专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光刻返工刻蚀工艺-CN201310264681.8有效
  • 雷通 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-06-27 - 2013-10-09 - G03F7/42
  • 本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种光刻返工刻蚀工艺。本发明公开了一种光刻返工刻蚀工艺,通过在一个刻蚀工艺制程中,依次去除需要返工的光刻胶和非氮底部抗反射层后,再次沉积新的非氮底部抗反射层,并继续涂覆光刻胶进行后续的光刻工艺,以完成光刻返工工艺,这样就在进行光刻工艺时就不用为了防止后续光刻返工时影响非氮底部抗反射层的光学参数或其表面性质,而在非氮底部抗反射层上制备保护层,进而简化了整个光刻工艺的流程;同时,采用本方法使得经过光刻返工的制品在后的光刻过程中精度保持不变,进而提高了产品的性能和良率。
  • 光刻返工刻蚀工艺
  • [发明专利]改善钨金属研磨后缺陷的方法-CN202210889930.1在审
  • 陈科成;姜兰 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-07-27 - 2022-11-08 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种改善钨金属研磨后缺陷的方法,包括以下步骤:步骤S1,提供一待沉积金属钨的半导体集成工艺衬底;步骤S2,在S1所述半导体集成工艺衬底上进行钨金属气相沉积;步骤S3,对所沉积钨的半导体集成工艺衬底进行化学机械研磨平坦化处理;步骤S4,对步骤S3所获得衬底进行低温气氛热退火工艺处理;步骤S5:进行后续工艺。本发明通过在半导体集成工艺制造过程中,对所沉积的金属钨进行化学机械研磨平坦化之后进行低温气氛热退火工艺处理;用以解决金属钨暴露在空气中容易与水汽、氧气反应生成聚合物的缺陷,延长工艺等待时间,有利于后续工艺的顺利实施
  • 改善金属研磨缺陷方法
  • [发明专利]沟槽填充方法及半导体器件-CN202110699512.1在审
  • 邹文;付文;胡杏;许乐 - 格科半导体(上海)有限公司
  • 2021-06-23 - 2022-12-23 - H01L21/768
  • 一种沟槽填充方法及半导体器件,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有第一沟槽和第二沟槽,所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度;采用化学气相沉积工艺形成第一钨层,所述第一钨层填满所述第一沟槽;采用物理气相沉积工艺形成第二钨层,所述第二钨层覆盖所述第一钨层,且填充所述第二沟槽的一部分。本发明可以有效避免影响后续工艺中金属铝沉积后表面的平整度,降低铝垫的缺陷风险以及外观缺陷,降低后续工艺中的副产物残留风险,提高半导体器件的品质。
  • 沟槽填充方法半导体器件
  • [发明专利]一种冷轧废水处理工艺-CN201410313424.3无效
  • 张卫东;魏国栋;张敏 - 江苏中金环保科技有限公司
  • 2014-07-02 - 2014-10-29 - C02F9/04
  • 本发明公开了一种冷轧废水处理工艺,利用多介质过滤器、臭氧接触反应塔、中间水池和生物活性炭滤池对冷轧废水进行深度处理;通过气-水交替反洗方式对多介质过滤器、臭氧接触反应池及生物活性炭滤池进行清洗;气源由风机提供本工艺设备简单,运行可靠,处理效果理想。经过该工艺处理后,出水的CODcr小于30mg/L,SS小于10mg/L,达到排放要求。同时可以出水回用,出水水质可以保证后续回用工艺的稳定工作,降低后续设备的负荷。
  • 一种冷轧废水处理工艺

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