“刻写”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1076个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法-CN202011638382.2有效
发明人：匡翠方;杨顺华;刘旭;李海峰;丁晨良;魏震;徐良 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法，该装置可产生N×N强度独立可控的高质量PPI阵列，每个PPI刻写点由干涉点阵暗斑和激发光重合而成，具有高通量超分辨刻写的能力。一路光通过四光束干涉产生等强度等间距的光斑点阵，点阵暗斑用作涡旋抑制光；另一路光通过MLA产生N×N激发光点阵，同时通过SLM和DMD分别调控各激发光的位置和强度，实现涡旋光阵列与激发光点阵精密重合且刻写点大小独立可控该装置与方法通过产生相同刻写点大小的PPI阵列，可进行高均匀度三维结构的高通量超分辨直写加工，控制刻写点大小使其具有特定分布，还可并行加工任意曲面结构，可应用于超分辨光刻等领域。
一种基于边缘抑制阵列并行装置方法

[发明专利]一种飞秒激光质子直写系统-CN201310084441.X无效
发明人：李玉晓;王世启;欧阳劲志;陈燕;胡川南 -专利权人：河南工业技术研究院
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种飞秒激光质子直写系统，用以解决现有的直写系统，存在刻写分辨率低，功率控制不稳定，噪声大，轮廓深度有误差及对抗蚀剂的厚度要求有限制的问题，包括：主控制器；质子束生成系统，用于根据主控制器的控制，产生兆电子伏特Mev能量级的质子束；刻写装置，用于利用兆电子伏特Mev能量级的质子束，在抗蚀材料工件表面进行刻写出三维浮雕结构；随动平台，用于置放抗蚀材料工件，并运动实现横向和纵向的刻写；随动平台控制系统上述飞秒激光质子直写系统，利用高能质子束刻写出高深宽比，侧壁垂直光滑、线条边缘粗糙度低和高密度、高精度的三维浮雕结构。
一种激光质子系统

[发明专利]一种光纤，其制备方法及其光纤光栅阵列-CN201710188727.0在审
发明人：邵洪峰 -专利权人：邵洪峰
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：紫外光透明材料允许紫外激光透过涂层材料，从而可直接在石英玻璃光纤芯部刻写光栅。本申请还涉及该光纤的制备方法，以及使用该光纤刻写的各种结构类型的光纤光栅阵列。本申请的光纤光栅阵列无需在刻写前除去外涂层，不仅减少了工艺步骤，而且避免了在去除外涂层的期间，芯层容易受外界的空气和水影响导致光纤强度下降的问题。而且，本申请能够直接在光纤上进行紫外光刻写得到光纤光栅阵列，提高了光纤光栅阵列的可靠性，简化了光纤光栅阵列的制作工艺。
一种光纤制备方法及其光栅阵列

[发明专利]一种基于双色双步吸收效应的超分辨光刻方法-CN202210717492.0有效
发明人：丁晨良;匡翠方;刘锡;徐良;杨臻垚;孙秋媛;沈小明 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该方法基于苯偶酰光引发剂基态与三重态的光谱吸收特性，利用一束材料基态吸收范围波长的激光束与另一束材料三重态吸收范围波长的激光束共同作用于材料中，通过控制两者的能量实现双色双步吸收效应，并且结合两者的相对位移控制，从而获得小于衍射极限的刻写线宽本发明将提供一种亚百纳米精度刻写精度与快速刻写能力的超分辨纳米激光直写方法，使三维光刻直写技术具有高速、超分辨、复杂结构刻写能力的优点。
一种基于双色双步吸收效应分辨光刻方法

[实用新型]一种螺旋光纤光栅的刻写装置-CN201320739912.1有效
发明人：张晓强;王安廷;林中晰;许立新 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种螺旋光纤光栅的刻写装置，其结构包括：紫外光源（101）、准直聚焦透镜（102）、掩模板（103）、电机控制系统，其中电机控制系统主要由旋转电机和前进电机组成。本实用新型可以刻写布拉格型螺旋光纤光栅和长周期螺旋光纤光栅，利用刻写的螺旋光纤光栅能够产生涡旋光束和对光束的偏振控制。该实用新型的结构明晰，稳定性高，制作简单。
一种螺旋光纤光栅刻写装置

[实用新型]一种用于光栅刻写的激光扩束准直装置-CN202022885373.5有效
发明人：刘峰;宋立;张心贲 -专利权人：长飞(武汉)光系统股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于光栅刻写的激光扩束准直装置，包括底座、Z轴升降系统和滑轨模块系统。本发明能够通过Z轴升降系统和滑轨模块系统实现对包括高斯光斑在内的激光光束整形的效果，用以得到可以用于刻写光栅的均匀光斑。本实用新型可以有效控制写栅所需激光的能量分布及形状大小，使得所刻写的光栅达到所需指标并不损伤包层，同时提高边模抑制比。
一种用于光栅刻写激光扩束准直装置

[发明专利]一种用于刻写大模场啁啾光纤光栅的切趾刻写系统-CN202111480248.9在审
发明人：席晨斐;于雷;崔晓敏 -专利权人：苏州英谷激光有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于刻写大模场啁啾光纤光栅的切趾刻写系统，包括：光学隔震台、244氩离子倍频紫外激光器、准直扩束镜、反射镜、转接板、X轴平移电动位移台、Y轴电动升降位移台、平凸球面透镜、待刻写载氢光纤、本发明既可以满足大模场的高功率光纤光栅的刻写，又可以满足普通低功率的单模光纤光纤刻写；在电动位移台的配合下，达到良好的切趾效果，可实现近似于超高斯函数的切趾；由于其近似于超高斯切趾函数的切趾优势，也可以实现低反光纤光栅的反射谱平顶化的切趾效果
一种用于刻写大模场啁啾光纤光栅系统

[发明专利]基于双步双光子效应的高通量超分辨纳米刻写方法与装置-CN202211493606.4在审
发明人：匡翠方;丁晨良;刘锡;杨顺华;徐良;刘勇;刘旭 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于双步双光子效应的高通量超分辨纳米刻写方法与装置，将存在延时的一个激发光和一个促进光合束，入射到数字微镜器件，随后成像到三维样品台的基板上涂覆的具有双步双光子效应的光刻胶上；根据所需刻写结构控制数字微镜器件以及激发光和促进光的延时，使延时大于光刻胶分子的单重态的激发态S1到多重态T1，进而实现双步双光子效应，实现任意三维纳米结构的刻写本发明实现超分辨激光刻写，并且结合数字微镜器件，进而实现高通量刻写能力。
基于双步双光子效应通量分辨纳米刻写方法装置

[发明专利]一种双涂覆层弱光纤光栅阵列及其制备方法-CN201811184851.0在审
发明人：罗志会;张宇;王万蓉 -专利权人：宜昌睿传光电技术有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种双涂覆层弱光纤光栅阵列及制备方法，包括纤芯、刻写在纤芯上的弱光栅阵列，纤芯外的包层，包层外采用汽相沉积工艺制备的TiO2层，TiO2层外二次涂覆高分子材料。一种双涂覆层弱光纤光栅阵列的制备方法，利用拉丝塔对预制棒拉丝形成纤芯和包层，然后采用外部气相沉积工艺在裸光纤表面形成TiO2薄膜，再采用相位掩模板单脉冲工艺刻写弱光栅阵列，最后对刻写的光栅进行二次涂覆。本发明的光纤光栅阵列结构简单，抗弯曲、抗疲劳、抗腐蚀性好，性价比高，刻写方式灵活，可用于恶劣环境以及长期应变监测的场合，具有很好的应用前景。
刻写纤芯弱光纤光栅涂覆层包层制备二次涂覆光栅阵列光纤光栅阵列外部气相沉积高分子材料裸光纤表面相位掩模板光栅恶劣环境工艺制备应变监测单脉冲抗疲劳抗弯曲拉丝塔预制棒沉积可用拉丝灵活应用

[发明专利]一种基于长周期光纤光栅滤波的2μm波段ASE光源的实现方法-CN201710005149.2在审
发明人：祝连庆;丁香栋;骆飞;娄小平;董明利;何巍;辛璟焘 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于长周期光纤光栅滤波的2μm波段ASE光源的实现方法，首先，激光脉冲经过50％的分光镜分光后通过物镜聚焦到掺铥光纤上实现ASE光源的输出，然后利用飞秒激光器对掺铥光纤进行逐点刻写形成长周期光纤光栅，刻写过程中由X轴和Z轴两个CCD进行实时监控,检测刻写的情况，最后ASE光源通过长周期光纤光栅进行滤波后，通过光谱仪观察光栅透射谱型，判断滤波效果；采用飞秒刻写长周期光纤光栅，光栅参数严格可控，可滤波区间可选
一种基于周期光纤光栅滤波波段 ase 光源实现方法

[发明专利]基于二氧化碳激光刻写的长周期光纤光栅的蛋白质浓度检测方法-CN201711323428.X在审
发明人：祝连庆;刘小龙;娄小平;董明利;孙广开;何巍;李红 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二氧化碳激光刻写的长周期光纤光栅的蛋白质浓度检测方法，采用二氧化碳激光器刻写的长周期光纤光栅来对蛋白质浓度进行检测，其中，所述二氧化碳激光器刻写的长周期光纤光栅灵敏度高，测量精确，将刻写的长周期光纤光栅来测量蛋白质溶液
基于二氧化碳激光刻写周期光纤光栅蛋白质浓度检测方法

[发明专利]一种定向无源自驱动薄膜及其制备方法-CN202010360444.1有效
发明人：王萌;王宁;仇明侠;何铁锋;张良静;项炳锡;王蒙 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：所述定向无源自驱动薄膜的制备方法，包括步骤：在基底上沉积金属薄膜；采用激光刻写技术在金属薄膜上刻写定向无源自驱动图案；对刻写有定向无源自驱动图案的金属薄膜进行湿法刻蚀，得到定向无源自驱动薄膜；所述定向无源自驱动图案包括多个首尾连接的定向无源自驱动图案单元本发明通过激光刻写技术结合湿法刻蚀方法，制备得到具有悬切边缘的定向无源自驱动薄膜，整个制备过程不需要掩模，制备工艺十分简单、方便。
一种定向源自驱动薄膜及其制备方法

[实用新型]一种双涂覆层弱光纤光栅阵列-CN201821649588.3有效
发明人：罗志会;张宇;王万蓉 -专利权人：宜昌睿传光电技术有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种双涂覆层弱光纤光栅阵列，包括纤芯、刻写在纤芯上的弱光栅阵列，纤芯外的包层，包层外采用汽相沉积工艺制备的TiO2层，TiO2层外二次涂覆高分子材料。一种双涂覆层弱光纤光栅阵列的制备方法，利用拉丝塔对预制棒拉丝形成纤芯和包层，然后采用外部气相沉积工艺在裸光纤表面形成TiO2薄膜，再采用相位掩模板单脉冲工艺刻写弱光栅阵列，最后对刻写的光栅进行二次涂覆。本实用新型的光纤光栅阵列结构简单，抗弯曲、抗疲劳、抗腐蚀性好，性价比高，刻写方式灵活，可用于恶劣环境以及长期应变监测的场合，具有很好的应用前景。
刻写纤芯弱光纤光栅涂覆层包层二次涂覆光栅阵列光纤光栅阵列外部气相沉积本实用新型高分子材料裸光纤表面相位掩模板光栅恶劣环境工艺制备应变监测单脉冲抗疲劳抗弯曲拉丝塔预制棒沉积可用拉丝制备灵活应用

[发明专利]干涉仪光刻系统以及用于生成等路径长度的干涉束的方法-CN200680049663.6有效
发明人：亨利·西韦尔;约翰内斯·雅各布斯·玛塞尤斯·巴塞尔曼斯 -专利权人： ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G03C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于将图案刻写到衬底上的系统和方法。第一和第二光束被引导以在衬底上的公共区域中会聚并大致重合。这可以实现，以使得第一和第二光束在重合区域中在时间上和空间上相干，以形成干涉条纹，从而限定刻写图像。调整第一和第二光束的束宽。在一个示例中，在将图案刻写到衬底上的同时，相对于刻写的图像移动所述衬底。在另一个示例中，所述衬底保持静止。
干涉仪光刻系统以及用于生成路径长度干涉方法

[发明专利]基于超透镜的激光直写装置及其激光直写方法-CN201811445709.7在审
发明人：王津;周常河;贾伟;谢永芳;赵冬;项长铖 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：将超透镜置于直写基底之上，充分利用超透镜的超分辨成像，使得在超透镜的下表面及其近场范围内的距离可以形成高分辨的图像，缩小聚焦的光斑尺寸，从而提高刻写密度，能够实现高密度光栅的刻写。本装置适用于刻写高密度、高精度的大尺寸衍射光学元件。
透镜刻写激光直写直写激光直写装置衍射光学元件超分辨成像高密度光栅光斑达曼光栅光栅栅线并行度高分辨下表面基底近场聚焦图像