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[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、光刻工艺-CN201310296765.X有效
发明人：肖双喜;任思雨;于春崎;胡君文;何基强;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、光刻工艺，所述光刻工艺使用半灰阶掩膜板进行曝光，曝光显影后，依次去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的膜层A、半灰阶掩膜板的第一区域对应的膜层B和半灰阶掩膜板的第三区域对应的膜层此种光刻工艺只需经过一次通过半灰阶掩膜板的曝光，就能满足对膜层A和膜层B的刻蚀要求，可以减少光刻工艺的制程，从而达到简化光刻工艺的目的，降低制作成本。
一种薄膜晶体管及其制造方法光刻工艺

[发明专利]一种羽化掩膜模板及其生成方法、装置、可读存储介质-CN202111451781.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：厦门汉印电子技术有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06T7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种羽化掩膜模板及其生成方法、装置、可读存储介质，包括：获取待处理的掩膜图像；获取预设的S型曲线函数，所述S型曲线为灰阶值关于阶调的非线性单调函数；根据预设的非线性S型曲线函数对所述掩膜图像上的每个像素点的阶调进行计算得到对应的灰阶值，以生成灰阶渐变图；利用半色调算法对所述灰阶渐变图进行计算，生成羽化掩膜模板。旨在解决现有技术中线性灰阶渐变图案的羽化掩膜模板生成方法存在羽化效果不佳的问题。
一种羽化模板及其生成方法装置可读存储介质

[发明专利]灰阶掩膜板-CN201811179305.8在审
发明人：万志龙;杨鹏;庄崇营;谭晓彬;柳发霖;于春琦;李林 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本申请提供的灰阶掩膜板，包括透明区、非透明区及包括呈多行多列排列的灰阶图案的灰阶区；任意相邻两行的灰阶图案中，其中一行灰阶图案的遮光图案与另一行灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合；任意相邻两列的灰阶图案中，其中一列灰阶图案的遮光图案与另一列灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合；透光图案的几何中心点到相邻的遮光图案边缘的距离，与所述遮光图案的几何中心点到相邻的透光图案边缘的距离相等。经过上述灰阶掩膜板后的光能均匀作用在灰阶区对应的半曝光区的光刻胶上；控制光刻过程中半曝光区的光刻胶在曝光显影后的显影高度。采用上述掩膜板可以使曝光更加简单，制程成本大幅度降低。
灰阶图案灰阶透光图案遮光图案掩膜板几何中心点半曝光区边缘重合光刻胶多行多列非透明区距离相等均匀作用曝光显影相邻两列相邻两行控制光透明区光能显影掩膜制程曝光申请

[实用新型]灰阶掩膜板-CN201821645011.5有效
发明人：万志龙;杨鹏;庄崇营;谭晓彬;柳发霖;于春琦;李林 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本申请提供的灰阶掩膜板，包括透明区、非透明区及包括呈多行多列排列的灰阶图案的灰阶区；任意相邻两行的灰阶图案中，其中一行灰阶图案的遮光图案与另一行灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合；任意相邻两列的灰阶图案中，其中一列灰阶图案的遮光图案与另一列灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合；透光图案的几何中心点到相邻的遮光图案边缘的距离，与所述遮光图案的几何中心点到相邻的透光图案边缘的距离相等。经过上述灰阶掩膜板后的光能均匀作用在灰阶区对应的半曝光区的光刻胶上；控制光刻过程中半曝光区的光刻胶在曝光显影后的显影高度。采用上述掩膜板可以使曝光更加简单，制程成本大幅度降低。
灰阶图案灰阶透光图案遮光图案掩膜板几何中心点半曝光区边缘重合光刻胶多行多列非透明区距离相等均匀作用曝光显影相邻两列相邻两行控制光透明区光能显影掩膜制程曝光申请

[发明专利]灰阶掩膜版及利用其形成的柱状隔垫物-CN201210268706.7无效
发明人：吴洪江;黄常刚;黎敏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种灰阶掩膜版及利用其形成的柱状隔垫物，所述灰阶掩膜版包括透明衬底和形成于其上的遮光层，所述遮光层包括部分曝光区，所述部分曝光区包括至少一个环形狭缝。利用所述灰阶掩膜版形成的柱状隔垫物，部分曝光区下形成的柱状隔垫物的上表面包括与环形狭缝相对应的环形突起和凹槽。本发明的灰阶掩膜版的成本比传统的半透膜掩膜版低，利用其形成的柱状隔垫物有利于防止薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板的相对位移，从而改善液晶显示装置的画质，同时为液晶滴入量提供范围较大的上下限区间。
灰阶掩膜版利用形成柱状隔垫物

[发明专利]灰阶掩膜版、阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201210291577.3有效
发明人：惠官宝;张锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种灰阶掩膜版、阵列基板及其制备方法、显示装置。该灰阶掩膜版包括：掩膜版主体，掩膜版主体上具有驱动电路图案区域和像素显示图案区域，驱动电路图案区域中包括第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案，该两者之间具有第一沟道区，其内设有第一灰阶线条图案；像素显示图案区域中包括第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案，该两者之间具有第二沟道区，其内设有第二灰阶线条图案；第一灰阶线条图案的宽度大于第二灰阶线条图案的宽度。本发明提供的灰阶掩膜版，可有效避免驱动电路区域中TFT产生过刻蚀的缺陷，最大程度确保驱动电路正常工作，提高最终产品的良品率。
灰阶掩膜版阵列及其制备方法显示装置

[实用新型]一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置-CN201220405695.8有效
发明人：惠官宝;张锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置。该灰阶掩膜版包括：掩膜版主体，掩膜版主体上具有驱动电路图案区域和像素显示图案区域，驱动电路图案区域中包括第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案，该两者之间具有第一沟道区，其内设有第一灰阶线条图案；像素显示图案区域中包括第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案，该两者之间具有第二沟道区，其内设有第二灰阶线条图案；第一灰阶线条图案的宽度大于第二灰阶线条图案的宽度。使用上述灰阶掩膜版制作的阵列基板，包含驱动电路区和像素显示区，所述驱动电路区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度，且所述像素显示区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度。所述显示装置，包括上述阵列基板。
一种灰阶掩膜版阵列显示装置

[发明专利]阵列基板的制造方法-CN201680036538.5在审
发明人：洪日 -专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板的制造方法，包括在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和金属层；在所述金属层上涂覆光刻胶；提供一多灰阶掩膜版，利用所述多灰阶掩膜版对所述光刻胶进行图案化，以在所述光刻胶上形成半曝光区域；以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层进行蚀刻，使得蚀刻后的金属层具有源漏极层图案；去除所述半曝光区域处的光刻胶，以露出所述半曝光区域下方的所述金属层；干法蚀刻所述半曝光区域下方露出的所述金属层，以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道
阵列制造方法

[发明专利]灰阶光掩膜与制作方法以及以灰阶光掩膜形成沟渠方法-CN201210204320.X有效
发明人：程石良;陈琮瑜 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种灰阶光掩膜，包含有一第一图案以及一第二图案。其中第一图案具有一第一线宽，第二图案具有一第二线宽，且第二图案具有一灰阶密度。本发明另外还提供了一种灰阶光掩膜的制作方法，以及利用此灰阶光掩膜在基板上形成一沟渠的方法。
灰阶光掩膜制作方法以及形成沟渠方法

[发明专利]灰阶掩膜版及利用其形成的柱状隔垫物-CN201210285671.8无效
发明人：吴洪江;黎敏;查长军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种灰阶掩膜版及利用其形成的柱状隔垫物，所述灰阶掩膜版包括透明衬底和形成于其上的遮光层，所述遮光层包括部分曝光区，所述部分曝光区包括多个透光孔，所述多个透光孔均匀分布；或所述部分曝光区包括曝光开口和位于曝光开口内的多个遮光区本发明的灰阶掩膜版的成本比传统的灰阶掩膜版低，利用其形成的柱状隔垫物有利于防止薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板的相对位移，且为液晶层提供范围较大的液晶层上下限区间。
灰阶掩膜版利用形成柱状隔垫物

[发明专利]灰阶掩膜版制作方法-CN201711339781.7有效
发明人：杜武兵;林伟;郑宇辰 -专利权人：深圳市路维光电股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种灰阶掩膜版制作方法，包括以下步骤：在基板一侧表面形成灰阶层；在所述灰阶层表面形成遮光层；在所述遮光层表面形成光阻层；对形成所述光阻层后的半成品进行初次曝光；对初次曝光后的半成品进行初次显影；对初次显影后的半成品进行初次蚀刻；对初次蚀刻后的半成品进行二次曝光；对二次曝光后的半成品进行二次显影；对二次显影后的半成品进行二次蚀刻；对二次蚀刻后的半成品进行脱膜，获得带有透光层图案、灰阶层图案和遮光层图案的灰阶掩膜版成品本发明实施例提供的制作方法工艺过程相对简单易操作，所获得的带有透光层图案、灰阶层图案和遮光层图案的灰阶掩膜版成品应用于TFT‑LCD行业，可以有效减少制程工序，提高产品品质。
灰阶掩膜版制作方法

[发明专利]改善视角色偏的方法、装置及显示面板-CN202010162850.7有效
发明人：侯瑜;黄小骅;王柏钧;赵玉财 -专利权人：咸阳彩虹光电科技有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善视角色偏的方法、装置及显示面板，该方法包括：输入初始画素并将其存于行缓冲器；获取与掩膜矩阵相同大小的初始画素灰阶矩阵，与掩膜矩阵对应位置的子画素相乘再相加得到新的灰阶矩阵和；判断新的灰阶矩阵和与预设阈值的大小关系后进行相应演算操作；其中，所述判断新的灰阶矩阵和与预设阈值的大小关系后进行相应演算操作，包括：进行第一预设演算操作或者第二预设演算操作。
改善视角方法装置显示面板

[发明专利]阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法-CN201710590258.5有效
发明人：李海旭;曹占锋;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法，其包括：在平坦化层上依次形成电极层的整层膜层和金属功能层的整层膜层；利用多灰阶掩膜层使金属功能层的整层膜层形成电极层所需图案；对多灰阶掩膜层进行灰化处理；利用具有电极层所需图案的金属功能层使电极层的整层膜层形成电极层所需图案；利用经灰化处理后的多灰阶掩膜层使具有电极层所需图案的金属功能层形成金属功能层所需图案；还包括：在对多灰阶掩膜层进行灰化处理之前，
阵列制作方法显示装置

[发明专利]一种灰阶掩膜版及利用其形成的显示基板、曝光装置-CN201710007998.1在审
发明人：胡伟;金熙哲;刘信;李志勇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种灰阶掩膜版及利用其形成的显示基板、曝光装置，用以解决彩膜基板制作过程中，常规掩膜版制作的膜层边缘的倾斜角度较大的问题。该灰阶掩膜版包括掩膜版主体，以及至少一个曝光区；曝光区包括位于中间且完全透光的中心区域，以及分别设置在中心区域两侧且部分透光的边缘区域；边缘区域的透光强度小于中心区域的透光强度。本发明在灰阶掩膜版的曝光区设置有透光强度渐变的多个区域，位于中间位置且透光强度最大的中心区域能够形成膜层的主体部分，透光强度较小的边缘区域能够形成膜层的倾斜坡度部分，因而可以使待曝光的膜层的边缘更平缓，
一种灰阶掩膜版利用形成显示曝光装置

[发明专利]灰阶掩膜版结构-CN200710121531.6有效
发明人：董敏;刘圣烈 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有可掩膜出源极的源极区域和可掩膜出漏极的漏极区域，以及在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，在所述沟道区域内均匀设置有数个挡光条，所述挡光条与所述沟道区域的中心线垂直采用本发明所提供的灰阶掩膜版结构进行曝光工艺，由于存在多个狭缝使光发生多重干涉，使挡光条下的光刻胶得到均匀度较高的光强，减小光刻胶表面突起的数量与突起的尺寸，从而获得一定高度的且均匀度较高的光刻胶表面，灰化后进而进行二次刻蚀，改善了掩膜工艺的均匀性问题，降低了由于均匀性不良而出现源/漏层短路等问题的几率，获得性能优良的薄膜晶体管源/漏层沟道。
灰阶掩膜版结构

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