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[发明专利]具有异质层状结构的SrTiO3-CN201910192789.8有效
发明人：刘敬松;李惠琴;余洪滔;杨亚函 -专利权人：西南科技大学;方兴河北新材料科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷及其制备方法，具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷的制备方法，将改性SrTiO3基储能介质陶瓷生瓷带、TiO2生瓷带、改性SrTiO3基储能介质陶瓷生瓷带依次堆叠放置，形成三明治结构，并经冷等静压成型后，得到复合素坯，将复合素坯经排胶后在1220‑1270℃下烧结1‑2小时，即得到具有异质层状结构的SrTiO3基储能陶瓷。，大幅度提升了SrTiO3基储能介质陶瓷的击穿场强，保证了该介质陶瓷可以在更高的电压下工作。本发明制备出的具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷，其最大储能密度从1.7J/cm3增加到9.4J/cm
具有层状结构 srtio base sub

[发明专利]一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷介质材料及其制备方法-CN201410406504.3有效
发明人：曹明贺;赵杰峰;刘韩星;许琪;王志建;郝华;尧中华 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷介质材料，其化学式为(1-x)[0.84(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.16(Bi0.5K0.5)TiO3]-xK0.5Na0.5NbO3，其中x＝0.06～0.15，其储能密度为1.51～1.89J/cm3，储能效率为58.1～78.4％。该储能介质陶瓷材料的制备方法步骤如下：(1)原料配料后放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨，并烘干、预煅烧得到陶瓷粉体；(2)在陶瓷粉体中加入粘结剂混匀，压制陶瓷生坯片；(3)陶瓷生坯片排胶、采用二步烧结法烧结得到无铅高储能密度高储能效率储能陶瓷介质材料该方法制备工艺简单，成本低，无污染，所制备的陶瓷材料在室温下具有较的高储能密度和储能效率。
一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷介质材料及其制备方法

[发明专利]一种无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质及其制备方法-CN202011156932.7有效
发明人：翟继卫;闫非;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于储能陶瓷介质材料技术领域，提供了一种无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质及其制备方法，通过固相反应合成内层陶瓷粉体和外层陶瓷粉体，将粉体进一步制成陶瓷浆料，通过流延成型工艺获得相应的陶瓷膜，将得到的陶瓷膜在不同温度和压力条件下进行加压，最后经1050‑1200℃高温烧结得到具有层状三明治结构的无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质，其第一、第三电介质层具有高击穿场强，第二电介质层具有高极化强度；或第一、第三电介质层具有高极化强度，第二电介质层具有高击穿场强。本发明不含铅，制备过程简单、制备工艺稳定、适合工业化批量生产，且耐压特性优异、储能密度和效率高，同时兼具多种材料优异性能于一体。
一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷电介质及其制备方法

[发明专利]一种电介质储能陶瓷粉末、制备方法及其在陶瓷膜中的应用-CN202210210871.0有效
发明人：方必军;闫桂炜;张帅;陈智慧;丁建宁 -专利权人：常州大学
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明属于铁电陶瓷储能技术领域，具体涉及一种电介质储能陶瓷粉末、制备方法及其在陶瓷膜中的应用。其技术要点如下：电介质储能陶瓷粉末的分子式为(Ba1‑x‑0.02LaxLi0.02介质储能陶瓷粉末、制备方法及其在陶瓷膜中的应用，能够低成本制备出1μm~300μm厚度电介质储能陶瓷膜，得到晶粒尺寸均匀结构致密的陶瓷厚膜，其介电损耗5%，表明陶瓷具有较小的漏电流，有效的避免了热击穿、本征击穿，同时，适当厚度厚膜有较大的绝对储能量。
一种电介质陶瓷粉末制备方法及其陶瓷膜中的应用

[发明专利]一种宽温稳定储能介质陶瓷及其制备方法-CN201410138772.1有效
发明人：刘韩星;许琪;郝华;曹明贺;李天明;尧中华;余志勇 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供一种宽温稳定储能介质陶瓷及其制备方法：其化学式为(1-x)[0.92(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃-0.08BaTiO储能介质陶瓷的制备方法包括以下步骤：（1）以Na₂CO₃、Bi₂O₃、BaCO₃、Nb₂O₅和TiO₂作为原料配料，将配好的原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨，并经烘干、预烧得到陶瓷粉体；（2）制备陶瓷生坯；（3）将步骤（2）得到的陶瓷生坯在高温炉中烧结，得到宽温稳定储能介质陶瓷。该方法制备工艺简单，成本低，所制备的储能介质陶瓷材料具有良好的介电常数温度稳定性和较高的储能密度。
一种稳定介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]钛酸锶钡基储能介质陶瓷的制备方法-CN201110046717.6有效
发明人：刘韩星;邓国平;郭璐;李忆秋;郝华;曹明贺;余志勇 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种储能介质陶瓷的制备方法。钛酸锶钡基储能介质陶瓷的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)BST陶瓷细粉的制备；2)玻璃料的制备；3)按各原料所占体积百分数为：BST陶瓷细粉80～99％、玻璃料1～20％，选取上述BST陶瓷细粉和玻璃料；BST陶瓷细粉中加入玻璃料，用氧化锆和无水乙醇球磨24～36h，烘干制得陶瓷-玻璃混合粉末，加入粘结剂造粒，粘结剂的加入量为陶瓷-玻璃混合粉末质量的3～5％，压片得到生坯片；生坯片在600℃下保温2h排胶，冷却至室温，最后在升温速率为2～4℃/min，1050～1280℃下保温2～4h，得到钛酸锶钡基储能介质陶瓷。该方法制备的储能介质陶瓷具有烧结温度低、较高的击穿强度的特点。
钛酸锶钡基储能介质陶瓷制备方法

[发明专利]一种铌酸银基陶瓷及其制备方法和应用-CN201811047417.8有效
发明人：张斗;晏忠钠;周学凡;罗行;周科朝 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-09-09 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸银基陶瓷及其制备方法，通过高温固相反应法在氧气气氛中制得了铌酸银基陶瓷粉末，然后得用传统固相法进行烧结，制得了铌酸银基陶瓷，该陶瓷材料的储能密度可达4.6J/cm3，储能效率高达57.5％，击穿电场强度可达220kV/cm，具有高抗击穿电场、高储能密度与高储能效率的优点，可应用于制备绝缘电介质。所述绝缘电介质还可应用于制备储能电容器。因此该陶瓷材料在脉冲电源领域有良好的应用前景。
一种铌酸银基陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种高储能密度固态储能介质陶瓷及其制备方法-CN200610125010.3有效
发明人：刘韩星;沈宗洋;曹明贺 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及一种储能介质陶瓷及其制备方法。一种高储能密度固态储能介质陶瓷，其特征在于它的化学式为Nd_xSr_1－xTiO₃，其中0＜x≤0.15。
一种高储能密度固态介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种基于三维陶瓷网络的聚合物储能电介质及制备方法-CN202210635840.X在审
发明人：李玉超;毕雪庆;邵强;王振;杨永志;战艳虎;谢倩 -专利权人：聊城大学;聊城卓群汽车部件有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明属于聚合物储能电介质领域，公开了一种基于三维陶瓷网络的聚合物复合电介质材料及其制备方法。所述聚合物电介质材料包括10~30 wt%三维陶瓷网络和70~90 wt%聚合物。三维陶瓷网络利用模板法构筑，聚合物电介质材料通过向陶瓷网络反向引入聚合物获得。所述聚合物电介质材料在较低的陶瓷含量下具有较高的介电常数、储能密度和机械强度。本发明提供的聚合物电介质材料制备工艺简单、成本低廉、可设计性强，为高储能密度聚合物电介质材料的制备提供了一种新思路，应用前景广阔。
一种基于三维陶瓷网络聚合物电介质制备方法

[发明专利]一种核壳结构高储能密度电介质陶瓷的制备方法-CN201510695891.1在审
发明人：吴勇军;黄玉辉;陈湘明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳结构高储能密度电介质陶瓷的制备方法，该方法首先通过溶胶凝胶法制备Ba_0.4Sr_0.6TiO₃粉末；其次利用正硅酸乙酯水解制备包覆Ba_0.4Sr_0.6TiO₃粉末；然后将制得的粉料装入模具，利用放电等离子烧结系统在真空环境中1000℃～1050℃进行烧结，制得陶瓷烧结体；最后在空气气氛下，将陶瓷烧结体1100℃～1150℃处理1～5小时，制得核壳结构高储能密度电介质陶瓷。利用本发明的制备方法制备的核壳结构高储能密度电介质陶瓷在室温下储能密度可达1.60J/cm³以上，比同样条件制备的未包覆SiO₂的Ba_0.4Sr_0.6TiO₃电介质陶瓷的储能密度提高了0.40J/cm³。
一种结构高储能密度电介质陶瓷制备方法

[发明专利]一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用-CN201811541537.3有效
发明人：刘品;姜胜林;张光祖;曾亦可;李明钰 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用，属于电能储存材料领域。制备方法为将反铁电介质和线性介质进行复合，得到反铁电储能陶瓷为反铁电介质与线性介质的复合物。所述反铁电介质为(Pb0.93Ba0.04La0.02)(ZrxTi0.05)O3，其中x的取值范围为0.3≤x≤0.45，所述线性介质为本发明通过高储能密度介质与高储能效率介质的复合，获得了储能密度达到4.39J/cm3、储能效率为92.23％的储能材料。
一种效率提高反铁电储能陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种具有高储能密度和储能效率的陶瓷材料及其制备方法-CN201710019863.7在审
发明人：马华;杜洪亮;邵腾强;王军;王甲富;屈绍波;冯明德 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高储能密度和储能效率的陶瓷材料，涉及电介质储能陶瓷材料技术领域，该陶瓷材料化学式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xBi(Mg0.5Ti0.5)O3，其中0≤x≤0.2。本发明通过添加Bi(Mg0.5Ti0.5)O3使(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷的晶粒减小，调控陶瓷相转变温度区间，从而提高了陶瓷的耐电击穿强度，使陶瓷材料具有高的储能密度、储能效率和良好的储能温度稳定性
一种具有高储能密度效率陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法-CN200610125483.3有效
发明人：刘韩星;吴朝晖;曹明贺 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成，制备步骤依次为：干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料；混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉；湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆，其中陶瓷原料为、PbTiO₃、TiO₂粉体中的一种或几种，水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5％－10％；将水基料浆喷雾造粒，制备球形颗粒；冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯；将陶瓷素坯进行机械加工后在1150－1400℃下烧结，即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高，变形小，其介电常数为80－2000，耐压大于30千伏/厘米，可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
一种尺寸介质陶瓷制备方法

[发明专利]一种钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料的制备方法-CN201210254299.4有效
发明人：沈波;汪金文;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明属于电介质储能材料领域，具体涉及一种高储能密度的钛酸锶钡基玻璃陶瓷材料的制备方法。本发明提供一种钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料的制备方法，包括以下步骤：按(BaxSr1-x)TiO3-aAl2O3-bSiO2配料，其中x=0.4~0.6、(a+b)/(2+a+b)=0.3~0.35、a/b=0.5~1.0，经球磨混料后烘干，高温熔化；将高温熔体浇注至金属模具中，去应力退火，然后经切割得厚度为0.5~1.0mm的玻璃薄片；将玻璃薄片进行受控析晶，得到玻璃陶瓷；将玻璃陶瓷在微波炉中进行微波热处理，制得高储能密度的玻璃陶瓷电介质。本发明方法简单，所制备的玻璃陶瓷材料储能性能有较大提高。
一种钛酸锶钡基玻璃陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种高储能密度介质材料及其制备方法-CN201711045290.1有效
发明人：郑兴华;贾志伟;任治兵 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C04B26/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度介质材料及其制备方法，所述的介质材料由BST30陶瓷粉体和热固性聚合物复合而成，其中，BST30陶瓷粉体由化学组成为Ba_0.7Sr_0.3TiO₃单相粉体组成，热固性聚合物为氰酸酯，其制备方法为1.先合成BST30陶瓷粉体；2.将合成的BST30粉体压制或者流延成圆形或者方形坯体；3.将BST30坯体与氰酸酯复合，获得致密的储能介质材料，与现有技术相比，本发明制备的储能介质材料制备工艺简单，具有介电常数高（>300）、介电损耗低（<0.03）、击穿电场强度高（>120.0kV/mm）、储能密度高（>18.0J/cm³），在脉冲功率储能系统中具有广泛的应用前景。
一种高储能密度介质材料及其制备方法

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