专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于海上航行船只的防腐蚀型光缆-CN202211090027.5在审
  • 梁学新;舒亚丹 - 梁学新
  • 2022-09-07 - 2022-12-30 - G02B6/44
  • 本发明公开了一种用于海上航行船只的防腐蚀型光缆,属于光缆领域,一种用于海上航行船只的防腐蚀型光缆,本方案中,在腐蚀源沾染到外覆层表面形成侵蚀时,会产生热量,使得应激触发块内的触发剂颗粒分解,形成气体,在触发剂颗粒分解过程中会吸收大量的热量而随着触发剂颗粒分解产生的气体的聚集会对外覆层形成压迫,直至造成外覆层沿预制撕裂槽的方向撕裂,使得沾染有腐蚀源的外覆层部脱离,并在强化网的作用下收缩成球,将腐蚀源包裹在自身内部,使得降低腐蚀源不易对光缆形成连续性的侵蚀,不易对光缆形成大范围的侵蚀,不易影响光缆的使用寿命,不易造成光缆失效。
  • 一种用于海上航行船只腐蚀光缆
  • [发明专利]一种制造沟槽型半导体功率器件的方法-CN201110458303.4有效
  • 苏冠创 - 立新半导体有限公司
  • 2011-12-29 - 2013-07-03 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种制造沟槽型半导体功率器件的方法,其包括以下步骤:首先,利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型和N型掺杂剂,分别形成P型基区和N型源区,并进行侵蚀而形成多个栅极沟槽;然后,在外延层表面上形成层间介质,利用接触孔掩模,对层间介质和外延层表面进行侵蚀形成接触沟槽,并对接触沟槽进行填充,形成沟槽金属插塞;最后,利用金属掩模进行金属侵蚀,形成金属垫层和连线。本发明的制备方法可省略了基区掩模和源区掩模的制备工序,使半导体器件的制造成本得到了较大的降低;同时,本发明所述的制备方法不会影响器件原有的电气特性,从而增加了器件的性能价格比。
  • 一种制造沟槽半导体功率器件方法
  • [发明专利]一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法-CN201110458250.6有效
  • 苏冠创 - 立新半导体有限公司
  • 2011-12-29 - 2013-07-03 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法,包括以下步骤:首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区,再在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽;并向沟槽顶部的侧壁注入N型掺杂剂,形成N型源区;然后,在外延层表面沉积层间介质,再利用接触孔掩模,对层间介质和外延层表面进行侵蚀形成接触沟槽,并对接触沟槽进行金属插塞填充;最后,在器件的上表面沉积金属层,利用金属掩模进行金属侵蚀,形成金属垫层和连线,采用本制备方法,省略了基区掩模和源区掩模的制备工序,使器件的制造成本得到了较大的降低;同时不会影响器件原有的电气特性,从而增加了器件的性能价格比。
  • 一种制备沟槽半导体功率分立器件方法
  • [发明专利]一种高温实验用的双坩埚实验装置-CN201110079670.3有效
  • 闫柏军;李钒;杜嗣琛 - 北京科技大学
  • 2011-03-31 - 2011-11-23 - B01L3/04
  • 可以克服高温冶金渣/金反应实验中,熔渣和金属液对坩埚的侵蚀问题。利用独特的金属坩埚设计,将其与陶瓷坩埚组合。用陶瓷坩埚盛装金属液,用束腰圆桶形金属坩埚与金属液形成的凸液面将熔渣拢住,确保实验过程中熔渣不侵蚀陶瓷坩埚,也不与束腰圆桶形金属坩埚反应。该上下双坩埚实验装置不影响实验气氛、不受实验气氛的限制,可以在所需要的气氛下进行高温实验。由于解决了反应物对坩埚的侵蚀问题,可以同时研究熔渣和金属液的热力学性质,故得到的热力学数据更为准确、可靠,实验难度和费用也随之会降低。
  • 一种高温实验坩埚装置

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