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[发明专利]一种共烧陶瓷相控阵天线-CN202310385060.9在审
发明人：时亮;刘涓;杨岱旭;辛心;董兴超;薛显谋;王朝 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种共烧陶瓷相控阵天线，包括：低温共烧陶瓷基板，辐射天线阵列，射频馈电网络，高温共烧陶瓷基板，控制及供电网络，射频接口，器件级TR组件；其中，射频接口焊接在高温共烧陶瓷基板的下表面；控制及供电网络位于高温共烧陶瓷基板之中；器件级TR组件焊接在高温共烧陶瓷基板的下表面；高温共烧陶瓷基板的上表面与低温共烧陶瓷基板的下表面通过焊接形成混合堆叠式陶瓷基板；射频馈电网络位于低温共烧陶瓷基板之中；辐射天线阵列位于低温共烧陶瓷基板的上表面。
一种陶瓷相控阵天线

[发明专利]一种无键合的双面散热模块及其制造方法-CN202211013798.4在审
发明人：孙栋;杨健明;柯攀 -专利权人：北京萃锦科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种无键合的双面散热模块及其制造方法，包括上层基板，中间层低温共烧陶瓷基板、下层基板、功率端子和多个信号端子，其中，所述低温共烧陶瓷设有无陶瓷区，所述上层基板，中间层低温共烧陶瓷基板和下层基板焊接形成模块，所述功率端子包括正极输入端子、负极输入端子和功率输出端子，所述正极输入端子焊接在所述下层基板上，所述负极输入端子焊接在所述上层基板上，所述功率输出端子和信号端子焊接在所述中间层低温共烧陶瓷基板上，所述中间层低温共烧陶瓷基板和下层基板上均焊接有芯片和合金垫块，其在模块的封装过程中，导入了低温共烧陶瓷基板，提供了足够的强度，且低温共烧陶瓷基板内部线路可以保证产品的通流能力。
一种无键合双面散热模块及其制造方法

[实用新型]一种基于LTCC的带封装壳体的滤波器结构-CN201820155709.2有效
发明人：王超 -专利权人：成都华光瑞芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H03H1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于LTCC的带封装壳体的滤波器结构，包括低温共烧陶瓷基板，低温共烧陶瓷基板上联接有滤波器，低温共烧陶瓷基板上方设置有边框能够包覆低温共烧陶瓷基板的封装框，封装框上设置有与封装框匹配的盖板，直接将滤波器埋入低温共烧陶瓷基板，并在低温共烧陶瓷基板上设置封装框，使得封装后的产品体积小且易于与外部组件级联，适用于毫米波多芯片组件应用。
低温共烧陶瓷基板封装框滤波器滤波器结构封装壳体边框本实用新型多芯片组件毫米波外部组件体积小盖板包覆级联埋入封装联接匹配应用

[发明专利]低温共烧陶瓷基板及其制作方法以及半导体封装装置-CN200810081289.9无效
发明人：申铉沃;崔成勋;李相润 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板。该低温共烧陶瓷基板包含多个基板单元及至少一切割图案。其中切割图案配置于两相邻的这些基板单元之间。本发明亦披露一种低温共烧陶瓷基板的制作方法及一种半导体封装装置。通过设置切割图案于低温共烧陶瓷基板上，使得切割设备于切割低温共烧陶瓷基板时，产生较少的摩擦应力，以降低陶瓷基板损毁的机率，由此提高生产良率，进而降低成本。
低温陶瓷及其制作方法以及半导体封装装置

[发明专利]一种铁氧体嵌入介质陶瓷共烧基板制备方法-CN202310064167.3在审
发明人：窦占明;舒国劲;韩玉成;庞锦标;张二甜;姜胜林;谢强 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明属于铁氧体嵌入介质陶瓷共烧基板制备技术领域，具体来说，涉及一种铁氧体嵌入介质陶瓷共烧基板制备方法，包括以下步骤：步骤一、采用固相法制备铁氧体材料与微波介质陶瓷材料；步骤二、得到微波介质陶瓷膜片和铁氧体陶瓷生膜片；步骤三、得到微波介质陶瓷生胚体和铁氧体陶瓷生胚体；步骤四、得到铁氧体圆片和介质基板生胚体；步骤五、得到铁氧体嵌入介质陶瓷共烧基板生胚体；步骤六、得到共烧后陶瓷基板；步骤七、得到研磨共烧陶瓷基板；步骤八、得到铁氧体嵌入介质陶瓷共烧基板；本发明结构简单、制造工序少，生产效率高、节约成本，具有优异的电性能。
一种铁氧体嵌入介质陶瓷共烧基板制备方法

[发明专利]用于光刻膜技术印刷电路的低温共烧陶瓷基板生带制作方法-CN201510101843.5在审
发明人：肖可 -专利权人：深圳市微英格科贸有限公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于光刻膜技术印刷电路的低温共烧陶瓷基板生带制作方法。该低温共烧陶瓷基板包含多个基板单元及至少一切割图案。其中切割图案配置于两相邻的这些基板单元之间。本发明亦披露一种低温共烧陶瓷基板的制作方法及一种半导体封装装置。通过设置切割图案于低温共烧陶瓷基板上，使得切割设备于切割低温共烧陶瓷基板咐，产生较少的摩擦应力，以降低陶瓷基板损毁的机率，由此提高生产良率，进而降低成本。
用于光刻膜技术印刷电路低温陶瓷基板生带制作方法

[发明专利]一种多元低温共烧陶瓷LTCC微波射频电路及使用其的方法-CN201510400788.X有效
发明人：向勇;高诗光;赵正爽;高奇文 -专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元低温共烧陶瓷LTCC微波射频电路及使用其的方法，所述电路包括顶层天线阵列单元、中层滤波器单元、下层耦合单元以及若干层低温共烧陶瓷基板；顶层天线阵列单元、中层滤波器单元和下层耦合单元均埋置于不同层的低温共烧陶瓷基板中，且不同层的低温共烧陶瓷基板之间通过嵌入每一层低温共烧陶瓷基板中的金属过孔连接。本发明提供的微波射频电路，采用激光打孔、微孔注浆等技术将无源元件埋置到低温共烧陶瓷基板内部，实现了多元集成电路的小型化要求，低温共烧陶瓷技术的埋置式结构和可控层厚技术，为多元集成电路的紧凑型和可靠性提供了保证
一种多元低温陶瓷 ltcc 微波射频电路使用方法

[发明专利]一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法-CN201310519740.1有效
发明人：戴雷;严蓉;庞学满 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明是一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法，包括如下工艺步骤：1）制出所需要的生瓷件；2）通过箱式低温烧结设备，采用复合型承烧板低温烧结成型出混合导体低温共烧陶瓷基板；3）在低温共烧陶瓷基板的表面采用金导体；4）在低温共烧陶瓷基板的内部采用银导体；5）在低温共烧陶瓷基板表面的金电极与内层银电极之间插入一层过渡金属材料，利用中和金银异种金属间高温扩散速率差异性能，在低温共烧过程中形成可靠的电连接。优点：通过采用混合导体低温共烧陶瓷方法，在不改变产品设计的前提下，有效降低产品的生产成本，同时产品的性能与可靠性与以往的全金低温共烧陶瓷基板相当，可广泛应用于微电子领域各类模块与组件。
一种采用混合导体结构低温陶瓷方法

[实用新型]一种具有高灭菌效能的UVC LED模组-CN202022437961.2有效
发明人：刘芳;朱斌斌;张雪亮 -专利权人：华创青云（深圳）科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高灭菌效能的UVC LED模组，一种具有高灭菌效能的UVC LED模组包括：低温共烧陶瓷基板、石英玻璃盖板、导热膏层、散热器及第一UVC LED芯片；所述导热膏层设于所述散热器上，所述低温共烧陶瓷基板设于所述导热膏层上；所述低温共烧陶瓷基板含内腔结构，所述第一UVC LED芯片设于所述低温共烧陶瓷基板的含内腔结构内；所述石英玻璃盖板与所述低温共烧陶瓷基板的上表面通过键合层连接；所述第一UVC LED芯片与所述低温共烧陶瓷基板之间设有芯片焊接层；所述第一UVC LED芯片的两侧通过金线连接到低温共烧陶瓷基板的金属互连层内。
一种具有灭菌效能 uvc led 模组

[实用新型]一种适用低温共烧陶瓷基板散热装置-CN202021471169.2有效
发明人：邓腾飞 -专利权人：安徽蓝讯通信技术有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用低温共烧陶瓷基板散热装置，包括低温共烧陶瓷基板的顶端中心固定安装有电子器件，低温共烧陶瓷基板的顶端边缘固定安装有器件固定架，器件固定架的边缘设置有防尘网。该种适用低温共烧陶瓷基板散热装置，一方面利用半导体吸热板和矩形整列散热片快速吸收引导低温共烧陶瓷基板和电子器长时间运转产生的热量，另一方面通过和液冷散热管高效吸收温共烧陶瓷基板和电子器长顶端和吸热板内腔的热量，在通过散热层内部的环形阵列散热片将液冷散热管内部热量和吸热层内部热量进行引导而出，配合若干组微型风扇将其热量排出，使发热电子器件与低温共烧陶瓷基板间的热阻变得非常小，两种散热方式的结合将极大地提高散热能力
一种适用低温陶瓷散热装置

[实用新型]一种高性能LTCC堆叠保护元件-CN202021469480.3有效
发明人：邓腾飞 -专利权人：安徽蓝讯通信技术有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01H85/046 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高性能LTCC堆叠保护元件，包括第一低温共烧陶瓷基板、第二低温共烧陶瓷基板、陶瓷保护膜片和陶瓷固定柱，其特征在于，所述第一低温共烧陶瓷基板顶部固定连接有电极图层，所述陶瓷保护膜片固定设置有两个，两个所述陶瓷保护膜片固定安装在电极图层的顶部，所述第二低温共烧陶瓷基板固定安装在陶瓷保护膜片的顶部，所述第一低温共烧陶瓷基板与陶瓷保护膜片顶部均设有通孔，所述通孔均分布在同一垂直平面上，所述通孔连接形成孔槽，所述所述第一低温共烧陶瓷基板与陶瓷保护膜片一侧均设有泄流孔，所述陶瓷固定柱固定设置有四个，四个所述陶瓷固定柱分别固定安装在第一低温共烧陶瓷基板的四端，该种设备，结构简单合理，设计新颖。
一种性能 ltcc 堆叠保护元件

[发明专利]一种超薄型低温共烧陶瓷基板的快速成型与烧结方法-CN201610473225.8有效
发明人：张孔;邱颖霞;王志勤;赵丹;柳龙华;王姜伙 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种超薄型低温共烧陶瓷基板的快速成型与烧结方法。具体操作步骤如下：（1）生坯快速成型，将2‑5片生瓷片直接堆叠，真空包装，在等静压机进行层压，获得2‑5层堆叠的陶瓷生坯组；接着进行冲孔、用导体浆料填孔和印刷电路图形，获得待烧陶瓷生坯组；（2）制作待烧机构，由承烧板、待烧陶瓷生坯组和盖板组成中空的待烧机构；（3）将待烧机构进行分步去粘烧制；（4）按常规，致密化烧成低温共烧陶瓷电路基板，低温共烧陶瓷电路基板的总厚度≤0.5 mm。本发明的方法能有效的提高此类低温共烧陶瓷基板的成品率和生产效率，且获得的低温共烧陶瓷基板翘曲度低，能满足焊接、组装的应用要求。本发明的方法不受生瓷片种类的限制，适合大批量生产。
一种超薄型低温陶瓷快速成型烧结方法

[发明专利]基于碳纳米管阵列和低温共烧陶瓷的散热装置及制备方法-CN201010145808.0无效
发明人：白树林;张杨飞 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碳纳米管阵列和低温共烧陶瓷的散热装置及制备方法，属于微电子器件的散热技术。该散热装置包括内嵌微流道的低温共烧陶瓷基板，在该低温共烧陶瓷基板表面制备有碳纳米管阵列，与低温共烧陶瓷基板电路相连的发热器件固定在上述碳纳米管阵列上。本发明充分利用低温共烧陶瓷基板易于加工三维结构的优势，在基板内制作出微流道，利用微流体对流换热将发热器件产生的绝大部分热量导走；同时利用碳纳米管阵列与低温共烧陶瓷和发热器件紧密结合，减小传统的焊接等方式在连接界面产生的微空隙，避免微空隙导致的热阻，使发热器件与低温共烧陶瓷基板间的热阻变得非常小，提高了散热装置的散热能力。
基于纳米阵列低温陶瓷散热装置制备方法

[发明专利]一种LTCC滤波介质谐振天线-CN202010405204.9在审
发明人：张祥军;魏泽华;陈小二 -专利权人：宿迁博翔教育科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种LTCC滤波介质谐振天线，该天线包括低温共烧陶瓷基板和介质谐振器，所述低温共烧陶瓷基板采用三层基板，其中，基于LTCC基片集成波导谐振腔功分器位于最底层；所述介质谐振器为2×2阵列天线，且介质谐振器固定设于低温共烧陶瓷基板的顶部；所述低温共烧陶瓷基板的εr＝5.9，损耗切线为0.0023；所述低温共烧陶瓷基板的三层腔由下至上的厚度依次为h1＝0.58mm、h2＝0.19mm、h3＝0.38mm，且所述低温共烧陶瓷基板的金属层厚度为10um。
一种 ltcc 滤波介质谐振天线

[发明专利]一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201610065672.X有效
发明人：马名生;刘志甫;李永祥 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述的低温共烧陶瓷由CuO‑B2O3二元氧化物烧结而成，其中CuO的含量为5wt%～95wt%。与现有的低温共烧陶瓷基板材料相比，本发明所采用的原料仅有两种CuO和B2O3，且制备工艺简单，成本低，具有较高的实用性。本发明所制备的低介电常数低温共烧陶瓷材料具有低介电常数和低损耗（0.002～0.005，1MHz），同时可与银电极实现匹配共烧，可满足低温共烧陶瓷封装基板材料的应用要求。采用本发明方案所制备的低介电常数低温共烧材料可作为电子封装基板材料使用，并适合规模生产。
一种介电常数低温陶瓷材料及其制备方法

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