确定和光纤头的位置确定；所述光器件耦合控制方法包括以下步骤：步骤1，控制支架移动到预定位置；步骤2，采集包含支架和透镜位置的图像，并基于所述图像计算出矫正位置；步骤3，控制支架移动到所述矫正位置；步骤4，以所述矫正位置为基础，对支架和光纤头进行粗耦合控制，并判断粗耦合控制后的耦合率是否合格，如果合格则耦合完成，如果不合格则进入步骤5；步骤5，对支架进行细耦合控制，并判断细耦合控制后的耦合率是否合格，如果合格则耦合完成，如果不合格则耦合失败。本发明通过多级耦合可以大大提高耦合精度。
一种器件耦合控制方法

[发明专利]具有磁耦合设备的半导体开关-CN201780086476.3有效
发明人：陈楠;K·伊尔维斯;M·纳瓦兹 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H03K17/0814 文献下载
摘要：开关支路包括多个并联连接的半导体器件Sa‑d。每个半导体器件连接有将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的正极端子的正导体a‑d+、以及将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的负极端子的负导体a‑d‑，半导体器件与正导体和负导体一起形成跨过能量存储设备的电流路径半导体开关支路包括多个磁耦合设备3a‑d，每个磁耦合设备被布置在多个半导体器件中的相应的两个相邻半导体器件的两条电流路径之间，使得两个半导体器件中的一个半导体器件的电流路径与两个半导体器件中的另一半导体器件的电流路径穿过磁耦合设备，并且使得每条电流路径穿过所述多个磁耦合设备中的两个磁耦合设备。
具有耦合设备半导体开关

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201811141450.7在审
发明人：吴朝新;焦博;彭尧;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种有机电致发光器件一种有机电致发光器件及其制备方法，包括OLED器件、衬底和菲涅耳透镜，在衬底上设置有透明导电电极，OLED器件设置在衬底的一侧，菲涅耳透镜设置在衬底的另一侧。本发明光耦合结构有助于OLED器件产生的光耦合输出至器件外部，且有聚焦作用；可广泛应用于有机电致发光器件的照明领域，通过这一光耦合结构，可以有效的提升器件的光耦合输出，从而增加器件的外量子效率，有利于提升光子的利用率
有机电致发光器件衬底菲涅耳透镜光耦合结构光耦合制备透明导电电极外量子效率输出聚焦作用提升器件照明领域波长段光子节能外部应用

[发明专利]存储单元阵列-CN202010512229.9在审
发明人：林文钦;于鸿昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：所述存储单元中的每一者包括：开关，所述开关的第一端子耦合到所述共用源极线中的一者，且所述开关的控制端子耦合到所述字线中的一者；存储元件，所述存储元件的第一端子耦合到所述开关的第二端子；以及负电阻器件，所述负电阻器件的第一端子耦合到所述存储元件的第二端子，且所述负电阻器件的第二端子耦合到所述位线中的一者。所述开关、所述存储元件及所述负电阻器件串联耦合。在所述存储单元阵列中进行读取操作期间，比所述负电阻器件的预定阈电压大的读取电压被施加到所述负电阻器件，以使所述负电阻器件进入负电阻状态。
存储单元阵列

[发明专利]一种基于全息光场调控的碱金属原子极化系统-CN202310181793.0在审
发明人：刘颖;李佳洁;翟跃阳 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：相位和偏振进行调制，增加光场调控能力，为高精度原子自旋磁场测量装置的研制提供了基础，其特征在于，包括在碱金属气室抽运光入射侧设置的全息信号光光路和全息参考光光路，在碱金属气室抽运光出射侧设置的第一电荷耦合器件和第二电荷耦合器件，所述全息信号光穿越所述碱金属气室后入射到所述第一电荷耦合器件，所述全息参考光在所述碱金属气室中与所述全息信号光交叉后出射到所述第二电荷耦合器件，所述第一电荷耦合器件和第二电荷耦合器件分别连接数据采集处理系统
一种基于全息调控碱金属原子极化系统

[发明专利]在高压侧和低压侧驱动器之间传达信息-CN201610619537.5有效
发明人： R·V·博古希维茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：电路包括第一电压去耦合器件和第二电压去耦合器件，第一电压去耦合器件和第二电压去耦合器件被布置成使得从发送器部件向接收器部件传达的电压通过发送器部件被调制并且取决于该信息而跨第一电压去耦合器件和第二电压去耦合器件传达
高压低压驱动器之间传达信息

[发明专利]有源噪声控制系统的自动校准-CN201980055627.8有效
发明人： M·费勒斯;L·D·菲尔德;D·W·汉森;J·B·兰多;C·P·布朗;R·威尔逊 -专利权人：杜比实验室特许公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H04R5/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种校准耳朵装置的基于反馈的噪声消除系统的方法，其可涉及：获得所述耳朵装置的经测量器件响应；获得参考器件响应值；及确定所述参考器件响应值与对应于所述经测量器件响应的值之间的器件响应变化。所述方法可涉及：获得所述耳朵装置的经测量耦合器响应；获得参考耦合器响应值；及确定所述参考耦合器响应值与对应于所述经测量耦合器响应的值之间的耦合器响应变化。所述方法可涉及：至少部分基于所述器件响应变化及所述耦合器响应变化确定麦克风信号增益校正因子；及将所述麦克风信号增益校正因子应用到经输入到所述基于反馈的噪声消除系统的反馈环路的耳朵装置麦克风信号。
有源噪声控制系统自动校准

[发明专利]一种硅基芯片调节装置、耦合装置及耦合方法-CN202011444859.3有效
发明人：严杰;傅焰峰 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基芯片调节装置，用以对硅基芯片与光器件进行耦合，包括调整机构、夹持机构、过渡PCB板以及吸取机构。过渡PCB板设置在固定部上，与硅基芯片电连接；吸取机构可调节地设置在配合台上，调整吸取机构位置以靠近硅基芯片，使吸取机构吸取硅基芯片；通过调整机构调整配合台的位置，进而调整硅基芯片的位置，使硅基芯片与光器件进行耦合同时还提供了一种硅基芯片耦合装置及耦合方法，在硅基芯片与光器件耦合时可以调整硅基芯片以及光器件的位置，提高了硅基芯片和光器件的耦合效率以及器件性能。
一种芯片调节装置耦合方法

[实用新型]背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置-CN201921922748.1有效
发明人：李浩;周后荣;尤立星;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括器件光敏区域及定位环。测试装置包括封装件及套管，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件固定于封装件中，并通过套管与封装件及光纤插头的连接，使得光纤插头的中心与背面光耦合超导纳米线单光子探测器件的中心位于同一垂线上。本实用新型制备具有特殊形貌的背面光耦合超导纳米线单光子探测器件并与测试装置配合应用，实现高稳定性的自对准光耦合；且利用μm级的标记刻度尺，结合光学显微镜可以直接量化对光误差，使得对光误差控制在μm量级。
背面耦合导纳米线光子探测器件测试装置

[实用新型]逆变式双电源电荷耦合器件摄像机-CN200920103951.6无效
发明人：季春雨;刘春利 -专利权人：季春雨;刘春利
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G03B7/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种逆变式双电源电荷耦合器件摄像机，包括镜头、护罩、电荷耦合器件摄像机电路板、进线孔、抽屉式固定托板、逆变电路板和蓄电池组，所述电荷耦合器件摄像机电路板、蓄电池组及逆变电路板均固定安装在所述抽屉式固定托板上，所述蓄电池组通过所述逆变电路板和所述电荷耦合器件摄像机电路板相连接。本实用新型使用具有上述结构的逆变式双电源电荷耦合器件摄像机，能够克服现有的电荷耦合器件摄像机在主电源断电后不能继续正常工作的缺点，使其在主电源断电后继续正常工作，方便人们的使用。
逆变式双电源电荷耦合器件摄像机

[实用新型]耦合飞杆及射频器件-CN201820105807.5有效
发明人：何昌委;陈凯 -专利权人：京信通信系统（中国）有限公司;京信通信技术（广州）有限公司;京信通信系统（广州）有限公司;天津京信通信系统有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耦合飞杆及射频器件，所述耦合飞杆包括连接部及设于所述连接部两端的耦合部，两个所述耦合部和所述连接部共面设置且呈片状，所述耦合部设有耦合孔，所述耦合孔贯穿所述耦合部的上下表面。应用本实用新型提出的耦合飞杆及射频器件，具有结构简单、高耦合度、体积小的优点。
耦合耦合部飞杆射频器件本实用新型耦合孔共面设置上下表面呈片状耦合度贯穿应用

[发明专利]一种可超小型化光纤耦合声光器件准直器的封装方法-CN201910976920.X在审
发明人：钟能能 -专利权人：上海清津光电子科技有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明涉及光纤通信技术，具体涉及一种可超小型化光纤耦合声光器件准直器的封装方法。本发明提供的可超小型化光纤耦合声光器件准直器的封装方法，通过将准直器直接放置在装有声光晶体的外壳侧壁上，从而解决了现有技术中光纤耦合声光器件体积较大的固有问题，使得器件能够向超小型化方向发展，大大节省了原材料的使用，节约资源，同时，由于体积的大幅度减小，使得器件更加便于携带与使用，能够满足人们对现代光纤耦合声光器件的使用需求；此外，提高了整个器件在环境温度变化时的热稳定性，即使是在温差较大(‑30～70℃)的范围内工作，光纤耦合声光器件也能保持良好的稳定性，满足了现代光纤通信技术对其处理器件的性能要求。
光纤耦合声光器件准直器光纤通信技术封装环境温度变化便于携带处理器件固有问题节约资源热稳定性声光晶体外壳侧壁性能要求直接放置减小温差