专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]增透薄膜及制备方法-CN202110897009.7在审
  • 刘保磊 - 维达力实业(赤壁)有限公司;万津实业(赤壁)有限公司
  • 2021-08-05 - 2021-12-10 - C23C14/06
  • 本发明公开了一种超增透薄膜及其制备方法。超增透薄膜包括超以及交替层叠设置的低折射率膜折射率膜,低折射率膜的折射率低于折射率膜的折射率,低折射率膜和/或折射率膜上连接有超。超增透薄膜制备方法包括如下步骤:对制备低折射率膜的材料采用磁控溅射成膜,形成低折射率膜;对制备折射率膜的材料采用磁控溅射成膜,形成折射率膜;将制备超的材料采用磁控溅射成膜,形成超增透薄膜具备透过率、纳米硬度15GPa以上,莫式硬度6以上,能够通过2000次循环以上的线性拖磨测试,在400nm~700nm波段范围内的平均透光率均能达到减反射效果。
  • 超硬增透薄膜制备方法
  • [实用新型]一种抗反射透明光学膜-CN201621320719.4有效
  • 耿龙飞;徐金龙;陈庆松 - 张家港康得新光电材料有限公司
  • 2016-12-05 - 2017-06-20 - G02B1/14
  • 本实用新型提供一种抗反射透明光学膜,包括PET基材折射率Primer折射率HR涂层以及低折射率LR涂层,所述折射率Primer设置于PET基材的表面上,所述折射率HR涂层设置于所述折射率Primer的表面上,所述低折射率LR涂层设置于所述折射率HR涂层的表面上,其特征在于,所述折射率HR涂层折射率范围为1.65‑1.77,所述低折射率LR涂层折射率范围为1.33‑1.37,所述折Primer的折射率范围为1.60‑1.65,该抗反射透明光学膜通过折射率的搭配可有效的减轻彩虹纹的同时降低反射率、提高耐磨和环境信赖性。
  • 一种反射透明光学
  • [发明专利]改善掩膜刻蚀后均匀性的方法-CN202210702730.0在审
  • 谢磊;何志斌;夏禹 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-06-21 - 2022-08-30 - H01L21/28
  • 本发明提供一种改善掩膜刻蚀后均匀性的方法,提供衬底,衬底上形成有自下而上依次叠加的第二氧化、栅极、第一至三掩膜;通过光刻和刻蚀打开第三掩膜及其下方的第二、一掩膜,使得部分栅极裸露,之后去除光刻胶及抗反射涂层;以栅极相对于第二、三掩膜选择比,刻蚀裸露的栅极形成凹槽,使得部分第一掩膜上的第三掩膜去除;以栅极相对于第三掩膜的低选择比、第三掩膜相对于第二掩膜选择比,刻蚀第三掩膜、第二掩膜,使得剩余的第三掩膜全部去除。本发明通过改变硬掩膜的结构,并优化栅极刻蚀步骤中的选择比,改善了残留的掩膜的负载差异。
  • 改善硬掩膜刻蚀均匀方法
  • [发明专利]等离子体处理系统中优化基片蚀刻的方法-CN200580008542.2有效
  • 金智洙;比内特·沃尔沙姆;严必明;彼得·K·勒文哈德特 - 朗姆研究公司
  • 2005-03-09 - 2007-07-11 - C23F1/00
  • 该基片具有半导体、置于半导体上的第一阻挡、置于第一阻挡上的低k、置于低k上的第三掩模、置于第三掩模上的第二掩模、以及置于第二掩模上的第一掩模。该方法包括使用第一蚀刻剂和第二蚀刻剂选择性地蚀刻基片,其中第一蚀刻剂对于第一掩模的第一掩模材料、第三掩模的第三掩模材料、以及第一阻挡的第一阻挡材料具有低选择性,而对于第二掩模的第二掩模材料具有选择性;以及第二蚀刻剂对于第一掩模的第一掩模材料、第三掩模的第三掩模材料,以及第一阻挡的第一阻挡材料具有选择性,以及第一蚀刻剂对于第二掩模的第二掩模材料具有低选择性。
  • 等离子体处理系统优化蚀刻方法
  • [实用新型]一种可帮助患者分散体压的医疗床垫-CN202222390765.3有效
  • 邓建伟 - 上海港大家居用品有限公司
  • 2022-09-05 - 2023-04-25 - A61G7/065
  • 本实用新型公开一种可帮助患者分散体压的医疗床垫,包括固定板、弹透气海绵、混合垫层、弹加海绵、导向条和限位杆,本实用新型通过在两个固定板中间分别设置弹加海绵弹透气海绵和混合垫层,混合垫层通过在两个加海绵中间设置记忆海绵,两个加海绵靠近中间记忆海绵的位置开设有异形切割槽,混合垫层位于弹加海绵顶部并位于弹透气海绵底部,让患者在睡眠状态时,被动受压后,再主动回复到中央舒适部位,防止患者进行侧卧。
  • 一种帮助患者散体医疗床垫
  • [实用新型]一种真空绝热板-CN201922113469.7有效
  • 高军 - 中亨新型材料科技有限公司
  • 2019-11-29 - 2020-09-01 - F16L59/02
  • 本实用新型公开了一种真空绝热板,包括芯部真空绝热板和泡聚氨酯,在芯部绝热材料的外侧包覆阻气膜,阻气膜采用铝箔膜或镀铝膜,具有良好的保温隔热性能,起到第一重保护的作用,在阻气膜的外侧再次包覆一泡聚氨酯泡聚氨酯的闭孔率大于95%,且泡聚氨酯的包覆厚度不小于15毫米,起到第二重保护的作用,泡聚氨酯的包覆厚度较厚,避免应用过程中板壁被刺穿,且阻气膜与泡聚氨酯的双重保护设置,能够降低板边缘的热损失,避免热桥的产生,泡聚氨酯的外壁上加工多个等距设置的墙面用固定孔,方便更换,实用性更强。
  • 一种真空绝热
  • [实用新型]一种多重支撑的文胸-CN202120243959.3有效
  • 张豪 - 张豪
  • 2021-01-28 - 2021-09-28 - A41C3/00
  • 一种多重支撑的文胸,包括依次连接的底面料胶支撑、网布支撑弹支撑、表面料,所述的底面料与表面料构成文胸的背带及罩杯,所述的网布支撑包括覆盖在罩杯的外侧及底部的部分,并在两罩杯中间具有一连接部,构成“山”字形状;所述的胶支撑为折线形式的胶条构成,胶条采用沿Z形的走线结构,胶条覆盖位置包括罩杯外侧边、罩杯底部及下扒,并粘结在网布支撑上,弹支撑为框架结构,所述弹支撑的边框形状与底面料与表面料相同本实用新型的多重支撑的文胸采用热压合方法在文胸中设置支撑、网布支撑弹支撑共三支撑,可有效解决文胸外扩的缺陷。
  • 一种多重支撑文胸
  • [发明专利]用于制造半导体装置的方法和掩模-CN202210107373.3在审
  • 金场院 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-01-28 - 2022-07-29 - H01L21/311
  • 本申请涉及用于制造半导体装置的方法和掩模。一种用于制造半导体装置的方法包括:在基板上形成蚀刻目标,其中蚀刻目标包括交替层叠和在交替层叠上的牺牲层叠,并且其中牺牲层叠包括与交替层叠相同的材料;在牺牲层叠上形成掩模图案;使用掩模图案作为蚀刻屏障对蚀刻目标进行蚀刻以形成多个初始纵横比特征,初始纵横比特征贯穿蚀刻目标;以及去除掩模图案和牺牲层叠以形成多个纵横比特征。
  • 用于制造半导体装置方法硬掩模
  • [发明专利]一种加液防蓝光镜片-CN202011128344.2在审
  • 王翔宇 - 视悦光学有限公司
  • 2020-10-21 - 2021-02-05 - G02C7/02
  • 本发明公开了一种加液防蓝光镜片,包括:基层四周设有卡设凹槽,卡设凹槽为半圆形,卡设凹槽两侧设有弯折部,弯折部前侧为锯齿状,基层内设有加液,基层的质量配比:松香酯树脂10份;石油树脂8份,乙氧基二甲基丙烯酸酯80分,添加剂2份;设置于基层外侧的折射;设置于折射外侧的第一加;设置于第一加外侧的防蓝光;设置于防蓝光外侧的第二加;设置于第二加外侧的紫外线吸收;设置于紫外线吸收外侧的第三加;设置于第三加外侧的耐磨防摔;设置于耐磨防摔外侧的第四加;设置于第四加外侧的防水透气层。本发明通过在镜片上设置多重加方式,大大提高了镜片的硬度。
  • 一种加硬液防蓝光镜片
  • [实用新型]一种耐候性折射率树脂镜片基片-CN202223296665.0有效
  • 王翔宇 - 视悦光学有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-06-20 - G02C7/02
  • 本实用新型公开了一种耐候性折射率树脂镜片基片,包括:基片;分别环设于基片周围从上至下的第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽;卡设于第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽的加装饰环;设置于两两加装饰环之间的加强竖条;设置于基片外侧的增透;设置于增透外侧的复合加,复合加包括设置于第一加、第二加和第三加;设置于第一加和第二加之间的第一耐磨;设置于第二加和第三加之间的第二耐磨本实用新型通过加装饰环和加强竖条,既增加了无框镜片的时尚感,又增加了镜片周围的强度,避免其损坏;通过设置多层加和双层耐磨,大大提高了镜片前后表面的强度。
  • 一种高耐候性高折射率树脂镜片
  • [发明专利]一种选择性去除TaN金属栅电极的方法-CN200910307689.1有效
  • 李永亮;徐秋霞 - 中国科学院微电子研究所
  • 2009-09-25 - 2010-02-24 - H01L21/28
  • 本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极的方法,属于集成电路制造技术领域。所述方法包括以下步骤:在半导体衬底上形成K栅介质;在所述K栅介质上形成TaN金属栅电极,并在其上形成非晶硅掩膜;采用干法刻蚀所述非晶硅掩膜形成掩膜的图形;采用湿法腐蚀对未被所述掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极进行选择性腐蚀;采用湿法腐蚀去除所述掩膜的图形。本发明以非晶硅为掩膜,采用湿法腐蚀TaN金属栅电极时,可以实现选择比的TaN金属栅电极的去除;另外,采用湿法腐蚀液去除剩余的非晶硅掩膜时,对TaN金属栅电极K栅介质的选择比很高,不存在兼容性问题
  • 一种选择性去除tan金属电极方法

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