专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于电路板的增强的局部分布电容-CN200880010835.8有效
  • 尼古拉斯·彼恩诺 - 新美亚通讯设备有限公司
  • 2008-02-06 - 2010-02-17 - H05K1/16
  • 提供了一种多层电路板,其具有埋入电容层和针对特定器件的嵌入式局部非分立分布电容元件。提供了一种印刷电路板,其包括(1)第一电介质层,(2)耦合到第一电介质层的第一表面的第一传导层,(3)耦合到第一电介质层的第二表面的第二传导层,(4)邻近于第一传导层的局部分布非分立电容元件,其中该电容元件占据与一位置近似重合的区域,将耦合到该电容元件的器件将被安装在所述位置上。嵌入式局部非分立分布电容元件可提供针对特定器件的电容,以为该特定器件抑制电压/电流噪声。
  • 用于电路板增强局部分布电容
  • [发明专利]一种基于分立器件的读写器-CN201710409676.X在审
  • 李云粉 - 成都飞凯瑞科技有限公司
  • 2017-06-02 - 2017-09-08 - G06K7/10
  • 本发明公开了一种基于分立器件的读写器,包括外壳,设置在外壳内的电路主板,设置在电路主板上的控制通信模块和射频收发模块,以及预设有电子器件嵌入空间的天线;控制通信模块、射频收发模块和天线顺序电连接,所述控制通信模块和射频收发模块采用分立器件本发明采用分立器件,结构上实现小型化、一体化,容易安装;本发明通过在天线上设置供电子器件嵌入的嵌入空间,使得本发明读写器满足适应性和通用性的要求。
  • 一种基于分立器件读写
  • [实用新型]一种具有快速散热性能的半导体用分立器件-CN201922445079.X有效
  • 李琳 - 苏州盖锜机械设备有限公司
  • 2019-12-30 - 2020-06-05 - H01L23/48
  • 本实用新型公开了一种具有快速散热性能的半导体用分立器件,包括底板,所述底板的上端面上固定安装有左右对称分布的插接支架,所述插接支架之间固定安装有金属丝,所述底板的上端面上固定安装有环氧树脂套,所述环氧树脂套位于插接支架的外侧,所述底板的下端面上开设有对称分布的插接槽,所述插接槽的内部插接设置有正极杆和负极杆,本实用新型为一种具有快速散热性能的半导体用分立器件,通过设置散热套筒、硅脂层和弹片部等,达到了提高导热效果,提高散热性能,方便拆卸安装,解决了现有的半导体分立器件封装形式散热面积较小,不利于该器件的散热,器件的散热效果较差,导致使用寿命缩减的问题。
  • 一种具有快速散热性能半导体分立器件
  • [发明专利]高功率GaN器件与结构-CN201810085076.7有效
  • 李湛明;傅玥;吴伟东;刘雁飞 - 苏州量芯微半导体有限公司
  • 2018-01-29 - 2021-10-08 - H01L29/41
  • 本发明描述了具有良好功率操控和散热性能的半导体器件和结构。本发明适用于GaN材料领域。器件可以是分立的方形或菱形芯片,在这些芯片的角落上有电极接线端、锥形电极基底和相互交叉的电极指。器件矩阵结构为在衬底上由数个芯片以具有相互交叉电路的矩阵构型排列而成。器件点阵结构以包含多个分立器件的单位原胞为基础建立,这些单位原胞按照几何结构周期性地贴焊在芯片上。同时,本发明也描述了实现这种半导体器件和结构的方法。
  • 功率gan器件结构
  • [发明专利]一种分立器件正面金属的生产方法-CN200810164214.7有效
  • 钱进 - 杭州立昂电子有限公司
  • 2008-12-31 - 2009-06-10 - H01L21/02
  • 一种分立器件正面金属的生产方法,属于半导体分立器件制造的技术领域。将已经长好器件的硅片进行表面处理后,清洗、甩干,把硅片在溅射台中溅射钛钨合金和镍钒合金,将溅射好的硅片再进行表面处理,清洗、甩干,最后把甩干的硅片置于蒸发台中热蒸发银。上述一种分立器件正面金属的生产方法,在蒸发银之前,器件的正面已经有溅射上去的钛钨合金和镍钒合金的保护,有效地屏蔽了蒸发银产生的二次电子和X射线,避免了蒸发银对器件的损伤;把溅射有钛钨合金和镍钒合金的硅片在
  • 一种分立器件正面金属生产方法
  • [发明专利]半导体元器件及制造方法-CN200810211050.9无效
  • 闻叶廷;H·希卫斯 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2008-08-20 - 2009-03-11 - H01L25/00
  • 一种半导体元器件,其包括引线框、分立的无源电路元件和有源电路元件。分立的无源电路元件例如分立的铁氧体磁心电感器安装成横向或垂直地相邻于引线框。半导体芯片连接到分立的铁氧体磁心电感器。在半导体芯片上的键合垫电耦合到引线框的引线或通过引线键合物电耦合到分立的铁氧体磁心电感器。引线框、分立的铁氧体磁心电感器、半导体芯片和引线键合物被密封剂如模塑材料保护。其它无源电路元件可在封装在模塑材料中之前安装到分立的铁氧体磁心电感器。
  • 半导体元器件制造方法
  • [实用新型]一种新型功率半导体分立器件-CN202022490543.X有效
  • 谢峰;张孟杰 - 深圳市禾望电气股份有限公司
  • 2020-11-02 - 2021-07-13 - H01L23/31
  • 本实用新型涉及一种新型功率半导体分立器件,包括开关管、第一二极管、第二二极管、基板、第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚和塑封体,所述开关管、第一二极管和第二二极管均设置在基板上,所述第一二极管及第二二极管与开关管连接所述新型功率半导体分立器件是把二个二极管都联合封装于同一分立器件内,可以节省布局空间,减少回路杂散电感,优化器件间连接引线电感,提升电路工作性能,为提高功率密度打好基础。应用到buck或者boost类的电路中时,仅选用一个器件即可满足拓扑对开关管的需求,减少电子元器件的数量和体积,能进一步提高此类变换器的功率密度,还能有效降低器件之间连接的引线电感。
  • 一种新型功率半导体分立器件

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