专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果771849个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]新型远程监控专用1W大功率LED红外线发射管-CN201310539785.5在审
  • 周晓蕾 - 上海雷盘电子科技有限公司
  • 2013-11-05 - 2015-05-13 - H04B10/50
  • LED红外线发射管它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米;光敏二极管是在反向电压作用之下工作的;没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流;当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子—空穴对,称为光生载流子;它们在反向电压作用下参加漂移运动,使反向电流明显变大,光的强度越大,反向电流也越大;这种特性称为“光电导”;光敏二极管在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流;如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化
  • 新型远程监控专用大功率led红外线发射
  • [发明专利]焊丝剩余量估测方法和估测装置-CN202111232448.2有效
  • 王伟;李春海;靳占伟 - 唐山松下产业机器有限公司
  • 2021-10-22 - 2022-09-23 - B23K9/173
  • 本发明提供了一种焊丝剩余量估测方法和估测装置,该估测方法适用于焊接装置,包括以下步骤:获取送丝电机的一正向送丝时的电机电流值I1和一反向送丝时的电机电流值I2;根据电机电流值I1、电机电流值I2、送丝电机的电流/扭矩特性曲线以及送丝轮的尺寸分别获得正向送丝力F1和反向送丝力F2;根据正向送丝力F1和反向送丝力F2获得送丝过程中送丝力差F,送丝力差F为正向送丝力F1和反向送丝力F2的差值;根据获得的送丝力差F通过预设的送丝力差与焊丝剩余量的关系获得对应的焊丝剩余量本发明的焊丝剩余量估测方法通过送丝电机正向旋转和反向旋转的电流差异估测焊丝剩余量,从而有效地提高焊接的整体质量及防止出现电弧烧坏导电嘴的情形。
  • 焊丝剩余估测方法装置
  • [发明专利]一种充电电路和充电方法-CN202010568953.3在审
  • 洪超;聂圣童;赵辉 - 青岛海信移动通信技术股份有限公司
  • 2020-06-19 - 2021-12-21 - H02J7/00
  • 本发明公开了一种充电电路和充电方法,包括反向截止单元、与反向截止单元对应的充电芯片,反向截止单元的输入端与供电电源连接,输出端与充电芯片的电压输入端连接,当反向截止单元的输入端的电压值小于反向截止单元的输出端的电压值时,断开反向截止单元的输入端与反向截止单元的输出端之间的通路;与反向截止单元对应的充电芯片,用于实时采集该反向截止单元输出的电压值,将采集到的反向截止单元输出端的电压值与当前门限电压值进行比较,根据比较结果确定电流值,并使用该电流值进行充电。由于充电电路中的反向截止单元可以代替充电芯片内部起反向截止功能的元器件,从而能够减小芯片的体积,减小充电芯片在PCB板上占用的空间。
  • 一种充电电路方法
  • [发明专利]半导体器件中负载电流的过零检测-CN201210378158.3有效
  • 丹尼尔·多梅斯 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2012-10-08 - 2013-04-10 - H03K17/567
  • 本发明涉及半导体器件中负载电流的过零检测,公开了一种电路布置,包括具有栅电极和在发射极与集电极之间的电流路径的反向导通晶体管。该晶体管被构造成允许在正向上和反向上传导的负载电流通过负载电流路径并且被构造成通过在栅电极的相应信号被激活或被禁用。该电路布置还包括栅极控制单元和监控单元。栅极控制单元被连接至栅电极并且被构造成禁用该晶体管或者防止当晶体管处于反向导通状态时经由栅电极的晶体管的激活。监控单元被构造成检测,在晶体管通过栅极控制单元被禁用或防止激活的同时,在该负载电流过零时产生的,反向导通晶体管的集电极-发射极电压的突然上升。
  • 半导体器件负载电流检测
  • [发明专利]肖特基器件-CN200580017337.2无效
  • 维杰伊·帕萨撒拉希;维施努·K.·基姆卡;朱荣华;阿米塔瓦·博斯 - 飞思卡尔半导体公司
  • 2005-04-26 - 2008-03-12 - H01L29/36
  • 常规的肖特基二极管(16)或具有肖特基二极管特性的器件(90)与MOS晶体管(18、92)串行耦合,以对漏电流和击穿电压提供了显著的改进,而前向电流只有小的降低。在反向偏置情况下,有一个小的反向偏置电流,但通过肖特基二极管(16、90)的电压由于MOS晶体管(18、92)而保持较小。几乎所有的反向偏置电压都通过MOS晶体管(18、92),直至MOS晶体管(18、92)损坏。然而,因为肖特基二极管限制了电流,所以该晶体管损坏不是一开始就损坏的。随着反向偏置电压持续增加,肖特基二极管(16、90)开始吸收更多的电压。这增加了漏电流,而击穿电压相当于晶体管(18、92)和肖特基二极管(16、90)之间的和。
  • 肖特基器件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top