专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]利用热水作为能量来源的温度梯度场发电系统-CN201020189662.5无效
  • 刘宏 - 苏州汉申温差电科技有限公司
  • 2010-05-14 - 2011-01-12 - H02N11/00
  • 本实用新型公开了一种利用热水作为能量来源的温度梯度场发电系统,其包括:蓄电池;高温水箱,所述高温水箱具有热水进口和冷水出口;低温水箱,所述低温水箱具有冷水进口和热水出口;温度场梯度发电芯片组,其由大量热电芯片通过串联、并联组成,所述温度场梯度发电芯片组具有冷端、热端及电流输出端,所述冷端上设有低温导热片,所述低温导热片位于所述低温水箱内,所述热端设有高温导热片,所述高温导热片位于所述高温水箱内,所述电流输出端与所述蓄电池连接通过该温度梯度场发电系统可以有效利用工厂中产生的热废水的热能,使能源得到充分的利用,减少资源的浪费。
  • 利用热水作为能量来源温度梯度发电系统
  • [发明专利]高温梯度隔热材料的制备方法-CN201710166594.7有效
  • 张世超;陈玉峰;孙现凯;孙浩然;张峰;方凯;王广海 - 中国建筑材料科学研究总院
  • 2015-01-15 - 2018-11-02 - B32B9/00
  • 本发明公开了一种超高温梯度隔热材料的制备方法,其中超高温梯度隔热材料包括:超高温隔热材料层;相变吸热隔热材料层,位于超高温隔热材料层的外侧;中温隔热层,位于相变吸热隔热材料层的外侧;低温隔热层,位于中温隔热层的外侧;辐射屏蔽层,分别设于超高温隔热材料层、相变吸热隔热材料层、中温隔热层和低温隔热层相邻两层之间以及设于低温隔热层的外侧;方法包括如下步骤:根据应用环境,利用传热理论确定各隔热材料层的具体材料和厚度;根据确定的材料制备相应厚度的各隔热材料层;将各隔热材料层采用胶黏剂粘合,然后通过压力成形和高温处理复合为一体,得到超高温梯度隔热材料。本发明的超高温梯度隔热材料具有耐超高温的特点。
  • 超高温梯度隔热材料制备方法
  • [发明专利]一种通过设置温度梯度制备自支撑氮化镓体块单晶的方法-CN202210931301.0有效
  • 胡海啸;张保国;邵永亮;吴拥中;郝霄鹏 - 齐鲁工业大学
  • 2022-08-04 - 2023-04-28 - C30B29/16
  • 本发明公开了一种通过设置温度梯度制备自支撑氮化镓体块单晶的方法,将籽晶固定在HVPE生长系统的衬底并置于高温生长区,籽晶与NH3出气口距离为5~20cm,控制籽晶与氨气出气口的温度梯度;升温至所需温度,通入氯化氢与Ga反应生成氯化镓,运输至高温生长区,与氨气反应外延生长GaN,温度梯度为‑2~2℃,反应1~2h后停止通氯化氢,调整温度梯度为‑3~3℃/cm,高温退火,继续通氯化氢,GaN继续外延生长1‑2 h,调整温度梯度为‑3‑3℃/cm,保温1~2h,再次通氯化氢,GaN外延生长2~48h,关闭氯化氢,系统降至室温。本发明通过多温区控温形成不同温度梯度生长的方法,改变高温生长区的温度梯度,改变了生长GaN单晶的表面形貌及晶体质量,节省时间和生产成本,获得了自支撑GaN体块单晶。
  • 一种通过设置温度梯度制备支撑氮化镓体块单晶方法
  • [发明专利]水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法-CN201310009818.5无效
  • 黄小卫;柳祝平 - 元亮科技有限公司
  • 2013-01-11 - 2013-05-01 - C30B11/00
  • 本发明公开了一种水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法,其主要在四周保温筒的左端部及右端部设有左右保温罩,在四周保温筒的内部中心位置设有坩埚,在坩埚托座的底端部固定有坩埚托杆,在左保温罩上设有左生长梯度提供发热体,在右保温罩上设有右生长梯度提供发热体,在四周保温筒的筒侧壁上设有圆筒形高温环境提供发热体,圆筒形高温环境提供发热体套在坩埚的外部,穿过四周保温筒并在圆筒形高温环境提供发热体的筒侧壁上从左向右均匀间隔设置若干个第一热电偶,穿过左保温罩并在左生长梯度提供发热体上中心位置从上而下均匀间隔设置若干个第二热电偶。本发明可对整个水平温度梯度法的温场的轴向和径向温度梯度真正做到实时可控调节,得到高质量的单晶。
  • 水平温度梯度生长尺寸高温晶体装置方法

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