专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于分相互联的柔性供电方法、系统、存储介质及终端-CN202310517864.X在审
  • 杨金东;刘红文;荣飞 - 云南电网有限责任公司电力科学研究院
  • 2023-05-09 - 2023-10-03 - H02J3/38
  • 本发明公开了基于分相互联的柔性供电方法、系统、存储介质及终端,所述方法包括:根据筛选条件获得第一台所属供电线路内的若干个待互联;分别确定第一台与每一个待互联在最优连接方式下对应的第一三相不平衡度和第一总线路损耗;根据Pareto支配关系对所述第一台与每一个待互联的最优连接方式下对应的第一三相不平衡度和第一总线路损耗进行排序,获得三相不平衡度和总线路损耗集合列表;确定所述三相不平衡度和总线路损耗集合列表中的一个待互联作为互联;根据所述互联确定对应的最优连接方式,并且执行该动作。本发明有效解决了台重载和三相不平衡问题,从而降低供电损耗,提高了配电网的供电质量。
  • 基于相互柔性供电方法系统存储介质终端
  • [发明专利]存储器及其制作方法-CN201911226585.8有效
  • 戴强 - 浙江驰拓科技有限公司
  • 2019-12-04 - 2023-04-18 - H10B61/00
  • 其中,所述存储器包括存储单元、有源、栅极、互联金属层和浅沟道隔离;所述浅沟道隔离与有源水平间隔排列;栅极设置在有源上方,栅极与有源相互垂直;每个有源包括多个源极和多个漏极,每一个栅极与多个有源形成多个共栅的晶体管,同一有源中的相邻晶体管共用源极或漏极;互联金属层位于源极上方以及相邻的栅极之间,以将共栅的晶体管的源极互联。本发明通过互联金属层实现共联栅极的源极互联,替换掉了用于互联源极的通孔,从而规避了相关设计规则的束缚,并降低了存储器的设计尺寸,进而提高了存储器的密度。
  • 存储器及其制作方法
  • [发明专利]柔性分相互联装置、及其控制方法-CN202310517712.X在审
  • 杨金东;刘红文 - 云南电网有限责任公司电力科学研究院
  • 2023-05-09 - 2023-08-01 - H02J3/06
  • 本发明实施例公开了一种柔性分相互联装置,该装置包括变流模块、分相互联开关模块、控制模块、分相功率测量模块,其中,变流模块与控制模块、分相互联开关模块连接,变流模块包括多个功率调控支撑单元,多个功率调控支撑单元与直流母线连接;分相互联开关模块与控制模块、配电网台连接,分相互联开关模块用于通过接入不同数量的功率调控支撑单元,向配电网台区分相输出不同功率;分相功率测量模块与控制模块连接,用于测量互联中A、B、C三相电的功率,互联包括多个配电网台,控制模块用于根据互联中A、B、C三相功率控制接入分相互联开关模块的功率调控支撑单元的数量,以向配电网台区分相输出可控功率。
  • 柔性相互装置及其控制方法
  • [发明专利]折叠太阳能板-CN202310314026.2在审
  • 朱彦君;孙中伟;于华君;张民欢 - 深圳市华宝新能源股份有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-05-23 - H01L31/048
  • 本发明涉及太阳能设备技术领域,公开折叠太阳能板,折叠太阳能板包括发电层和两个分别层叠设置于发电层正反两侧的胶膜层,发电层包括至少两个子发电板和互联导线,子发电板间隔设置,相邻子发电板之间的间隙形成折弯,相邻子发电板之间通过贯穿折弯互联导线电连接,互联导线与胶膜层之间设有隔离层,隔离层至少覆盖位于折弯互联导线,以将位于折弯互联导线与两侧的胶膜层隔离。本发明提供的折叠太阳能板能够避免硬化后的胶膜层降低互联导线的柔韧性,使互联导线在折弯的部分不易折断,提高耐用度,同时隔离层对互联导线起到挡护的作用,降低互联导线刺穿外侧封装结构而外露带来的安全风险。
  • 折叠太阳能
  • [发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202010880910.9在审
  • 刘志拯 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-08-27 - 2022-03-01 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构,其中,半导体结构的形成方法,包括:提供半导体基底,半导体基底包括阵列和外围,阵列中具有分立排布的多个导电层;形成覆盖半导体基底的支撑层,其中,位于阵列上的支撑层中具有互联层,互联层还延伸至外围,用于电连接导电层且将导电层的电信号传输到外围;图形化支撑层,形成位于外围上分立的多个支撑结构,以及位于阵列以及外围上的互联结构,其中,互联层位于互联结构中,分立的支撑结构之间存在空隙,以减少支撑结构所占外围的面积,避免了存储器的金属剥离现象。
  • 半导体结构形成方法

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