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[实用新型]一种倒插型剪力键结构-CN201821366673.9有效
发明人：王炼;房巍;吴维军 -专利权人：上海友为工程设计有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： E02D27/42 文献下载
摘要：本实用新型公开一种倒插型剪力键结构，包括：承台，所述承台上表面设有一抗剪键孔；基础面钢板以及柱脚底板，其由上而下的设置于所述承台的上表面，且所述基础面钢板和所述柱脚底板通过高强螺栓固定于所述承台上，所述基础面钢板和所述柱脚底板上开设有与所述抗剪键孔对应的穿孔；抗剪键，其嵌入所述抗剪键孔内，且穿过所述基础面钢板以及柱脚底板，所述抗剪键的埋深为所述抗剪键横截面数值的两倍，且所述抗剪键露出所述面层的高度与埋深一致；钢管柱，设于所述柱脚底板上，所述钢管柱内填充补偿收缩混凝土本申请的倒插型剪力键结构可不取消基础面层钢板的设置即可在柱脚上成功设置抗剪键。
抗剪键柱脚底板基础面钢板倒插剪力键钢管柱承台补偿收缩混凝土本实用新型高强螺栓上表面穿孔键孔埋深面层填充一抗柱脚嵌入穿过申请成功

[实用新型]旋挖钻机的机锁杆-CN200620118708.8无效
发明人：黎中银;吴方晓 -专利权人：北京市三一重机有限公司
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： E21B17/00 文献下载
摘要：一种旋挖钻机的机锁杆，包括依次连接的扁头、若干节伸缩杆、机锁杆弹簧和方头，各所述伸缩杆之间通过键连接相套装，在各所述伸缩杆上外键的一侧沿轴向设有若干个外键补板，各所述外键补板的上端面形成轴向受力面，所述轴向受力面上方一段所述外键的侧壁形成旋转受力面，各所述外键补板的上端部设有焊接孔，所述外键补板在所述焊接孔的根部与所述伸缩杆焊接固定，所述旋转受力面处的外键通过若干个塞焊点与所述伸缩杆固定。本实用新型的旋挖钻机的机锁杆，避免了由于焊接产生高温而造成轴向受力面与旋转受力面的外键补板和外键的金属软化，从而大大延长了旋挖钻机机锁杆的使用寿命。
钻机机锁杆

[发明专利]具有空腔结构的树脂模制的封装-CN02119112.3无效
发明人：小路博之 -专利权人：日本电气化合物半导体器件株式会社
申请日： 2002-05-08 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：该封装还包括限定了容纳半导体芯片的空腔空间的盖,并且盖具有与脊状周边部分的衬底键合面键合的盖键合面,盖键合面和衬底键合面比中心部分的上表面高。
具有空腔结构树脂封装

[发明专利]电路壳体-CN201510762549.9有效
发明人： T·鲁贝恩 -专利权人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种电路壳体，其具有带有单片集成的第一电路的第一半导体本体，其中，第一电路包括与键合面连接的第一信号输出端和与键合面连接的第一信号输入端，并且电路壳体还具有带有单片集成的第二电路的第二半导体本体，其中，第二电路包括与键合面连接的第二信号输出端和与键合面连接的第二信号输入端，并且电路壳体也具有带有至少一个键合面的接通元件，并且电路壳体还具有载体元件，其中，第一信号输出端的键合面和第二信号输入端的键合面与接通元件连接
电路壳体键合面第二信号接通元件电路输出端输入端半导体本体单片集成载体元件电连接键合穿过输出

[发明专利]具有阻挡结构的存储器件及其制备方法-CN201911147935.1有效
发明人：王永庆;陈赫;董金文;王博;伍术;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种具有阻挡结构的存储器件及其制备方法，该方法包括：提供第一晶圆及第二晶圆，第一晶圆包括第一晶圆键合面，第一晶圆包含存储单元阵列，存储单元阵列包括至少一个沟道柱，第二晶圆包括第二晶圆键合面，第二晶圆包含外围电路；于第一晶圆中和/或第二晶圆中嵌入氢阻挡层，其中，氢阻挡层形成于靠近第一晶圆键合面和/或靠近第二晶圆键合面；通过第一晶圆键合面及第二晶圆键合面键合第一晶圆及第二晶圆；在氢气氛下进行退火。
具有阻挡结构存储器件及其制备方法

[发明专利]异质结构的制备方法-CN201910129433.X有效
发明人：欧欣;黄凯;赵晓蒙;李文琴;鄢有泉;李忠旭;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，具有离子注入面；自离子注入面进行离子注入，以形成缺陷层；提供第二衬底，具有键合面，将键合面与离子注入面进行键合，得到初始键合结构；基于局部加热的方式对初始键合结构进行加热处理本发明基于局部加热的方式实现最终异质结构的制备，局部加热退火工艺可以降低键合结构中的热应力，提高制备过程中异质键合结构的稳定性，从而降低异质键合结构在退火剥离过程中的整体热应力和翘曲，本发明制备的单晶功能薄膜可以用于制备高性能的声学
结构制备方法

[实用新型]一种网吧发光呼叫开关-CN201520313291.X有效
发明人：余森进 -专利权人：余森进
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： G08B7/06 文献下载
摘要：一种网吧发光呼叫开关，由面壳、功能PCB板、呼叫PCB板、固定螺丝、底壳、导光耳机支架和PMMA装饰面板组成，所述功能PCB板安装在面壳内侧顶部；所述呼叫PCB板安装在功能PCB板的直角内侧；呼叫键通过呼叫键孔安装在呼叫PCB板上，功能组键通过功能键孔安装在功能PCB板上，呼叫键帽套装在呼叫键上，功能键帽安装在功能组键上，所述PMMA装饰面板贴装在面壳的上表面；所述导光耳机支架插接在面壳左端后侧的耳机支架孔内；所述底壳安装扣合在面壳的底部
一种网吧发光呼叫开关

[发明专利]一种混合键合结构及混合键合方法-CN201611265121.4在审
发明人：朱继锋;胡思平;陈俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体混合键合领域，尤其涉及一种混合键合结构及混合键合方法，该混合键合结构包括相对设置的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有第一键合面，第二晶圆具有第二键合面，第一键合面上覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层中设置有多块第一金属垫，第二键合面上覆盖有第二绝缘层，第二绝缘层中设置有多块第二金属垫；第一绝缘层中还设置有第一开关层，第一开关层位于第一金属垫和第一键合面之间，和/或，第二绝缘层中还设置有第二开关层，第二开关层位于第二金属垫和第二键合面之间本发明通过引入开关层提高待键合晶圆表面平整度，不需要引进新的平坦化研磨剂和特种机台即可实现待键合晶圆表面的平整，有利于后续的连线键合。
一种混合结构方法

[发明专利]惯性传感器的封装方法及惯性传感器-CN202210486467.6在审
发明人：安力佳;庄瑞芬;张沛 -专利权人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种惯性传感器的封装方法，包括步骤：破坏MEMS晶圆中第一键合面的第一介质部和盖体晶圆中第二键合面的第二介质部中至少一个的Si‑O键；将所述第一键合面和所述第二键合面对准并贴合吸附在一起，使所述第一介质部与所述第二介质部通过悬挂键实现预键合，以得到预键合晶圆；对所述预键合晶圆进行热处理，以使所述第一介质部和所述第二介质部，以及所述第一键合面中的第一金属部和所述第二键合面中的第二金属部实现永久键合。本发明在保证MEMS结构密封性的同时，实现了键合面之间的电连接，而且简化工艺步骤，兼顾了高效率与高可靠性。本发明还提供了一种惯性传感器。
惯性传感器封装方法

[发明专利]一种晶圆键合方法以及相应的异质衬底制备的方法-CN201811482391.X有效
发明人：耿文平;丑修建;张辽原;侯晓娟;穆继亮;何剑;李雅青 -专利权人：中北大学
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种能在常温下实现不同晶圆材料实现良好键合的晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆具有满足预定条件的第一键合面，第二晶圆具有满足预定条件的第二键合面；步骤2，对第一晶圆以及第二晶圆在常温下进行键合前预处理；步骤3，将经步骤2处理后的第一晶圆的第一键合面与第二晶圆的第二键合面进行键合，其中，步骤2中，键合前预处理包括等离子活化和预定清洗；步骤3中，是在常温条件下，并在真空或保护气氛条件下进行预键合得到预键合体，再将该预键合体，在压力范围为1000N‑12000N以及真空度为9.8×10‑3‑1.1×10‑8Pa的条件下，保持0.5‑20h，完成最终键合。
一种晶圆键合方法以及相应衬底制备

[外观设计]用于真空包装机控制面板设置参数的用户界面-CN202030022517.7有效
发明人：陈一峰;徐建华;周德久 -专利权人：温州市兴业机械设备有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： 15-10 文献下载
摘要：6.图形用户界面的变化状态说明：按"开关"键进入主视图界面；按"设置"键，再按“P1”键会进入变化状态图1界面，可按“增加”或“减少”键来设置真空时间；再按"下页"键会进入变化状态图2界面，可按“增加”或“减少”键来设置充气时间；再按"下页"键会进入变化状态图3界面，可按“增加”或“减少”键来设置封口时间；再按"下页"键会进入变化状态图4界面，可按“增加”或“减少”键来设置冷却时间，设置的数据2秒后会自动保存,完成设置；当设置另个产品工作参数时按"设置"键，再按“P2”键会进入变化状态图5界面，再按综上操作流程完成设置参数，同理设置“P3”、“P4”、“P5”、“P6”一共可同时保存6个参数；当要完成中英文切换时,同时按住“设置”和“P3”键10秒进行切换，切换后进入变化状态图6界面。
用于空包装机控制面板设置参数用户界面

[实用新型]花毂的强化齿轮套筒-CN201620975555.2有效
发明人：陈浚钦;廖永原 -专利权人：富群工业股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B60B27/04 文献下载
摘要：一种花毂的强化齿轮套筒，包含一个套筒座，及三强化传动键，该套筒座包括一个绕一条轴线呈中空筒状且具有一个外周面与一个内周面的套筒周壁、多个绕该轴线间隔形成于该外周面的传动键部、三形成于所述传动键部间且具有一个设置面的定位部，及一个由该设置面延伸至该内周面的穿孔，该设置面为一个平面，所述强化传动键安装于该定位部，每一个强化传动键包括一个位于该定位部外侧的强化传动键部，及一个连接该强化传动键部并紧配合地穿设于该穿孔的定位凸部，每一个强化传动键部具有一个贴合于该设置面且为一个平面的抵靠面，其中，该强化传动键的材质强度大于该套筒座的材质强度。
强化齿轮套筒

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201811353573.7在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器包括：第一晶圆，具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；第二晶圆，具有朝向所述第一键合面设置的第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；导电凸块，位于所述第一键合面与所述第二键合面之间
晶圆键合面三维存储器第二导电层第一导电层导电凸块键合半导体制造技术电连接暴露制造

[实用新型]一种实现非同向面间引线键合的工装夹具及引线键合设备-CN201020535856.6有效
发明人：张海祥 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型提供一种实现非同向面引线键合的工装夹具及引线键合设备，可以解决现有技术存在的只能实现同向面之间的引线键合的问题。一种实现非同向面引线键合的工装夹具，包括支架、横梁和夹头，支架包括底板和固设在底板相对边上的两横梁支撑板，横梁连接于两横梁支撑板，横梁的一端固连有转动手柄，转动手柄的左、右两侧分别设有用于限定其转动角度的定位块利用本实用新型的工装夹具，可通过旋转转动手柄而转动横梁，进而调整待键合电子器件的需键合面，实现非同向面间的引线键合，操作简单、制作方便。
一种实现同向引线工装夹具设备

[实用新型]硅与硅真空键合装置-CN03203520.9无效
发明人：冯勇建;吴青海 -专利权人：厦门大学
申请日： 2003-02-11 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：涉及一种半导体器件或其部件的制造或处理，尤其是一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置。可以实用于硅与硅、硅与玻璃、硅与硅重掺杂P+面、硅与碳化硅、硅与砷化镓材料的预键合，其优点是用于硅与硅真空加力键合工艺时，具有极强的预键合强度，可广泛应用在SOI硅片的生产，微机电(MEMS)器件中硅面与硅面、硅面与氧化层面、硅面与P+掺杂面、硅面与碳化硅面、硅与玻璃材料键合的工艺。其制作成本低，键合成功率高，工艺过程容易成批量生产。
真空装置