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[发明专利]肖特基器件-CN200580017337.2无效
发明人：维杰伊·帕萨撒拉希;维施努·K.·基姆卡;朱荣华;阿米塔瓦·博斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：常规的肖特基二极管(16)或具有肖特基二极管特性的器件(90)与MOS晶体管(18、92)串行耦合，以对漏电流和击穿电压提供了显著的改进，而前向电流只有小的降低。在反向偏置情况下，有一个小的反向偏置电流，但通过肖特基二极管(16、90)的电压由于MOS晶体管(18、92)而保持较小。几乎所有的反向偏置电压都通过MOS晶体管(18、92)，直至MOS晶体管(18、92)损坏。然而，因为肖特基二极管限制了电流，所以该晶体管损坏不是一开始就损坏的。随着反向偏置电压持续增加，肖特基二极管(16、90)开始吸收更多的电压。这增加了漏电流，而击穿电压相当于晶体管(18、92)和肖特基二极管(16、90)之间的和。
肖特基器件

[发明专利]肖特基器件和形成方法-CN200580021992.5有效
发明人：维什努克·肯卡;维贾·帕塔萨拉蒂;祝荣华;阿米塔瓦·博斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：传导层(41)包括第一部分，其与下面的具有第一传导类型的第一区域形成了肖特基区域(25)。具有第二传导类型的第二区域(13)位于第一区域(22)下面，其中第二传导类型与第一传导类型相反。具有第一传导类型的第三区域(21)直接位于第二区域(13)下面，并且电气耦合到器件的阴极(52)。
肖特基器件形成方法

[发明专利]具有雪崩保护的高电流MOS器件及操作方法-CN200580013473.4无效
发明人：维什努·K·肯卡;阿米塔瓦·博斯;维贾伊·帕塔萨拉蒂;祝荣华 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-04-06 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：尤其在高电流应用中，在MOS晶体管(51)的漏区(74)中产生的碰撞离子化引起的电子－空穴对会导致寄生双极晶体管(38)破坏性地导通。空穴流经MOS晶体管(51)的具有本征电阻的体区(76)到达典型保持在较低电压例如地的源区(80)。空穴电流导致作为基区(42)的体区(76)电压上升。该上升的基区电压就是导致寄生双极晶体管(38)导通的原因。沟道电流经过源区(80)和体区(76)之间的阻抗(62)，作为发射区(44)的源区(80)和体区(76)之间的电压升高，可以大大减小上述可能性。当基区电压增高时，其导致发射区电压增高，从而阻止寄生双极晶体管(38)导通。
具有雪崩保护电流 mos 器件操作方法

[发明专利]半导体部件及其制造方法-CN03824815.8有效
发明人：维舒努·赫姆卡;维嘉·帕撒萨拉丝;朱荣华;阿米塔瓦·博斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2003-09-23 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体部件包括一RESURF晶体管(100，200，300，400，500)，该晶体管包括具有第一导电类型的第一半导体区(110，210，310，410，510)和位于第一半导体区上面并具有第二导电类型的电浮动半导体区(115，215，315，415，515，545)。RESURF晶体管进一步包括位于电浮动半导体区上面并具有第一导电类型的第二半导体区(120，220，320，420，520)，位于第二半导体区上面并具有第一导电类型的第三半导体区(130，230)，和第二半导体区上面并具有第二导电类型的第四半导体区(140，240，340，440，540)。在一个特定实施例中，当在第三半导体区和第四半导体区之间施加反向偏压时，第四半导体区和电浮动半导体区使第二半导体区耗尽。
半导体部件及其制造方法