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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]关联物品的识别方法和物品推荐方法、装置-CN202310625005.2在审
发明人：谢煊 -专利权人：北京爱奇艺科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06V20/52 文献下载
摘要：本发明实施例提供的关联物品的识别方法和物品推荐方法、装置，应用于信息技术领域，包括：获取待识别图像；识别所述待识别图像中第一预设类型的目标物品；识别所述待识别图像中的第二预设类别的目标人物；识别所述目标物品和所述目标人物的重合位置；识别所述目标物品的使用位置，所述使用位置用于体现目标物品与人物的参照位置关系；根据所述目标物品的使用位置、所述目标物品和所述目标人物的重合位置，确定所述目标物品与所述目标人物的映射关系。通过本发明实施例的方法，可以在获取待识别的图像之后，识别目标物品和目标人体的重合位置，然后根据目标物品的使用位置和重合位置判断该物品和人物的映射关系，从而提高映射关系的判断的准确性。
关联物品识别方法推荐装置

[发明专利]一种植入位置确定方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310047604.0在审
发明人：谢煊 -专利权人：北京奇艺世纪科技有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H04N21/44 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种植入位置确定方法、装置、电子设备及存储介质，涉及视频处理技术领域，方法包括：通过获取需要植入三维图像资源的视频图像；基于目标检测算法，确定视频图像中包含指定对象的视频帧，作为第一视频帧；其中，在第一视频帧中指定对象的位置处植入三维图像资源时，三维图像资源所占图像区域与指定对象所占图像区域的交并比小于第一预设阈值；基于指定对象在第一视频帧中的位置，确定在视频图像中植入三维图像资源的植入位置。基于此，通过电子设备自动检测植入位置，相对于人工浏览视频图像确定植入位置，能够降低人工成本，提高确定植入位置的效率。
一种植入位置确定方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种植入位置确定方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310047804.6在审
发明人：谢煊 -专利权人：北京奇艺世纪科技有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H04N21/44 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种植入位置确定方法、装置、电子设备及存储介质，涉及视频处理技术领域，方法包括：通过获取需要植入二维图像资源的视频图像；基于目标检测算法，确定视频图像中包含指定对象的视频帧，作为第一视频帧；其中，在第一视频帧中指定对象的位置处植入二维图像资源时，二维图像资源所占图像区域与指定对象所占图像区域的交并比大于预设阈值；基于指定对象在第一视频帧中的位置，确定在视频图像中植入二维图像资源的植入位置。基于此，通过电子设备自动检测植入位置，相对于人工浏览视频图像确定植入位置，能够降低人工成本，提高确定植入位置的效率。
一种植入位置确定方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种虚拟人物穿模调整方法、装置、设备及存储介质-CN202210333601.9在审
发明人：谢煊 -专利权人：北京奇艺世纪科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06T19/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种虚拟人物穿模调整方法、装置、设备及存储介质，通过获取中之人的代理体中各个结构体之间的位置约束关系，根据该位置约束关系，对虚拟人物的模型数据中各个部位的数据进行调整。由于中之人的身材数据在发生动作变化过程中，各个部位之间并不会发生穿模。借助中之人的代理体中各个结构体之间的位置约束关系，对虚拟人物的模型数据进行调整，可使调整后的虚拟人物的模型数据中各个部位之间的位置符合该中之人代理体中各个结构体之间的位置约束关系，进而直接将穿模部位由穿模状态调整为不穿模状态。采用本发明实施例，无需后期逐帧对穿模部位进行调整，能够有效提高穿模部位的调整效率。
一种虚拟人物调整方法装置设备存储介质

[发明专利]脸部对象的彩妆色号识别方法、装置及服务器-CN202210111254.5在审
发明人：谢煊 -专利权人：北京爱奇艺科技有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本申请提供了脸部对象的彩妆色号识别方法、装置及服务器，在视频播放界面播放视频的情况下，若检测到识别脸部对象的彩妆色号的指令，确定视频播放界面当前显示的目标视频图像；从目标视频图像包含的人脸中确定待识别彩妆色号的脸部对象所属的目标人脸；获取目标人脸对应的视频片段，由于目标人脸对应的视频片段包括连续的多帧视频图像，所以该视频片段很大概率上是目标人脸所属演员在未改变脸部对象的彩妆型号的情况下持续拍摄的，所以视频片段包含的各帧视频图像中目标人脸的脸部对象的目标颜色值是相同的，基于视频片段确定的目标彩妆色号更加准确。用户在观看视频的过程中输入上述指令即得到目标彩妆色号，使得操作简便，且保证了实时性。
脸部对象彩妆色号识别方法装置服务器

[发明专利]一种利用四轴飞行器判别车辆方位的方法-CN201510562314.5有效
发明人：谢煊;冯辉;张鹏;胡波 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G06K9/46 文献下载
摘要：本发明属于计算机视觉与模式分析技术领域，具体为一种利用四轴飞行器判别车辆方位的方法。本发明方法首先对无人机拍摄到的视频数据进行车辆识别，再检测识别到的车辆的车轮形状和两个车轮的相对位置，并以此为根据判断车辆与飞行器的相对方位，为飞行器自主对准车牌提供控制信息。大量飞行器实际拍摄的视频流的实验结果证实了本发明方法的有效性。
飞行器四轴飞行器车辆方位计算机视觉车辆识别车轮形状控制信息模式分析视频数据拍摄视频流车牌对准车轮检测

[实用新型]电池片水煮实验装置-CN201420262456.0有效
发明人：何锐;夏正月;谢煊;刑国强 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池片水煮实验装置，包括恒温加热板、水浴槽、支撑棒、温度计和计时器，恒温加热板位于水浴槽下方，用于给水浴槽加热，恒温加热板温度在50℃-100℃范围内可调节，可根据实验需求实时控制水温。该水浴槽2内均匀分布有支撑棒3，用于避免电池片大面积接触水浴槽2，使得水煮实验更加充分。
电池水煮实验装置

[发明专利]一种半导体器件结构及其制作方法-CN201010517994.6有效
发明人：邱慈云;刘继全;肖胜安;谢煊 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件结构，包括：生长在半导体衬底上的第一外延层；在所述第一外延层中以预定间距设置的多个沟槽；在所述沟槽内，或沟槽内和沟槽顶部生长、填充该沟槽的第二外延层；其特征在于：所述沟槽的宽度在垂直于所述半导体衬底方向自上而下逐渐变化；所述第一外延层内的载流子浓度分布趋势与沟槽宽度的分布趋势一致；所述第一外延层的载流子浓度分布与第二外延层的载流子浓度分布一致。本发明还公开了所述半导体器件结构的制作方法。本发明能够在形成超级结器件后抑制由于电荷平衡的恶化而导致的耐压下降。
一种半导体器件结构及其制作方法

[发明专利]外延自掺杂评价的方法-CN200810043916.X无效
发明人：缪燕;谢煊 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延自掺杂评价的方法。包括以下步骤：步骤一、在硅片上注入所需评价的埋层，所述埋层为P型或N型，埋层图形在硅片面内周期分布；步骤二、进行外延生长；步骤三、外延生长后测试扩展电阻或四探针方块电阻来评价自掺杂。本发明简单易用，成本较低，耗时较少，能够模拟出埋层对外延自掺杂的影响。
外延掺杂评价方法

[发明专利]硅外延生长室预处理的方法-CN200710094102.4无效
发明人：徐伟中;张洪伟;谢煊 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅外延生长室预处理的方法，该方法中不用假片，直接模拟后续将要进行外延生长的工艺过程来预处理硅外延生长室，直至外延生长室达到稳定的状态。本发明的方法相对于用假片进行预处理的方法，降低了生产维护成本，并保护硅外延生长室内的基座不被过度刻蚀，而且简单易行，适用于硅外延生长室在维护、长时间停止作业或者不同外延工艺切换之后而处于不稳定状态时对硅外延生长室进行预处理。
外延生长预处理方法

[发明专利]监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法-CN200710093959.4有效
发明人：季伟;谢煊;徐伟中;缪燕 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，是在安装完基座之后，采用如下步骤：在硅片上淀积一层对多晶锗硅膜；在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。本发明方法简便，可以避免因基座位置安装不中心化而导致锗硅腔体需要重新进行预防性维护保养。
监控外延反应基座安装中心方法

[发明专利]改善物理溅射工艺稳定性的方法-CN200710093841.1无效
发明人：王海军;方精训;谢煊;季芝慧 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善物理溅射工艺稳定性的方法，在去水蒸气化腔之后通过运送腔连接多个溅射腔，进行溅射工艺的芯片在所述去水蒸气化腔内进行去水蒸气工艺，之后进入所述运送腔，所述运送腔按照先进先出的原则依次将所述运送腔中的晶片运送至空闲的溅射腔中，之后由溅射腔对晶片进行溅射工艺；去水蒸气工艺时间为A，从去水蒸气工艺结束到运送至溅射腔的时间为B，溅射工艺的时间为C，从溅射工艺结束到运送至冷却腔的时间为D，所述溅射腔的数量为n，则需要满足n×(A+B)＞C+D。本发明避免了晶片进入溅射腔之前等待时间过长而造成晶片不能满足工艺要求而导致报废的情况的发生，大大提高了晶片生产的合格率，降低了生产的成本。
改善物理溅射工艺稳定性方法

[发明专利]检测外延单晶正常成长的方法-CN200610118546.2有效
发明人：王海军;王剑敏;谢煊;徐伟中;杨欣 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测外延单晶正常成长的方法，它可以在不损害到产品的情况下，实现简单快速地检测外延单晶的成长情况。它包括如下步骤：第一步，设定待检测硅片的反射率范围；第二步，检测外延单晶成长后的硅片的反射率；第三步，将检测得到的反射率和设定的反射率进行比较，如果检测得到的反射率在设定的反射率范围内，则表示外延单晶已经正常成长，否则表示没有正常成长。
检测外延正常成长方法

[发明专利]采用终点检测系统对同一种膜质进行研磨的方法-CN200610116939.X有效
发明人：王海军;蔡晨;谢煊;程晓华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-10-09 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： B24B49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用终点检测系统对同一种膜质进行研磨的方法，包括如下步骤：步骤1，产品到来之后，测量前值；步骤2，在凹凸区域用小于50rpm的低转速和小于4psi的低压力进行研磨，进行终点检测，抓到特征点后停止研磨；步骤3，用正常的转速50－120rpm和正常的压力4－8psi继续研磨，根据研磨时间研磨至后值规格。该方法能提高研磨产品的平整度，减少研磨的时间，既能提高产量又能节约成本。
采用终点检测系统一种进行研磨方法

[发明专利]改善化学机械研磨终点检测及检测前道工艺的方法-CN200610030313.7有效
发明人：王海军;谢煊;程晓华;杨欣 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-23 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： B24B49/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善化学机械研磨终点检测及检测前道工艺的方法，设定正确的检知时间范围，一旦检知时间超过设定范围，即时间小于设定的下限或大于等于设定的上限，机台报警并停止研磨，进行检测处理。本发明能够实时检测到产品的终点，及时发现前道非正常工艺以及机台终点检测硬件(设备)异常的问题，减少异常产品的产生。本发明不仅可以适用于利用光学原理的终点检测方法，还可以适用于温度变化原理，电流强度变化原理的终点检测方法。
改善化学机械研磨终点检测工艺方法

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