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[发明专利]鳍型反熔丝结构及其制造方法-CN201210183500.4有效
发明人：甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍型反熔丝结构，具有类似多鳍片FinFET的结构，可实现在合理编程电压下的不同鳍片本身和/或栅电极之间的导通，从而可以提供用于进行逻辑操作的更多不同的电阻值，同时可以提高长时间工作状态下的反熔丝可靠性；本发明提供的鳍型反熔丝结构及其制造方法可以满足对高密度、多电阻、低工艺成本的反熔丝结构的需求。
鳍型反熔丝结构及其制造方法

[发明专利]双反熔丝-CN201310285046.8有效
发明人：许有志;尼尔·基斯特勒 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及双反熔丝，根据一个示例性实施方式，双反熔丝结构包括在公共半导体鳍中与第一可编程栅极相邻的第一沟道。双反熔丝结构还包括在公共半导体鳍中与第二可编程栅极相邻的第二沟道。第一反熔丝在第一沟道和第一可编程栅极之间形成。另外，第二反熔丝在第二沟道和第二可编程栅极之间形成。第一可编程栅极可以在公共半导体鳍的第一侧壁上，并且可以包括第一栅极电介质和第一电极。第二可编程栅极可以在公共半导体鳍的第二侧壁上，并且可以包括第二栅极电介质和第二电极。
双反熔丝

[发明专利]一种反熔丝结构及其制造方法-CN201510733668.1在审
发明人：赵劼;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝结构，包括半导体衬底；半导体衬底上的鳍，鳍为下电极；鳍表面上的栅介质层；栅介质层上的栅极，栅极为上电极。本发明采用鳍式结构形成反熔丝，鳍为下电极，鳍上的栅极为上电极，基于鳍的反熔丝结构具有更小的面积和更大的容量，满足器件高集成度的要求，同时，能与鳍式器件的很好的兼容，工艺兼容性好。
一种反熔丝结构及其制造方法

[发明专利]鳍片型反熔丝及其制造方法-CN200510108264.X有效
发明人： E·J·诺瓦克;C·H·兰;M·J·布赖特韦什 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-10-08 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种形成反熔丝的方法，其中形成材料层，然后将材料层构图为鳍片。将鳍片的中心部分转换成基本不导电的区域，并将鳍片的端部转换成导体。将鳍片的中心部分转换成绝缘体的工艺允许在高于预定温度的温度下加热鳍片的工艺，以将绝缘体转换成导体。从而，利用加热工艺可以选择性地将鳍片型结构从绝缘体转换成永久导体。
鳍片型反熔丝及其制造方法

[发明专利]利用非平面拓扑的反熔丝元件-CN201180074588.X有效
发明人： W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴;J-Y·D·叶 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本文公开了用于提供非易失性反熔丝存储器元件和其它反熔丝链路的技术。在一些实施例中，反熔丝存储器元件配置有诸如FinFET拓扑的非平面拓扑。在一些这样的实施例中，鳍状物拓扑可以被操控并且用于通过创建适合于在较低电压非易失性反熔丝存储器元件中使用的增强型发射位置来有效地提升较低击穿电压晶体管。在一个示例实施例中，提供一种半导体反熔丝设备，其包括具有配置有锥形部分的鳍状物的非平面扩散区域、位于包括所述锥形部分的所述鳍状物上的介电隔离层以及位于所述介电隔离层上的栅极材料。所述鳍状物的所述锥形部分可以例如通过氧化、蚀刻和/或烧蚀来形成，并且在一些情况中包括基区和变薄区，并且变薄区比基区薄至少50％。
鳍状物反熔丝存储器非平面拓扑非易失性介电隔离反熔丝变薄基区拓扑蚀刻反熔丝元件发射位置击穿电压扩散区域元件配置栅极材料低电压非平面有效地增强型晶体管操控链路烧蚀半导体配置创建

[发明专利]一种反熔丝结构及其制造方法-CN201510736500.6有效
发明人：赵劼;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝结构，包括：半导体衬底；半导体衬底上的鳍；鳍表面上的栅介质层以及栅极；栅极两侧的鳍上的源漏区；源漏区表面上的反熔丝介质层以及其上的上电极。基于鳍的反熔丝结构具有更小的面积和更大的容量，满足器件高集成度的要求，同时，能与鳍式器件的很好的兼容，工艺兼容性好。
一种反熔丝结构及其制造方法

[发明专利]非挥发性内存及程序化内存数组的方法-CN201710932265.9有效
发明人：吴孟益;陈信铭 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：非挥发性内存具有鱼鳍结构及反熔丝结构。反熔丝结构形成在鱼鳍结构上并有共享栅极、单扩散间断隔离结构、第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。单扩散间断隔离结构隔离第一源极/漏极区与第二源极/漏极区。非挥发性内存的第一鳍式场效晶体管、第二鳍式场效晶体管与第一反熔丝组件构成第一单次可程序化内存胞。非挥发性内存的第三鳍式场效晶体管、第四鳍式场效晶体管与第二反熔丝组件构成第二单次可程序化内存胞。第一单次可程序化内存胞与第二单次可程序化内存胞共享反熔丝结构。
挥发性内存程序化数组方法

[发明专利]具有鳍片基础熔丝的集成电路及相关制造方法-CN201210209628.3有效
发明人： R·曼;K·梅特拉;A·米塔尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及具有鳍片基础熔丝的集成电路及相关制造方法，提供制造具有鳍片基础熔丝的集成电路的方法以及所得到的具有鳍片基础熔丝的集成电路。在所述方法中，从半导体材料层产生鳍片，所述鳍片具有第一端与第二端。所述方法提供在所述鳍片上从第一端至第二端形成传导路径。所述传导路径电连接至编程装置，所述编程装置可选择性导引编程电流通过所述传导路径，造成所述传导路径中结构改变，增加通过所述传导路径的阻抗。
具有基础集成电路相关制造方法

[发明专利]一种反熔丝单元结构及其制备方法-CN201710216348.8在审
发明人：刘佰清;刘国柱;洪根深;郑若成 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝单元结构及其制备方法，该反熔丝单元结构为N+/SiOxNy/METAL(N+扩散区/SiOxNy/Metal)反熔丝单元结构。按照本发明提供的技术方案，N+/ON/M反熔丝单元结构适用于多种材料片，包括SOI圆片、体硅片及外延片。N+/ON/M反熔丝单元结构工艺流程与CMOS工艺流程完全兼容。反熔丝介质层是SiOxNy材料，反熔丝上极板采用金属材料，并采用TiN材料作为阻挡层，有效降低了反熔丝单元的编程电阻。本发明N+/SiOxNy/METAL反熔丝单元结构工艺流程简单，与CMOS工艺兼容，有效地避免NMOS器件“自掺杂”现象的产生，同时直接采用金属作为反熔丝单元结构的上电极，可以有效地降低反熔丝单元的编程电压及导通电阻
一种反熔丝单元结构及其制备方法

[发明专利]可散热的熔丝筒-CN201611212039.5在审
发明人：郑向明;尚立颖;张志刚 -专利权人：仪征市长恒电器有限公司
申请日： 2016-12-25 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01H85/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种可散热的熔丝筒，包括外壳和熔丝管，所述熔丝管的两端伸出外壳，所述熔丝管的上下两个管座分别与外壳固定连接，所述外壳内设置有两个隔板，两个隔板之间形成隔腔，所述熔丝管的管体位于隔热腔内；所述隔腔内设置有换热管组，所述外壳的外壁上设置有一圈散热鳍片，所述散热鳍片经换热管与换热管组连接。熔丝管产生的热量，通过换热管组件以及换热管与外部的散热鳍片进行换热，进行快速的散热，本发明直接对熔丝管进行散热，散热快，保证了熔丝筒和熔丝管的安全性。
散热熔丝筒

[实用新型]可散热的熔丝筒-CN201621429858.0有效
发明人：郑向明;尚立颖;张志刚 -专利权人：仪征市长恒电器有限公司
申请日： 2016-12-25 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01H85/47 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可散热的熔丝筒，包括外壳和熔丝管，所述熔丝管的两端伸出外壳，所述熔丝管的上下两个管座分别与外壳固定连接，所述外壳内设置有两个隔板，两个隔板之间形成隔腔，所述熔丝管的管体位于隔热腔内；所述隔腔内设置有换热管组，所述外壳的外壁上设置有一圈散热鳍片，所述散热鳍片经换热管与换热管组连接。熔丝管产生的热量，通过换热管组件以及换热管与外部的散热鳍片进行换热，进行快速的散热，本实用新型直接对熔丝管进行散热，散热快，保证了熔丝筒和熔丝管的安全性。
散热熔丝筒

[发明专利]可编程半导体器件及其制造和使用方法-CN200610101306.1有效
发明人： J·H·兰基;W·R·通蒂;E·J·诺瓦克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及可编程半导体器件，优选FinFET或三栅极结构，该器件包括第一接触元件，第二接触元件，以及连接在第一和第二接触元件之间的至少一个鳍片形熔丝链接区域。第二接触元件与第一接触元件横向隔开，并且鳍片形熔丝链接区域具有垂直切口部分。流经鳍片形熔丝链接区域的编程电流引起电阻的显著增加或在垂直切口部分中形成中断。可选地，垂直切口部分可以包括介质材料，并且在覆盖垂直切口部分的栅极电极和一个接触元件之间施加的编程电压断开介质材料并且允许电流在栅极电极和鳍片形熔丝链接区域之间流动。
可编程半导体器件及其制造使用方法

[发明专利]半导体鳍上的反熔丝-CN201210058939.4有效
发明人：杨筱岚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：介电材料、导电部件、以及半导体区形成反熔丝。本发明还提供了半导体鳍上的反熔丝。
半导体反熔丝

[发明专利]具有降低的编程电压的鳍片反熔丝-CN201080034271.9有效
发明人： R·A·布斯;程慷果;C·科塔达拉曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：一种方法形成反熔丝结构，其包括设置在衬底上的多个平行的导电鳍片，每个鳍片具有第一端和第二端。第二导体电连接至所述鳍片的第二端。绝缘体覆盖所述鳍片的第一端，以及第一导体设置在所述绝缘体上。所述第一导体与所述鳍片的所述第一端通过所述绝缘体绝缘。所述绝缘体被形成到当在所述第二导体和所述第一导体之间施加预定的电压时足以击穿的厚度，且由此在所述第二导体和第一导体之间通过所述鳍片形成未被阻断的电连接。
具有降低编程电压鳍片反熔丝

[发明专利]一种针对反熔丝FPGA测试烧录系统-CN201510351617.2在审
发明人：华晋书 -专利权人：华晋书
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明属于集成电路领域，涉及一种反熔丝FPGA测试烧录系统，特别的是，该烧录系统并非针对成品反熔丝FPGA进行测试烧录，而是针对反熔丝FPGA未流片前测试，能更早发现反熔丝FPGA电路内部存在的隐患。该测试系统能在后仿结束后能结合将要流片的工艺提供更加精确的FPGA烧录预估，同时该系统可以兼容全系列FPGA，并且该系统能很大程度上提高芯片流片的成功概率。
一种针对反熔丝 fpga 测试系统

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