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[发明专利]一种隐身材料平板高温反射率测试方法-CN202110339992.0有效
发明人：刘海韬;黄文质;孙逊;甘霞云;张琳 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本发明涉及雷达吸波材料检测技术领域，具体公开了一种隐身材料平板高温反射率测试方法，包括以下步骤：（1）确定测试温度下隐身材料平板尺寸；（2）采用与隐身材料平板测试温度下尺寸相同的金属校准板在常温下进行高温反射率测试系统校准；（3）隐身材料平板高温反射率测试。本发明的隐身材料平板高温反射率测试方法，用于隐身材料平板高温反射率测试，通过对高温反射率测试系统校准进行改进，提高隐身材料平板高温下反射率测试的精准性，能够准确评估隐身材料高温吸波性能，为高温隐身材料的研制与应用提供数据支撑
一种隐身材料平板高温反射率测试方法

[发明专利]一种高光谱与多光谱遥感信息融合方法及系统-CN202110463497.0在审
发明人：赵世湖;唐新明;刘书含;王霞;唐洪钊;窦显辉;刘昌儒;郭莉 -专利权人：自然资源部国土卫星遥感应用中心
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高光谱与多光谱遥感信息融合方法及系统，其包括：根据预先获取的高光谱遥感影像数据进行高光谱大气校正；根据预先获取的多光谱遥感影像数据进行多光谱大气校正；基于高光谱大气校正和多光谱大气校正处理后生成的地表的高光谱反射率影像结果和多光谱反射率影像结果，建立波段映射模型；以原始高光谱反射率影像数值为基准，对虚拟高光谱反射率影像结果进行光谱反射率值的加权计算，生成高光谱反射率融合结果；基于高光谱反射率融合结果，采用大气辐射传输模型进行模拟，实现对反射融合影像的大气辐射传输转换
一种光谱遥感信息融合方法系统

[发明专利]一种沉积物粒度光谱分析方法及装置-CN201510463305.0有效
发明人：邢学文;刘松;周红英;董文彤;谢兴 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：该沉积物粒度光谱分析方法包括采集沉积物样品；利用激光散射粒度分布分析仪获取沉积物样品的粒度分布，根据设定的尺寸范围确定沉积物样品的粒度；消除所述沉积物样品在设定波长位置的光谱跃迁，生成所述沉积物样品的反射率光谱，并对反射率光谱进行再处理，生成反射率一阶导数、反射率倒数的对数和反射率吸收深度三个衍生光谱指标；应用相关性分析方法计算所述沉积物样品的粒度与设定波长范围内的反射率、所述反射率一阶导数、反射率倒数的对数及反射率吸收深度的相关性
一种沉积物粒度光谱分析方法装置

[发明专利]三角洲沉积遥感探测方法及装置-CN201510462859.9有效
发明人：邢学文;刘松;周红英;谢兴;张强 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：一种三角洲沉积遥感探测方法及装置，该三角洲沉积遥感探测方法包括选择在三角洲不同沉积相的不同部位进行表层沉积物采样；获取沉积物样品的粒度分布，确定沉积物样品的粒度；获取沉积物样品的反射率光谱，并将反射率光谱重采样为与卫星数据波谱段一致的反射率光谱；建立沉积物的粒度与卫星数据波谱段的反射率之间模型；获取卫星数据以建立卫星数据检索表，并选定部分卫星数据；对部分卫星数据进行几何校正后转换为反射率数据；根据反射率数据的光谱、纹理特征，对反射率数据进行分类，提取三角洲地表出露区反射率数据；进行三角洲地表出露区反射率数据的地表沉积物黏土、粉砂和砂百分含量预测，制作三角洲黏土、粉砂和砂百分含量图。
三角洲沉积遥感探测方法装置

[实用新型]一种具有防护功能的反射率仪-CN202120724744.3有效
发明人：田际驰;王金飞 -专利权人：上海檀嘉实业有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防护功能的反射率仪，属于反射率仪技术领域，其包括反射率测定仪，所述反射率测定仪的背面设置有两个安装接口，且两个安装接口的左右两侧均设置有安装板，两个安装板的正面均与反射率测定仪的背面固定连接该具有防护功能的反射率仪，通过设置限位夹板、输气导管和挤压板，保障了接头在插入安装接口后的稳定性，且在安装完毕后，降低了导线脱落掉出的可能，使得反射率测定仪不易因短路而出现内部热量过大的情况，降低了反射率测定仪内部设备出现损坏的情况，有效的保障了反射率测定仪使用寿命的同时，对工作人员的安全起到了保障的效果。
一种具有防护功能反射率

[实用新型]一种高反射率太阳热反射隔热屋面瓦-CN201520617875.6有效
发明人：赵炜璇;路国忠 -专利权人：北京建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： E04D1/28 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高反射率太阳热反射隔热屋面瓦，包括屋面瓦1、底漆2、高反射率太阳热反射涂层3、罩光层4。本实用新型所述的底漆2主要为丙烯酸酯类产品，厚度30-40μm，底漆的作用主要是提高高反射率太阳热反射涂层与屋面瓦之间的附着力；高反射率太阳热反射隔热涂层即为高反射率太阳热反射隔热涂料层，厚度约为0.2mm本实用新型的高反射率太阳热反射隔热涂料性能符合JG/T235-2014《建筑反射隔热涂料》的指标要求。
一种反射率太阳反射隔热屋面

[发明专利]一种空间频域成像中球型水果表面漫反射率校正测量方法-CN202310378143.5在审
发明人：胡栋;俞盛旗;仇德凯;贾天泽;孙通 -专利权人：浙江农林大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种空间频域成像中球型水果表面漫反射率校正测量方法，解决在空间频域成像系统中测量球型水果的漫反射时受到样品表面高度、反射角和光线入射角的影响。本方法包括以下步骤：一、投影获取结构光条纹图；二、条纹图白板校正；三、求得水果漫反射率和三维轮廓；四、对漫反射率进行高度校正，并由高度求得球型水果表面反射角；五、对高度校正后的漫反射率进行角度校正，得到球型水果最终的漫反射率；六、对漫反射率进行光学特性反演得到吸收系数和约化散射系数。本方法提出了一种适用于球型水果的漫反射校正方法，校正了由水果表面高度和角度引起的漫反射率测量误差，校正后的水果漫反射率和其反演的光学特性更加符合水果质地均匀的特性。
一种空间成像中球型水果表面漫反射校正测量方法

[发明专利]一种宽谱段低透过率、低反射率反射镜-CN202111564606.4在审
发明人：王利;董滨;郝言慧;王刚;白云立;郭乃豪;杨业;韩杰;姜彦辉;常君磊 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽谱段低透过率、低反射率反射镜，包括反射镜基底，以及在反射镜基底上依次附着的金属主反射层，间隔层，反射率调控层和光谱平坦度调控层；其中金属主反射层为铝，银，金或铬，间隔层为Al2O3，反射率调控层为铬，光谱平坦度调控层包含交替排布的低折射率层和高折射率层，本发明为获得覆盖整个可见光区450nm‑900nm的宽光谱、低反射率和低透过率反射镜，在膜层中使用吸收系数较大的金属材料和介质材料组成的膜堆，从而实现了对反射率和透过率的控制，本发明反射镜对波长为450nm‑900nm的入射光的反射率在30％～80％之间，透过率小于0.1％。
一种宽谱段低透过反射率反射

[发明专利]一种双偏振雷达降水率估测方法及系统-CN202210445885.0在审
发明人：郭佳;张持岸;罗丽;尹春光 -专利权人：北京敏视达雷达有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01S7/41 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种双偏振雷达降水率估测方法，其中该方法包括：针对双偏振天气雷达每个径向上的每个分辨率，确定该分辨率对应的目标差分相移率和目标反射率因子；若目标差分相移率大于或等于差分相移率阈值，且目标反射率因子小于反射率因子阈值，则根据目标差分相移率，确定目标衰减率，并根据目标衰减率，确定该分辨率处的估测降水率；若目标差分相移率小于差分相移率阈值，或者目标反射率因子大于或等于反射率因子阈值，则根据目标反射率因子，确定该分辨率处的估测降水率该方法能够基于双偏振天气雷达较准确地估测降水率。
一种偏振雷达降水估测方法系统

[发明专利]一种水体反射率确定方法和系统-CN202011321025.3在审
发明人：姜晓剑;吴莹莹;朱元励;汪伟;李卓 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种水体反射率确定方法和系统。该水体反射率确定方法和系统，通过获取待检测水体区域的水体光谱数据，然后，采用训练好的水体反射光谱模型、天空漫反射光谱模型和标准板反射光谱模型快速、精确地分类得到水体光谱数据中的水体反射光谱数据、天空漫反射光谱数据和标准板反射光谱数据，最后根据分类得到的这些光谱数据确定待检测水体区域的水体反射率，以在提高水体反射率确定精确度的同时，提高水体反射率确定效率。
一种水体反射率确定方法系统

[发明专利]一种吸波材料表征反射率失效评估方法-CN201910508650.X在审
发明人：张澎;彭刚;薛昀 -专利权人：北京测威科技有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸波材料表征反射率失效评估方法，其包括：针对隐身武器装备的特点，结合涂敷于该隐身武器装备上的吸波材料表征反射率分布特征，确定该隐身武器装备表征反射率特征点的信息；对所确定的表征反射率特征点进行测量，创建所有特征点的表征反射率基准数据库并保存；当隐身武器装备交付用户、使用一段时间后，根据该隐身武器装备表征反射率特征点的分布特点，结合对涂敷于该隐身武器装备上吸波材料目视检查结果，确定待评估特征点；测量待评估特征点的表征反射率，将测量得到的该特征点的吸波材料表征反射率与对应的基准数据库中的结果比对、评估并确定维护维修优先级。通过该方法，能够直接获取被测目标特征点处吸波材料表征反射率与频率关系曲线，并评估该特征点处吸波材料的表征反射率是否失效，显著降低隐身武器装备的失效评估成本，缩短失效评估周期，提高失效评估效率。
隐身武器装备吸波材料反射率特征点评估反射率特征基准数据库评估特征测量涂敷频率关系曲线反射率分布被测目标分布特点结果比对目视检查评估周期维护维修直接获取交付保存创建

[发明专利]一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法-CN201910702183.4在审
发明人：曲晓东;陈凯轩;赵斌;林志伟 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法，通过在外延层背离电极的一侧设置高反射率复合膜，且高反射率复合膜覆盖外延层外围区域以及与电极位置对应的区域，即未设置第一反射层的区域，所述高反射率复合膜包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和第二反射层，一方面，设于第一反射层边缘与外延层边缘之间的高反射率复合膜可以起到对第一反射层进行保护的作用，有效防止第一反射层扩散和被腐蚀，提高芯片的可靠性；另一方面，高反射率复合膜和第一反射层配合，反射能够全面覆盖芯片，提高芯片整体的反射率；再一方面，与电极位置对应区域的高反射率复合膜还可以起到电流阻挡的作用，能够有效控制电流分布。
高反射率复合膜反射层透明绝缘层电极位置外延层芯片有效控制电流外延层边缘电流阻挡全面覆盖外围区域反射率电极反射制作背离腐蚀扩散覆盖配合

[实用新型]一种具有高反射率复合膜的LED芯片-CN201921225201.6有效
发明人：曲晓东;陈凯轩;赵斌;林志伟 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有高反射率复合膜的LED芯片，通过在外延层背离电极的一侧设置高反射率复合膜，且高反射率复合膜覆盖外延层外围区域以及与电极位置对应的区域，即未设置第一反射层的区域，所述高反射率复合膜包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和第二反射层，一方面，设于第一反射层边缘与外延层边缘之间的高反射率复合膜可以起到对第一反射层进行保护的作用，有效防止第一反射层扩散和被腐蚀，提高芯片的可靠性；另一方面，高反射率复合膜和第一反射层配合，反射能够全面覆盖芯片，提高芯片整体的反射率；再一方面，与电极位置对应区域的高反射率复合膜还可以起到电流阻挡的作用，能够有效控制电流分布。
高反射率复合膜反射层透明绝缘层电极位置芯片外延层有效控制电流本实用新型外延层边缘电流阻挡全面覆盖外围区域反射率电极反射背离腐蚀扩散覆盖配合

[发明专利]一种反射率综合测量方法-CN201010608932.6有效
发明人：李斌成;曲哲超;韩艳玲 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：一种反射率综合测量方法，步骤为：连续入射激光束被分束为参考光束和探测光束，参考光束被聚焦到光电探测器直接探测，探测光束注入光学谐振腔。在测量反射率大于99％的光学元件时采用光腔衰荡技术，分别测量初始光学谐振腔输出信号的衰荡时间τ0和加入待测光学元件后的测试光学谐振腔输出信号的衰荡时间τ1，计算得到待测光学元件反射率R。在R值小于99％时采用分光光度技术测量待测光学元件反射率。移走输出腔镜，从测试镜反射的探测光被聚焦到光电探测器探测，同时记录探测光束和参考光束光强信号比值，通过定标进而得待测光学元件反射率R。该反射率测量装置可测量任意反射率光学元件，而且可对大口径光学元件反射率分布实现高分辨二维成像。
一种反射率综合测量方法

[发明专利]检测外延单晶正常成长的方法-CN200610118546.2有效
发明人：王海军;王剑敏;谢煊;徐伟中;杨欣 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：它包括如下步骤：第一步，设定待检测硅片的反射率范围；第二步，检测外延单晶成长后的硅片的反射率；第三步，将检测得到的反射率和设定的反射率进行比较，如果检测得到的反射率在设定的反射率范围内，则表示外延单晶已经正常成长
检测外延正常成长方法

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