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- [发明专利]光刻返工刻蚀工艺-CN201310264681.8有效
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雷通
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上海华力微电子有限公司
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2013-06-27
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2013-10-09
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G03F7/42
- 本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种光刻返工刻蚀工艺。本发明公开了一种光刻返工刻蚀工艺,通过在一个刻蚀工艺制程中,依次去除需要返工的光刻胶和非氮底部抗反射层后,再次沉积新的非氮底部抗反射层,并继续涂覆光刻胶进行后续的光刻工艺,以完成光刻返工工艺,这样就在进行光刻工艺时就不用为了防止后续光刻返工时影响非氮底部抗反射层的光学参数或其表面性质,而在非氮底部抗反射层上制备保护层,进而简化了整个光刻工艺的流程;同时,采用本方法使得经过光刻返工的制品在后的光刻过程中精度保持不变,进而提高了产品的性能和良率。
- 光刻返工刻蚀工艺
- [发明专利]改善钨金属研磨后缺陷的方法-CN202210889930.1在审
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陈科成;姜兰
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-07-27
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2022-11-08
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H01L21/768
- 本发明公开了一种改善钨金属研磨后缺陷的方法,包括以下步骤:步骤S1,提供一待沉积金属钨的半导体集成工艺衬底;步骤S2,在S1所述半导体集成工艺衬底上进行钨金属气相沉积;步骤S3,对所沉积钨的半导体集成工艺衬底进行化学机械研磨平坦化处理;步骤S4,对步骤S3所获得衬底进行低温气氛热退火工艺处理;步骤S5:进行后续工艺。本发明通过在半导体集成工艺制造过程中,对所沉积的金属钨进行化学机械研磨平坦化之后进行低温气氛热退火工艺处理;用以解决金属钨暴露在空气中容易与水汽、氧气反应生成聚合物的缺陷,延长工艺等待时间,有利于后续工艺的顺利实施
- 改善金属研磨缺陷方法
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