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[实用新型]一种电源冲击防护的保护器件和保护系统-CN202223269041.X有效
发明人：黄敏超 -专利权人：敏业信息科技(上海)有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种电源冲击防护的保护器件，包括：所述保护器件具有封装的外壳，所述外壳上具有包括输入正极端、输入负极端和输出负极端的三引脚，所述保护器件内部包括采样驱动控制电路和钳位电路，其中，所述采样驱动控制电路的第一端连接所述输入正极端本实用新型的保护器件还包括晶体管，跨接于输入负极和输出负极之间，用于实现防反接功能和开机冲击电流抑制功能。本实用新型的保护器件具有多种输入冲击的防护功能组合，可以包含输入浪涌钳位防护、尖峰电压防护、输入防反接防护和开机冲击电流抑制防护。
一种电源冲击防护保护器件系统

[实用新型]一种过压保护器件与过压保护电路-CN202021574264.5有效
发明人：吴家健;钱嘉丽;孙健锋 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请提供了一种过压保护器件与过压保护电路，涉及过压保护技术领域。该过压保护器件包括瞬态抑制二极管组件、温度保险丝以及外壳，瞬态抑制二极管组件与温度保险丝均设置于外壳内，且瞬态抑制二极管组件与温度保险丝面接触，温度保险丝用于在瞬态抑制二极管组件的温度达到预设温度时断开；其中，温度保险丝的第一引脚作为过压保护器件的第一引出脚，温度保险丝的第二引脚与瞬态抑制二极管组件的第一引脚电连接，瞬态抑制二极管组件的第二引脚作为过压保护器件的第二引出脚，瞬态抑制二极管组件的第三引脚作为过压保护器件的第三引出脚本申请提供的过压保护器件与过压保护电路能够防止出现瞬态抑制二极管组件在短路时发生火灾的情况。
一种保护器件电路

[发明专利]一种光模块供电保护装置-CN201811295230.X有效
发明人：邓文博;季冬冬;薛广营 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：一种光模块供电保护装置，包括过流保护器件，过流保护器件输入管脚连接到电压调节器输出管脚，过流保护器件输出管脚连接到光模块输入管脚；基板管理控制器，基板管理控制器的使能管脚和故障管脚分别连接到过流保护器件使能管脚和故障管脚管脚和在位管脚分别连接到光模块的I2C总线、LPMOD管脚和在位管脚；开关芯片，开关芯片的输入管脚连接到基板管理控制器的GPIO端口，开关芯片的选择管脚分别连接到不同阻值的电阻，开关芯片的COM管脚连接到过流保护器件的通过本发明的装置，既能够同时支持不同功耗的光模块，并能提供及时有效的过流保护，增加了光模块供电电路的安全性和可靠性。
一种模块供电保护装置

[发明专利]固态图像传感器-CN200780036182.6无效
发明人：高崎康介;家坂守;若生秀树 -专利权人：富士胶片株式会社;富士胶片弗陀尼克斯有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态图像传感器(1)，包括：成像器件晶片(2A)；形成于成像器件晶片(2A)上的多个成像器件(3)；隔离物(5)，环绕成像器件晶片(2A)上的成像器件(3)，并通过粘合剂(7)与成像器件晶片(2A)接合；透明保护构件(4)，覆盖成像器件晶片(2A)上的成像器件(3)，并附着在隔离物(5)上；以及多个静电放电保护器件(10A)，形成于成像器件晶片(2A)上，所述静电放电保护器件(10A)位于隔离物(5)下方，每个静电放电保护器件(10A)具有扩散层(12、13)以及扩散层(12、13)之间的阱层(11)，所述阱层(11)具有沟道阻断物(20)。
固态图像传感器

[发明专利]一种单双排PAD和ESD搭配使用的版图布局结构及方法-CN202210655374.1在审
发明人：茹金泉;陈明瑜;陈永烈;陈明娇 -专利权人：珠海鸿芯科技有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单双排PAD和ESD搭配使用的版图布局结构及方法，该布局结构包括电路版图、PAD、ESD保护器件，单个PAD的面积为第一预设值，PAD的数量为第二预设值，PAD沿电路版图的四周单排排列形成的第一面积大于电路版图的第二面积；PAD沿电路版图的四周方向双排或多排排列的形成的第三面积小于电路版图的第二面积；PAD包括第一PAD与第二PAD，ESD保护器件包括单排ESD保护器件与双排ESD保护器件；PAD沿电路版图的四周方向单双排排列，其中，第一PAD沿模拟电路版图的四周方向单排排列形成单排PAD，单排PAD连接单排ESD保护器件；第二PAD沿数字电路版图的四周方向双排排列形成双排PAD，双排PAD连接双排ESD保护器件，本发明有助于从芯片内部提高芯片面积的利用率
一种单双排 pad esd 搭配使用版图布局结构方法

[实用新型]带直筒减压空晒保护器的真空集热装置-CN201320258195.0有效
发明人：潘香凤 -专利权人：潘香凤
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： F24J2/46 文献下载
摘要：带直筒减压空晒保护器的真空集热装置，包括带直筒减压空晒保护器的真空集热元件和绝热水箱或者联集盒，带直筒减压空晒保护器的真空集热元件在全玻璃真空集热管尾端的真空隔热层内设置直筒减压空晒保护器组成；直筒减压空晒保护器由带有与集热元件内玻璃管传热连接界面的热力驱动器件和传热直筒组成；所述热力驱动器件包括热敏永磁钢驱动器件、双金属片驱动器件、记忆合金驱动器件和膜盒驱动器件之一，其特征是传热直筒与内玻璃管尾端之间直接或者通过一个热汇用一维移动副低热阻连接，可前后移动，其外端部形状与罩玻璃管尾端内表面相吻合本实用新型用一个小功率空晒保护器就可保证热管内部水蒸汽压力不超过2个大气压、可靠性高。
带直筒减压保护空集装置

[实用新型]带直筒减压空晒保护器的真空热水器-CN201320258192.7有效
发明人：潘香凤 -专利权人：潘香凤
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： F24J2/46 文献下载
摘要：带直筒减压空晒保护器的真空热水器，包括带直筒减压空晒保护器的真空集热元件和绝热水箱。带直筒减压空晒保护器的真空集热元件在全玻璃真空集热管尾端的真空隔热层内设置直筒减压空晒保护器组成；直筒减压空晒保护器由带有与集热元件内玻璃管传热连接界面的热力驱动器件和传热直筒组成；所述热力驱动器件包括热敏永磁钢驱动器件、双金属片驱动器件、记忆合金驱动器件和膜盒驱动器件之一，其特征是传热直筒与内玻璃管尾端之间直接或者通过一个热汇用一维移动副低热阻连接，可前后移动，其外端部形状与罩玻璃管尾端内表面相吻合。本实用新型用一个小功率空晒保护器就可保证热管内部水蒸汽压力不超过2个大气压、可靠性高。
带直筒减压保护真空热水器

[发明专利]二级防雷保护交换机-CN201110424668.5无效
发明人：林云 -专利权人：江苏奇异点网络有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H04L12/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二级防雷保护交换机，包括：连接器、一级防雷保护器件、一级网络变压器、二级防雷保护器件、二级网络变压器、交换芯片、光纤接口、第一物理层芯片、第二物理层芯片、处理器、闪存和静态存储器，所述处理器与内存、静态存储器、第一物理层芯片、第二物理层芯片相连接，所述第一物理层芯片和第二物理层芯片还与交换芯片相连接，所述交换芯片还与光纤接口、二级网络变压器相连接，所述二级网络变压器还与二级防雷保护器件相连接，所述二级防雷保护器件还与一级网络变压器相连接，所述一级网络变压器还与一级防雷保护器件相连接，所述一级防雷保护器件还与连接器相连接。本发明的交换机具有防雷击的功能，适用于网络通信工程的防雷保护。
二级防雷保护交换机

[发明专利]一种基于SCR的集成电路静电保护器件-CN201010593440.4有效
发明人：代萌;林中瑀 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高维持电压的基于可控硅整流器(SCR)集成电路的静电保护器件，其中的高压器件静电放电保护结构对传统的高压保护器件结构进行改进，在原有的SCR的阳极端下面增加一个N注入区，提高SCR阳极下部的电子浓度解决了传统的集成电路的静电保护器件维持电压低的问题，通过调整该注入的剂量，降低原有器件的ESD触发电压及提高其维持电压，本发明提升集成电路静电放电保护能力和对闩锁效应的抵御能力。
一种基于 scr 集成电路静电保护器件

[发明专利]半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器-CN201310073039.1有效
发明人：今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器。具体而言，一种具有晶体管区域和浪涌保护器区域的半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在晶体管区域中的第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极；形成在浪涌保护器区域中的第二半导体层上的浪涌保护器第一电极、浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极，其中源电极和浪涌保护器第二电极彼此连接，其中漏电极和浪涌保护器第三电极彼此连接，其中浪涌保护器第一电极形成在浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极之间，其中浪涌保护器第一电极和浪涌保护器第三电极之间的距离小于栅电极和漏电极之间的距离
半导体器件 pfc 电路电源装置放大器

[发明专利]一种封装测试方法、装置以及电子设备-CN202110813260.0在审
发明人：庄翔;鲍灵凤;张超 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该方法用于测试静电保护器件，静电保护器件包括打线脚位与空置脚位，首先从空置脚位中确定目标空置脚位，然后设置目标空置脚位的电压为预设电压，并设置除目标空置脚位以外的脚位电压为零，再获取目标空置脚位的漏电流值，最后当漏电流值大于阈值时，确定静电保护器件封装故障。本申请提供了一种封装测试方法、装置以及电子设备具有能够检测出静电保护器件是否出现潜在失效的优点。
一种封装测试方法装置以及电子设备

[发明专利]基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法-CN202110645504.9有效
发明人：刘森;刘筱伟;刘海彬;关宇轩;向可强 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，所述ESD保护器件结构包括：衬底；隧穿晶体管，位于所述衬底上方；其中，所述隧穿晶体管具有P型掺杂的半导体层；隔离结构，位于所述隧穿晶体管两侧的所述衬底上方通过本发明提供的基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，解决了现有ESD保护器件尺寸大、低速的问题。
基于晶体管 esd 保护器件结构及其制备方法

[发明专利]一种浪涌保护器件和用于该器件的气体放电管-CN201610167561.X在审
发明人：付猛 -专利权人：深圳市槟城电子有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H02H9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种浪涌保护器件和用于该器件的气体放电管。所述气体放电管包括绝缘管体及与所述绝缘管体两端管口封接的电极，所述绝缘管体的管身外表面设有至少一个导电环。所述浪涌保护器件包括气体放电管及所述气体放电管的至少一个电极和所述导电环之间电连接的电子元器件。本发明的浪涌保护器件集成度高，外接电路方便，利于产品的小型化。
一种浪涌保护器用于器件气体放电

[发明专利]复合保护器件及其制备方法-CN202111494976.5在审
发明人：毛海波;贾广平;郭海;周相国 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01H71/20 文献下载
摘要：本申请公开一种复合保护器件及其制备方法。复合保护器件包括：压敏电阻单元，导热连接层单元以及熔断器单元；导热连接层单元与压敏电阻单元连接，用于将压敏电阻单元产生热量传递至熔断器单元；熔断器单元与导热连接层单元连接，用于在达到预设温度时进行熔断。本申请复合保护器件有利于降低电路烧损的风险。
复合保护器件及其制备方法

[发明专利]一种电涌保护装置及系统-CN201811433176.0在审
发明人：张祥贵;曹安平 -专利权人：厦门赛尔特电子有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种电涌保护装置及系统，包括：第一开关型电涌保护器、第二开关型电涌保护器和阻抗器件；所述第二开关型电涌保护器与所述第一开关型电涌保护器串联以形成雷电冲击电流的泄放通道，所述阻抗器件与所述第一开关型电涌保护器并联以限制所述第一开关型电涌保护器的续流电流的幅值，并与所述第二开关型电涌保护器形成所述续流电流的泄放通道。采用本发明的电涌保护装置及系统，能够有效避免灭弧失效，且能提高电压保护的稳定性。
电涌保护器第一开关开关型电涌保护器电涌保护装置泄放通道续流电流阻抗器件雷电冲击电流电压保护并联灭弧串联