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[发明专利]一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片-CN201711158981.2有效
发明人：翁启伟;宋彬;吕奇孟;汪洋 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域的反射率高于对应实体区的区域的反射率的为高反射区，进而在保证反射电极层兼顾光提取和电流扩散的能力的同时，进一步提高光提取和电流扩散的能力。
一种具有反射导电电极发光二极管芯片

[发明专利]一种波长锁定系统-CN202210103648.6有效
发明人：俞浩;胡欢;王俊;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种波长锁定系统，包括：半导体发光结构；外部反馈结构；选择反射镜，位于所述半导体发光结构至所述外部反馈结构的光路中，所述选择反射镜包括偏振反射区和环绕所述偏振反射区的透射区；所述偏振反射区适于将半导体发光结构发射至所述偏振反射区的光束反射为偏振光并将所述偏振光传输至所述外部反馈结构，所述偏振反射区还适于透过所述半导体发光结构发射至所述偏振反射区的部分光束；所述透射区适于透过所述半导体发光结构发射至所述透射区的光束。所述波长锁定系统兼顾输出功率高、输出光束质量高、温漂小且可靠性高。
一种波长锁定系统

[实用新型]高反压功率晶体管-CN201320510580.X有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：高反压功率晶体管，在长宽为4140μm×4140μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。
高反压功率晶体管

[实用新型]一种高反压双极型功率晶体管-CN201320856157.5有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种高反压双极型功率晶体管，在长宽为4140μm×4140μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。本实用新型的版图，使反射极的宽度增加以达到更大的限流，而且面积利用率极高。
一种高反压双极型功率晶体管

[实用新型]高反压双极型功率晶体管-CN201320511512.5有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：高反压双极型功率晶体管，在长宽为3260μm×3260μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。本实用新型的版图，使反射极的宽度增加以达到更大的限流，而且面积利用率极高。
高反压双极型功率晶体管

[实用新型]双极型功率晶体管-CN201320511511.0有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：双极型功率晶体管，在正方形低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。本实用新型的版图，使反射极的宽度增加以达到更大的限流，而且面积利用率极高。
双极型功率晶体管

[发明专利]具有多层膜结构的DNA芯片-CN200410034658.0无效
发明人：刘在镐;南升浩;崔桓荣;徐五权;李相勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-04-16 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：所述DNA芯片包括：载体；高反射区，其具有比载体高的折射率，并包括依次堆积在载体的预定区域之上的具有相对低折射率的薄膜以及具有相对高折射率的薄膜；低反射区，具有比载体低的反射率，并包括具有相对低的折射率薄膜，其堆积在载体高反射区的周围；至少固定在高反射区的DNA探针。DNA探针和用荧光染料标记的靶DNA之间的杂交反应发生在高反射区。DNA芯片杂交信号的检测灵敏度的增加为杂交信号提供了正确检测。
具有多层膜结构 dna 芯片

[发明专利]基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵-CN03102769.5无效
发明人：陈弘达;吴荣汉;杜云;毛陆虹;唐君;裴为华;梁琨 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-01-17 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵器件，列阵中的每个光调制器/探测器的结构相同，其中包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积；一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上，该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同；正电极制作在高反布拉格反射镜上；负电极制作在布拉格反射镜上，并在多量子阱光吸收区的一侧；三氧化硅绝缘层、淀积在器件表面。
基于激子效应多量子阱光调制器探测器列阵

[发明专利]垂直腔面发射激光器以及垂直腔面发射激光器的制造方法-CN202210648909.2在审
发明人：井上大辅;藤田朗人 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器，其具备第一分布式布拉格反射器、有源层和第二分布式布拉格反射器。第一分布式布拉格反射器、有源层以及第二分布式布拉格反射器沿第一轴的方向依次排列。第二分布式布拉格反射器包含半导体区以及高电阻区。高电阻区具有比半导体区的电阻高的电阻。第一轴通过半导体区。高电阻区包围半导体区。在包含第一轴的截面中，高电阻区具有以高电阻区的内径在第一轴的方向上随着远离有源层而变大的方式在相对于第一轴倾斜的方向上延伸的内缘。
垂直发射激光器以及制造方法

[发明专利]用于防鸟击玻璃的光学结构件、光学系统和光学结构件的应用-CN202180074281.3在审
发明人： T·克罗耶;A·乔治 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学结构件(1)，用于最少化或防止鸟击，所述光学结构件(1)包括载体元件(2)、高反射区(3)和反射区(4)，所述光学结构件的特征在于，所述高反射区(3)的第一双锥反射率与低反射区(4)的第二双锥反射率的双锥反射率差大于等于
用于防鸟击玻璃光学结构件光学系统应用

[发明专利]一种激光器-CN201380002437.2在审
发明人：陈熙;陈波;曾理;高磊 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01S3/082 文献下载
摘要：本发明实施例提供的激光器包括衬底和谐振腔，谐振腔中除了有源增益区、第一相移区、光学分支区、N个反射选模区外，还包括高反射面，其中高反射面的反射率大于N个反射选模区的反射率，从而使得激光从N个反射选模区输出因为激光器中天然包括至少两个的反射选模区，故输出的激光至少包括两束。本发明实施例提供的激光器，一个激光器，即可输出两路甚至多路激光，产生激光的效率高，相应的减少了产生单束激光的平均成本。
一种激光器

[发明专利]一种填补雷达波束遮挡区的方法和装置-CN202110083213.5有效
发明人：胡志群;尹晓燕;郑佳锋;刘黎平;敖振浪 -专利权人：中国气象科学研究院
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01S13/95 文献下载
摘要：一种填补雷达波束遮挡区的方法和装置，其中，方法包括：获取雷达的多层的原始反射率因子值；对多层仰角的原始反射率因子值进行筛选，去除只存在于待填补层的云的原始反射率因子值和只存在于高仰角层的云的原始反射率因子值，得到待填补层的反射率因子值和高仰角层的反射率因子值；基于未遮挡区的反射率因子值和未遮挡区上空的高仰角层的反射率因子值对模型进行训练，得到填补模型；将遮挡区上空的高仰角层的反射率因子值输入填补模型，得到遮挡区的反射率因子值
一种填补雷达波束遮挡方法装置

[实用新型]一种双极型功率晶体管-CN201320510247.9有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种双极型功率晶体管，在长宽为2350μm×2350μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基极金属化电极条和反射极金属化电极条之间通过绝缘槽分割开实用新型的版图，使反射极的宽度增加以达到更大的限流，而且面积利用率极高。
一种双极型功率晶体管

[发明专利]一种LED车灯及其远光模组-CN201910124272.5在审
发明人：王铿;樊露青;严梦 -专利权人：华域视觉科技（上海）有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： F21S41/141 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED车灯及其远光模组，包括LED光源、反射镜和散热器，反射镜的反射面分为第一反射区、第二反射区和第三反射区，第一反射区、第二反射区和第三反射区设置远光配光花纹，第二反射区正对LED光源，第一反射区位于第二反射区的左侧，第三反射区位于第二反射区的右侧；LED光源包括第一LED光源和第二LED光源，第一反射区的反射面焦点位于第一LED光源的中心；第三反射区的反射面焦点位于第二LED光源的中心；第二反射区的反射面焦点位于第一LED光源和第二LED光源的几何中心。本发明可以在低成本情况下实现远光的数值要求以及对应的光型分布，解决现有反射式远光成本高的问题。
反射区远光反射面焦点反射镜模组散热器光型分布几何中心配光花纹数值要求低成本反射面反射式正对

[实用新型]一种LED车灯及其远光模组-CN201920217587.X有效
发明人：王铿;樊露青;严梦 -专利权人：华域视觉科技（上海）有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： F21S41/141 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED车灯及其远光模组，包括LED光源、反射镜和散热器，反射镜的反射面分为第一反射区、第二反射区和第三反射区，第一反射区、第二反射区和第三反射区设置远光配光花纹，第二反射区正对LED光源，第一反射区位于第二反射区的左侧，第三反射区位于第二反射区的右侧；LED光源包括第一LED光源和第二LED光源，第一反射区的反射面焦点位于第一LED光源的中心；第三反射区的反射面焦点位于第二LED光源的中心；第二反射区的反射面焦点位于第一LED光源和第二LED光源的几何中心。本实用新型可以在低成本情况下实现远光的数值要求以及对应的光型分布，解决现有反射式远光成本高的问题。
反射区远光反射面焦点本实用新型反射镜模组散热器光型分布几何中心配光花纹数值要求低成本反射面反射式正对

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