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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法-CN201910217122.9在审
发明人：王健鹏;吴亚辉;吴文敬;袁亮亮;陆正武;陈薛爱 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于5G通信系统的介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法，该介质滤波器包括：第一介质块、第二介质块、第三介质块、耦合结构和金属层，第一介质块与第三介质块的接触面设置有耦合结构，第二介质块与第三介质块的接触面设置有耦合结构，其中第一介质块、第二介质块、第三介质块和耦合结构一体成型，得到介质块，金属层覆盖在介质块的表面上，其中，介质滤波器的材料至少包括氧化锌、二氧化硅和氧化镁。本申请能够避免第一介质块与第三介质块的连接处或者第二介质块与第三介质块的连接处出现间隙，防止信号泄露，提高介质滤波器的性能。
介质滤波器通信设备制备方法

[发明专利]介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法-CN201910217123.3在审
发明人：袁亮亮;陆正武;陈薛爱;王健鹏;吴亚辉;吴文敬 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于5G通信系统的介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法，该介质滤波器包括：第一介质块、第二介质块、第三介质块、耦合结构和金属层，第一介质块与第三介质块的接触面设置有耦合结构，第二介质块与第三介质块的接触面设置有耦合结构，其中第一介质块、第二介质块、第三介质块和耦合结构一体成型，得到介质块，金属层覆盖在介质块的表面上，其中，介质滤波器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛本申请能够避免第一介质块与第三介质块的连接处或者第二介质块与第三介质块的连接处出现间隙，防止信号泄露，提高介质滤波器的性能。
介质滤波器通信设备制备方法

[发明专利]介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法-CN201910217871.1在审
发明人：袁亮亮;陆正武;陈薛爱;王健鹏;吴亚辉;吴文敬 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于5G通信系统的介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法，该介质滤波器包括：第一介质块、第二介质块、第三介质块、耦合结构和金属层，第一介质块与第三介质块的接触面设置有耦合结构，第二介质块与第三介质块的接触面设置有耦合结构，其中第一介质块、第二介质块、第三介质块和耦合结构一体成型，得到介质块，金属层覆盖在介质块的表面上，其中，介质滤波器的材料至少包括碳酸钙、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛本申请能够避免第一介质块与第三介质块的连接处或者第二介质块与第三介质块的连接处出现间隙，防止信号泄露，提高介质滤波器的性能。
介质滤波器通信设备制备方法

[发明专利]介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法-CN201910217100.2在审
发明人：王健鹏;吴亚辉;吴文敬;袁亮亮;陆正武;陈薛爱 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于5G通信系统的介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法，该介质滤波器包括：第一介质块、第二介质块、第三介质块、耦合结构和金属层，第一介质块与第三介质块的接触面设置有耦合结构，第二介质块与第三介质块的接触面设置有耦合结构，其中第一介质块、第二介质块、第三介质块和耦合结构一体成型，得到介质块，金属层覆盖在介质块的表面上，其中，介质滤波器的材料至少包括氧化镁、氧化钙、二氧化钛和氧化锌本申请能够避免第一介质块与第三介质块的连接处或者第二介质块与第三介质块的连接处出现间隙，防止信号泄露，提高介质滤波器的性能。
介质滤波器通信设备制备方法

[发明专利]一种介质滤波器及通信设备-CN201910209472.0在审
发明人：吴亚晖;王健鹏 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于5G通信系统的介质滤波器及通信设备，该介质滤波器包括：第一介质块、第二介质块、第三介质块、耦合结构和金属层，所述第一介质块与所述第三介质块的接触面设置有所述耦合结构，所述第二介质块与所述第三介质块的接触面设置有所述耦合结构，其中所述第一介质块、所述第二介质块、所述第三介质块和所述耦合结构一体成型，得到介质块，所述金属层覆盖在所述介质块的表面上。本申请能够避免第一介质块与第三介质块的连接处或者第二介质块与第三介质块的连接处出现间隙，防止信号泄露，提高介质滤波器10的性能。
一种介质滤波器通信设备

[发明专利]一种介质滤波器及通信设备-CN201910208732.2在审
发明人：吴亚晖;王健鹏 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于5G通信系统的介质滤波器及通信设备，该介质滤波器包括：第一介质块、第二介质块、第三介质块和金属层，所述第三介质块包括根据所述介质滤波器的预设参数得到的多个标准介质块，所述多个标准介质块合并烧结形成所述第三介质块，所述第三介质块连接在所述第一介质块和所述第二介质块之间，以形成所述介质滤波器的介质块，所述金属层覆盖在所述介质块的表面上。本申请能够根据介质滤波器的参数调整第三介质块的尺寸，提高介质滤波器的应用范围。
一种介质滤波器通信设备

[发明专利]一种双模陶瓷介质滤波器-CN201911422026.4在审
发明人：邵明振;郑亚飞;邓永祥;董中文 -专利权人：无锡惠虹电子有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明提供一种双模陶瓷介质滤波器，包括第一介质块、第二介质块，所述第一介质块、第二介质块为腔体结构，所述第一介质块与第二介质块之间设置有耦合膜片，所述第一介质块与第二介质块固定连接，所述耦合膜片上设置有膜片耦合窗口，所述第一介质块底部设置有第一耦合口，所述第二介质块底部设置有第二耦合口，所述第一介质块顶部设置有第一频率调谐孔，所述第二介质块顶部设置有第二频率调谐孔，所述第一介质块侧面设置有第三频率调谐孔，所述第二介质块与第一介质块第三频率调谐孔的同一侧面设置有第四频率调谐孔
一种双模陶瓷介质滤波器

[实用新型]一种双模陶瓷介质滤波器-CN201922497022.4有效
发明人：邵明振;郑亚飞;邓永祥;董中文 -专利权人：无锡惠虹电子有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双模陶瓷介质滤波器，包括第一介质块、第二介质块，所述第一介质块、第二介质块为腔体结构，所述第一介质块与第二介质块之间设置有耦合膜片，所述第一介质块与第二介质块固定连接，所述耦合膜片上设置有膜片耦合窗口，所述第一介质块底部设置有第一耦合口，所述第二介质块底部设置有第二耦合口，所述第一介质块顶部设置有第一频率调谐孔，所述第二介质块顶部设置有第二频率调谐孔，所述第一介质块侧面设置有第三频率调谐孔，所述第二介质块与第一介质块第三频率调谐孔的同一侧面设置有第四频率调谐孔
一种双模陶瓷介质滤波器

[发明专利]一种滤波器与功分器的集成结构-CN202111179668.3有效
发明人：唐慧;邵成;仝昌武;陈建新;张雪锋;杨汶汶;秦伟 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器与功分器的集成结构，包括第一矩形介质块、第二矩形介质块、中间掏空的基板、功分激励结构和滤波激励结构，第二矩形介质块堆叠在第一矩形介质块上，基板水平设置在第一矩形介质块的上表面上并环绕第二矩形介质块，第二矩形介质块和第一矩形介质块使用相同的材质，第二矩形介质块的横截面略小于第一矩形介质块的横截面以便第二矩形介质块和第一矩形介质块形成一个等效矩形介质块，等效矩形介质块包括相互正交的第一谐振模式和第二谐振模式，滤波激励结构用于激励所述第一谐振模式，所述功分激励结构用于激励所述第二谐振模式；由于滤波器与功分器共用介质谐振器，可以更好地满足现代通信的小型化要求。
一种滤波器功分器集成结构

[发明专利]介质器件的丝网印刷焊接方法及介质器件-CN202011350878.X在审
发明人：黄名政;黄庆焕;徐海新 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明提供一种介质器件的丝网印刷焊接方法，包括有：将上介质块和下介质块的非焊接面分别涂覆第一金属导电浆料并烘干；在上介质块的和下介质块的焊接面上分别丝网印刷第二金属导电浆料，并在上介质块和下介质块的焊接面上分别丝印图案预留出对应的至少一个耦合环为非印刷区；将丝网印刷后的上介质块和下介质块的焊接面贴合，并使得上介质块和下介质块的耦合环相互重叠；将已贴合的上介质块和下介质块进行高温烧渗焊接。相应地，本发明还提供一种通过所述介质器件的丝网印刷焊接方法制成的介质器件。借此，本发明可提高产品性能和可靠性，并且提高了产品的生产效率。
介质器件丝网印刷焊接方法

[实用新型]一种小型化的5G陶瓷滤波器-CN202022195209.1有效
发明人：刘少鹏 -专利权人：东莞市仕研电子通讯有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化的5G陶瓷滤波器，属于滤波器领域，包括底座，底座的上端相远离一部均开凿有两个内螺纹槽，底座的上端固定连接有支撑块，支撑块的上端开凿有第一插槽，支撑块的上端活动插接有第三介质块，第一介质块的上端活动插接有第三介质块，第三介质块的上端活动插接有第二介质块，第二介质块的上端活动插接有第一介质块，第一介质块、第二介质块和第三介质块的形状完全相同，第一介质块的上端开凿有第二插槽，第一介质块的下端固定连接有插块，第三介质块下端的插块活动插接于第一插槽内，第二介质块下端的插块活动插接于第三介质块上端的第二插槽内，本实用新型可以实现低损耗、小型化。
一种小型化陶瓷滤波器

[发明专利]一种单腔多模介质腔体带通滤波器-CN202210665690.7在审
发明人：汪迪继;王世伟;李鸿基;李文奇 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明属于滤波器技术领域，尤其涉及一种单腔多模介质腔体带通滤波器，包括三个介质块、连接三个介质块的两个介质板、以及设置在介质块和介质板的整体表面上的金属涂层，三个介质块包括中间介质块及设于中间介质块两端的两个端部介质块，中间介质块与端部介质块之间通过介质板连接在一起，中间介质块的底部设有两个相同的金属盲孔，两个端部介质块的底部设有两个同轴馈电结构。本发明在三个介质块搭建的架构基础上通过改变介质块尺寸、放置金属盲孔和同轴馈电结构来提高滤波器的选择性、带外抑制性能，并改善滤波器带内性能，因此本介质腔体带通滤波器具有结构简单、易于生产、实用性强、性能突出的优点
一种单腔多模介质带通滤波器

[实用新型]带有金属化矩形柱孔的介质滤波器-CN201620932344.0有效
发明人：朱琦 -专利权人：张家港保税区灿勤科技有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01P1/202 文献下载
摘要：本申请公开了一种带有金属化矩形柱孔的介质滤波器，包括形成于同一基板上的第一介质块和第二介质块，所述第一介质块和第二介质块通过耦合窗口耦合，所述第一介质块和第二介质块均为矩形体，第一介质块表面披银，所述第一介质块的中部开设有矩形柱孔，该矩形柱孔与第一介质块的侧边呈45°夹角，所述矩形柱孔的尺寸为1mm×1.7mm，所述第一介质块的一个侧边连接有RF信号输入端口，所述第二介质块表面披银，该第二介质块的一个侧面连接有RF信号输出端口。本实用新型滤波器不会降低介质谐振器的Q值，体积小，不仅通带回波损耗低，而且带外衰减较大。
带有金属化矩形介质滤波器

[实用新型]一种二阶单腔双模滤波器-CN201620932343.6有效
发明人：朱琦 -专利权人：张家港保税区灿勤科技有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01P1/202 文献下载
摘要：本申请公开了一种二阶单腔双模滤波器，包括形成于同一基板上的第一介质块和第二介质块，所述第一介质块和第二介质块通过耦合窗口耦合，所述第一介质块和第二介质块均为矩形体，第一介质块表面披银，所述第一介质块的一个竖直的棱边形成有正方形的切角，所述第一介质块背离所述切角的一个侧边连接有RF信号输入端口，所述切角的边长为0.47mm，所述第二介质块表面披银，该第二介质块的一个侧面连接有RF信号输出端口。本实用新型滤波器不会降低介质谐振器的Q值，具有简单易行的优点。
一种二阶单腔双模滤波器

[发明专利]基于全介质超表面的高品质因数折射率传感器及其制造方法-CN202010545061.1有效
发明人：杜庆国;刘欣欣;李政颖;梁宵 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全介质超表面的高品质因数折射率传感器，它的全介质超表面单元由第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块组成，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块通过电子束蒸发沉积法沉积在透明玻璃基底上，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块关于全介质超表面单元的中心点呈120°旋转对称，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块的内侧边缘与全介质超表面单元中心点的距离d均相等
基于介质表面品质因数折射率传感器及其制造方法

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