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[发明专利]碳酸钙颗粒-CN200910166764.7无效
发明人： K·W·朗;J·W·迪布尔;R·莱文;G·B·墨菲 -专利权人：德拉沃有限责任公司
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： A61K9/20 文献下载
摘要：本发明公开了高致密颗粒和制备高致密颗粒的方法。更具体而言，本发明公开了高致密碳酸钙颗粒。所述颗粒包含粉末化材料，如小中值粒径的碳酸钙。
碳酸钙颗粒

[发明专利]碳酸钙颗粒-CN200480028609.4有效
发明人： K·W·朗;J·W·迪布尔;R·莱文;G·B·墨菲 -专利权人：德拉沃有限责任公司
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： G01F11/18 文献下载
摘要：本发明公开了高致密颗粒和制备高致密颗粒的方法。更具体而言，本发明公开了高致密碳酸钙颗粒。所述颗粒包含粉末化材料，如小中值粒径的碳酸钙。
碳酸钙颗粒

[发明专利]一种制备高致密度的HfC制品的方法-CN202110889044.4有效
发明人：杨新宇;王可;张久兴;彭天帅;韩翠柳;罗时峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备高致密度HfC制品的方法，包括步骤：1)将HfC粉末装入石墨模具；对装好HfC粉末的石墨模具进行预压，调整上下压头高度，使HfC粉末位于石墨模具的中心；2)将石墨模具装入SPS炉腔中，将炉腔真空抽到10Pa以下，通入直流脉冲电流，对HfC粉末进行烧结成形；3)烧结结束，随炉冷却，保压降温，待烧结腔温度降至100℃以下，将样品从烧结腔里取出高致密度的HfC制品，所述高致密度的HfC制品的致密度为本发明采用放电等离子烧结技术制备了高致密度的HfC制品，所述方法具有烧结温度低、实现快速致密化、能保持严格的化学计量比且无杂质、致密度高的优点。
一种制备致密 hfc 制品方法

[发明专利]一种利用含钛物质吸氢膨胀促进坯体致密化的方法-CN201811490750.6有效
发明人：周承商;林方睿;刘咏;孙沛;陈奏君 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： B22F3/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用含钛物质吸氢膨胀促进坯体致密化的方法。将含钛物质块体，或填充含钛物质块体与待致密化材料，或含钛物质粉体与待致密化材料紧密配合，然后装入刚性模具，得到预处理组件；往预处理组件中通入氢气，使含钛物质吸氢；利用含钛物质的体积膨胀效应对含钛物质自身和/或待致密化材料进行致密化。本发明提供了一种在中低温度、氢气氛下制备高致密度或全致密坯体的方法。本方法在提高致密度和修复缺陷的同时，同时还可以细化组织，有效提高材料的力学性能。
一种利用物质膨胀促进致密方法

[发明专利]高致密性低温共烧陶瓷封装结构及其陶瓷材料-CN201110105557.8无效
发明人：萧胜彦;魏孝文;陈怡芳;陈靖仪 -专利权人：晶越科技股份有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明是有关于一种用于封装电子元件的高致密性低温共烧陶瓷封装结构及其高致密性低温共烧陶瓷材料。高致密性低温共烧陶瓷封装结构包括：陶瓷基座、银层以及金属盖，其中陶瓷基座由高致密性低温共烧陶瓷材料制作而成，并且陶瓷基座中设有凹部用以放置电子元件，银层设置在陶瓷基座侧壁的顶面上，且在银层的外表面上又镀有金薄膜可用以与金属盖接合本发明可利用印刷方式将银层设置于陶瓷基座侧壁的顶面上，以降低设置银层的难度，进而符合封装结构小型化的趋势。同时本发明还提供了一种高致密性低温共烧陶瓷材料。
致密低温陶瓷封装结构及其陶瓷材料

[发明专利]一种高致密铪碳氧固溶体及其制备方法和一种电解制备金属铪的方法-CN202210175301.2有效
发明人：涂继国;常诚;焦树强 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C25C7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高致密铪碳氧固溶体及其制备方法和一种电解制备金属铪的方法，属于有色金属冶金领域。本发明采用碳源和二氧化铪作为原料，通过压片来提高其致密性，从而在碳热还原过程中形成致密性较好的固溶体，然后通过放电等离子烧结使其进一步致密化，得到高致密铪碳氧固溶体，同时使高致密铪碳氧固溶体具有优异的导电性；在电解制备金属铪时，高致密铪碳氧固溶体作为阳极，阳极上的碳和氧以CO或CO2的形式排出，同时在阴极上获得金属铪；在这个过程中，既没有阳极泥产生，也无漂浮碳产生
一种致密铪碳氧固溶体及其制备方法电解金属

[发明专利]高致密细晶粒陶瓷及其制备方法和应用-CN202011638655.3有效
发明人：任佳乐;旷峰华;张洪波;任瑞康;崔鸽 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明是关于一种高致密细晶粒陶瓷及其制备方法和应用。所述高致密细晶粒陶瓷的制备方法按照以下步骤烧结陶瓷素坯：将所述陶瓷素坯进行n次“升温，保温和降温”，其中，n为大于或者等于2的自然数；所述高致密细晶粒陶瓷的相对密度≥99％，晶粒尺寸≤10μm。所要解决的技术问题是如何制备一种高致密细晶粒的陶瓷，使所述陶瓷的相对密度≥99％，晶粒尺寸≤10μm；同时，所述方法使用现有技术中的设备即可完成陶瓷烧结，无需引入特殊设备，生产成本低，易于大批量生产和工业化推广
致密晶粒陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种高致密SiBCN陶瓷材料及其制备方法-CN202010611802.1有效
发明人：李达鑫;朱启帅;梁斌;贾德昌;杨治华;蔡德龙;段小明;何培刚;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：一种高致密SiBCN陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及SiBCN陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有机械合金化‑热压烧结法制备SiBCN陶瓷材料的密度低，尺寸小，生产效率低的问题。一种高致密SiBCN陶瓷材料由立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉制备而成。方法：称取立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉，并放入球磨罐中球磨，然后热压预烧结，最后封入包套进行热等静压，即完成高致密SiBCN陶瓷材料的制备。本发明用于高致密SiBCN陶瓷材料及其制备。
一种致密 sibcn 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高致密度无机制品及其制备方法和应用-CN201910516292.7有效
发明人：张鹏;徐海军;雷翅;张占松;吴世明;马庆阳;李浩辉 -专利权人：广东原创新材料科技有限公司;广州市建筑科学研究院有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C04B28/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高致密度无机制品及其制备方法和应用，属于建筑工艺制品技术领域。该高致密度无机制品包括无机制品基体和涂敷于所述无机制品基体表面的晶化渗透膜层，所述晶化渗透膜层通过喷涂晶化渗透剂制得；所述晶化渗透剂选自：甲基硅酸钠、二氧化硅、碳酸锂中的至少一种。采用晶化渗透剂喷涂制品表面，通过孔隙从表面渗透至内部，与无机制品基体中的钙离子形成硬化晶体，填充孔隙，堵塞通道，增加致密性和防水性。最终得到的无机制品具有高致密度，高强度且强度发展快的特点，其外观光滑无气孔，内部也无连通孔，具有耐久性好，装饰性好，不易积灰，不泛白和返潮的优点。
致密无机制品及其制备方法应用

[发明专利]高致密化低热膨胀陶瓷制备方法-CN201710152115.6有效
发明人：张丛;曹剑武;燕东明;李志鹏;郭建斌;乔光利;史秀梅;高晓菊;王志伟;林广庆;满蓬;贾书波;王静慧;杨双燕;李康;常永威;曲俊峰;赵斌;李国斌;王成 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C04B35/195 文献下载
摘要：一种高致密化低热膨胀陶瓷制备方法，其特征在于包括如下步骤：①烧结合成堇青石高纯粉；②将堇青石高纯粉、堇青石生料、烧结助剂及分散剂配成原料；③球磨制备浆料、浆料干燥及造粒；④样品成型及烧结处理，即得到最终的高致密化堇青石低热膨胀陶瓷与现有技术相比，本发明的优点在于：制备的低热膨胀陶瓷材料致密性较好，其致密度可达96％，且具备较好的力学性能，整体制备工艺简单，易操作，成本较低，易于实现产业化。
致密低热膨胀陶瓷制备方法

[发明专利]一种高致密抗冲刷陶瓷基复合材料及其制备方法-CN202111175639.X有效
发明人：张宝鹏;刘伟;张昊;霍鹏飞;陈昊然;于新民;刘俊鹏 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种高致密抗冲刷陶瓷基复合材料及其制备方法。所述方法包括：在纤维预制体上形成碳界面层；高温石墨化处理；前期致密化处理；开孔处理；后期致密化处理；对经过致密化处理的复合材料上形成抗冲刷陶瓷涂层。本发明还涉及由所述方法制得的高致密抗冲刷陶瓷基复合材料。本发明通过在基体致密化过程中增加高温开孔处理步骤，然后在致密化基体上涂制超高温陶瓷涂层，从而提升了陶瓷基复合材料的致密度和耐温等级，进而提高了材料的抗冲刷和耐烧蚀性能。
一种致密冲刷陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高致密（LaxCa1‑x）B6多晶阴极材料及其制备方法-CN201510213310.6有效
发明人：周身林;罗小兵;叶子飘;罗回雨;余晓光;胡强林 -专利权人：井冈山大学
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：一种高致密(LaxCa1‑x)B6固溶体多晶阴极材料及其制备方法，属于稀土、碱土硼化物阴极材料技术领域。本发明所提供的方法以LaB6和CaB6粉末为原料，采用球磨、真空热压烧结，最高烧结温度1700‑1900℃，合成(LaxCa1‑x)B6固溶体多晶，其中，0.1≤x≤0.9，该方法将多元稀土、碱土金属硼化物粉末合成和烧结致密化两个过程合二为一，简化制备流程，提高致密度和发射性能，且降低生产成本，适合工业生产和应用。根据本发明提供的制备方法获得的(LaxCa1‑x)B6固溶体多晶阴极材料具有单相、高致密度的特点，可应用于等离子体源、电子束焊机、电子束曝光机、场发射阵列等设备中。
一种致密 la sub ca 多晶阴极材料及其制备方法

[发明专利]高强度高致密性石英坩埚的制备工艺-CN202211286606.7有效
发明人：张国忠;高文送;汪涵;朱海江;李国洪;朱燕亚 -专利权人：无锡市尚领石英科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明公开了高强度高致密性石英坩埚的制备工艺，具体涉及坩埚技术领域。本发明中构强度更高，且自身致密性较佳，可有效避免石英坩埚发生破损；将素坯使用双面顶压机进行高温高压处理，可快速对素坯进行压紧和烧结处理，高压下原子的扩散速率显著降低，使得高温烧结过程中晶粒的异常生长受到抑制，合成压力越大，对晶粒生长的抑制作用越强，所得样品的晶粒尺寸越小，合成压力的升高有利于减少材料的孔洞缺陷，提升复合材料样品的致密度，有效加强石英坩埚的高强度和高致密性；碳化锆作为硼化锆的烧结助剂，可有效加强提高引入碳化锆可以有效地阻碍硼化锆晶粒长大，提高材料的高致密性、力学性能和抗烧蚀性能。
强度致密石英坩埚制备工艺

[发明专利]一种高致密度的Half-Heusler热电材料的制备方法及所得产品-CN202010260075.9有效
发明人：赵德刚;王琳;王建荣;王永鹏;薄琳 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C22C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高致密度的Half‑Heusler热电材料的制备方法及所得产品，该方法通过微波合成—温压成型—微波烧结制备高致密度的Half‑Heusler热电材料，制备周期短，效率高，成分纯净具有单一相所得产品热导率显著降低，热电性能优越，工业化前景良好。
一种致密 half heusler 热电材料制备方法所得产品

[发明专利]提高致密油单井日产量的方法-CN201610767412.7有效
发明人：杨胜来;吴润桐;王朝丽;孟展;韩伟 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： E21B43/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提高致密油单井日产量的方法。本发明的提高致密油单井日产量的方法，包括：通过注水井对致密油储层进行高压脉冲注水，以使致密油储层发生振动；通过油井开采致密油储层中的致密油，开采时长为第一预设时长；在经历所述第一预设时长后，关闭油井。本发明提高致密油单井日产量的方法可以有效提高致密油单井日产量，从而提高开采效率及采收率。
提高致密油单井日产量方法

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