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[发明专利]一种导电高分子非线性光学材料及化学掺杂调控导电高分子非线性吸收性能的方法-CN202110973406.8在审
发明人：黄智鹏;孙艳辉;张弛 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G02F1/361 文献下载
摘要：本发明涉及一种导电高分子非线性光学材料及化学掺杂调控导电高分子非线性吸收性能的方法，导电高分子非线性光学材料由导电高分子和强电子供体化学掺杂剂组成；所述的强电子供体化学掺杂剂用于通过化学掺杂改变导电高分子的能带结构，实现导电高分子非线性光学性能的调控。与现有技术相比，本发明通过强电子供体去掺杂化导电高分子，使得导电高分子材料能带结构发生了明显变化，进而影响其非线性光学性能。通过控制伯胺掺杂的量可控制导电高分子的去掺杂化程度，不同程度的去掺杂化导电高分子具有不同的非线性光学性能，这些非线性吸收性能优异的导电高分子非线性光学材料可以适用于不同的应用场景。
一种导电高分子非线性光学材料化学掺杂调控吸收性能方法

[发明专利]非线性光学材料电子束辐照下非线性系数的计算方法-CN200710176881.2无效
发明人：石建平;崔执凤;黄圆;董可秀 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：一种非线性光学材料电子束辐照下非线性系数的计算方法，包含如下步骤：(1)根据实际的高速电子束流辐照条件(射线能量、束流强度和粒子速度)，计算出对应的辐照电场；(2)用量子计算软件Gaussian读入被辐照的非线性材料分子结构，选用计算辐照电场作用下分子体系(或离子基团)加场能量的量子力学方法；(3)依据步骤(2)中选择的量子计算方法计算34种外场情形下分子体系(或离子基团)加场能量差集；(4)计算出二阶非线性系数。该方法充分考虑非线性材料自身特点，采用量子力学手段计算材料的分子体系与电子束辐照所致电场之间的相互作用时的非线性系数，计算精度大大提高，同时可以适时的计算非线性材料在受电子束辐照时的非线性系数，具有很大的灵活性
非线性光学材料电子束辐照系数计算方法

[发明专利]一种键合型聚氨酯非线性光学材料及其制备方法和应用-CN202110738755.1有效
发明人：高丽君;张保丁;崔静;杨皓然;方少明;周立明;李碧宇;弋皓月;宋瑛林;李峰 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C08G18/67 文献下载
摘要：本发明提供一种键合型聚氨酯非线性光学材料及其制备方法和应用，通过将小分子芘基席夫碱衍生物连接到聚氨酯体系中，制备得到的键合型聚氨酯非线性光学材料，使得原本不具有光学非线性的聚氨酯材料相比于小分子芘基席夫碱衍生物可以通过改变加入小分子芘基席夫碱衍生物的含量，来控制其自身的光学非线性大小，已达到调节其光学非线性性质的目的，具有可控的光学非线性响应。本发明键合型聚氨酯非线性光学材料的光学非线性响应速度快，回复时间短，在皮秒时域内不可分辨，可制备成为光限幅和全光开关材料进行应用。
一种键合型聚氨酯非线性光学材料及其制备方法应用

[发明专利]含有非线性光学发色团的聚碳酸酯及其合成方法和应用-CN201210482893.9有效
发明人：邱玲;邓国伟;甄珍;薄淑晖;周婷婷;黄鹤燕;司鹏;彭诚诚 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C08G64/38 文献下载
摘要：本发明涉及含有非线性光学发色团的聚碳酸酯及其合成方法和应用。本发明通过二氯甲酸酯和含有双羟基的非线性光学发色团的共聚，成功的将非线性光学发色团分子引入到了聚碳酸酯的聚合物链段中，同时通过引入双酚单体调节链段中的非线性光学发色团分子的数目，从而有效的制备得到含有一定量非线性光学发色团分子的挂接型聚碳酸酯电光材料本发明的含有非线性光学发色团的聚碳酸酯经有机溶剂溶解涂膜，所制备的极化电光聚合物薄膜的最大电光系数为75pm/V。由于制备得到的电光材料具有较高的玻璃化温度，从而使得非线性光学发色团分子在材料中具备较好的取向稳定性。本发明的含有非线性光学发色团的聚碳酸酯具有以下结构：
含有非线性光学发色团聚碳酸酯及其合成方法应用

[发明专利]一种线性-非线性嵌段聚合物及其制备方法-CN202111528420.3有效
发明人：周德重;孙力涛;李秋霞;李智立;马斌 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C08F293/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种线性‑非线性嵌段聚合物及其制备方法，属于高分子合成领域。本发明公开的一种线性‑非线性嵌段聚合物是由线性聚合物链段和多乙烯基单体聚合的非线性结构构成，是一种全新拓扑结构聚合物。本发明还公开了其制备方法，在多乙烯基单体可控聚合的基础上，在无氧条件下通过使用大分子RAFT试剂调控或者大分子ATRP引发多乙烯基单体聚合一步制备线性‑非线性嵌段聚合物。该方法反应条件相对温和、聚合产物组成、分子量及分子量分布可控、聚合物拓扑结构易于调节，适合于大规模生产和应用，具有重要的应用价值。
一种线性非线性聚合物及其制备方法

[发明专利]一种提高扭曲并苯化合物非线性吸收性能的方法-CN201811622276.8有效
发明人：宋瑛林;韩艳兵;肖金冲;侯红卫;张学如;王玉晓;杨昆;石光 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C07C43/225 文献下载
摘要：一种提高扭曲并苯化合物非线性吸收性能的方法，它属于合成光学非线性材料领域，具体涉及一种提高扭曲并苯化合物非线性吸收性能的方法。本发明的目的是要解决现有无法实现提高扭曲并苯化合物非线性吸收性能的问题。一种提高扭曲并苯化合物非线性吸收性能的方法，所述扭曲并苯化合物为芘基并苯分子；提高芘基并苯分子线性的三个苯环结构的LUMO轨道占有率与HOMO轨道的占有率比值，即LUMO/HOMO的比值。有益效果：通过提高LUMO/HOMO的比值，进而提高芘基并苯分子的双光子吸收截面，实现提高芘基并苯分子非线性吸收性能的目的。本发明主要用于制合成扭曲并苯化合物。
一种提高扭曲化合物非线性吸收性能方法

[发明专利]非线性高分子复合电压敏感材料-CN200310107806.2无效
发明人：侯李明;王军;秦玉廷;杨兆国;黄琼 -专利权人：上海维安热电材料股份有限公司
申请日： 2003-10-01 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： C08L101/12 文献下载
摘要：本发明非线性高分子复合电压敏感材料涉及一种以高分子聚合物复合材料为主要原料的电压敏感材料、电子元器件及其制造方法，尤其是制造聚合物基过压防护元器件的方法。非线性高分子复合电压敏感材料，由表面镀有绝缘薄膜的粉末状导电填料与高分子聚合物基体混合而成，其配方按体积百分比为：高分子聚合物基体材料20％～80％、表面镀有绝缘薄膜的粉末状导电填料20％～80％。用非线性高分子复合电压敏感材料制造的一种聚合物基过压防护元器件，是由非线性高分子复合电压敏感材料芯材和电极基板两部分组成，其中，非线性高分子复合电压敏感材料芯材由表面镀有绝缘薄膜的粉末状导电填料与高分子聚合物基体混合而成
非线性高分子复合电压敏感材料

[发明专利]超支化二阶非线性光学高分子及其制法和用途-CN200510019998.0无效
发明人：李振;朱志超;秦金贵;李宗安;李倩倩 -专利权人：武汉大学
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： C08G16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型超支化二阶非线性光学高分子，具有通式I所表示的结构式，式中R为硝基、砜基或其它吸电子基团，n＝10～120，以合成的二阶非线性光学发色团和三苯胺三醛为原料，反应制得该高分子化合物，本发明的高分子化合物具有良好的二阶非线性光学性能，可以作为二阶非线性光学材料在远程通讯、数据存储、数据转换、相位共轭等方面做出实际应用。
超支化二阶非线性光学高分子及其制法用途

[发明专利]一水合羟基硼酸锶和一水合羟基硼酸锶非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201210367829.6有效
发明人：潘世烈;张方方;张芳袁 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物一水合羟基硼酸锶和一水合羟基硼酸锶非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Sr2[B5O9(OH)]H2O，分子量为408.31222，采用水热法制备，该化合物的非线性光学晶体的分子式为Sr2[B5O9(OH)]H2O，分子量为408.31222，属于三斜晶系，空间群为Pl，采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法即可得到一水合羟基硼酸锶非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的3倍，透光波段190nm至2500nm。该晶体生长过程具有操作简单，成本低，所用的试剂为无机原料，毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。本发明的一水合羟基硼酸锶非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。
水合羟基硼酸非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种持久固定其宏观非中心对称排布的有机非线性光学材料的大面积制备及应用-CN202210418713.4有效
发明人：吴武强;田甜;杨梅芳;方玉旋;张硕 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： D01F9/00 文献下载
摘要：本发明属于光学材料技术领域，涉及非线性有机晶体技术领域，具体涉及一种持久固定其宏观非中心对称排布的有机非线性光学材料的大面积制备及应用。本发明首先采用环状低聚糖化合物包合有机非线性晶体形成主‑客体结构的超分子，然后加入交联剂使超分子包合物交联，再利用静电纺丝技术在高压静电场下以及环状化合物的作用下，持久的固化有机非线性材料的非中心对称排列，进而获得具有非线性活性且高稳定性的大面积纳米纤维。同时，该方法获得非线性纤维材料的尺寸可以根据静电纺丝机接收器的进行调节，且制备工艺简单，成本低廉，且材料非线性性能优异，从而极大拓宽了非线性有机晶体的光学应用，使其还可以应用于生物医疗成像领域。
一种持久固定宏观中心对称排布有机非线性光学材料大面积制备应用

[发明专利]含叠氮基团的有机二阶非线性光学发色团及其合成方法和应用-CN201410148011.4有效
发明人：刘新厚;司鹏;甄珍;薄淑晖;邓国伟;黄鹤燕;彭诚诚;徐化君 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C07D455/04 文献下载
摘要：本发明涉及含叠氮基团的有机二阶非线性光学发色团及其合成方法和应用。本发明通过将叠氮基团引入到有机二阶非线性光学发色团电子给体原料中，制备出具有以下结构的含叠氮基团的有机二阶非线性光学发色团。含叠氮基团的有机二阶非线性光学发色团和含端基炔的聚合物通过Huisgen反应进行后功能化，制备出含有有机二阶非线性光学发色团的挂接型聚合物电光材料，经有机溶剂溶解涂膜后极化，可制备得到电光聚合物薄膜，并且由于有机二阶非线性光学发色团分子与聚合物以化学键形式连接，电光聚合物薄膜中的有机二阶非线性光学发色团分子具有较好的取向稳定性。
含叠氮基团有机非线性光学发色团及其合成方法应用

[发明专利]可控交联网状非线性光学高分子包容复合膜及制法-CN94100506.2无效
发明人：戴道荣;张榕本;刘冬生;谢萍;李泽;叶成 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 1994-01-21 - 公布日： 1999-03-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种交联网络的非线性光学高分子复合膜，它是由交联网络中包容一个功能小分子组成的，通过对予加成产物X3Si-Ar-SiX3和功能小分子进行溶液共混，交联和极化使发色团小分子取向并包容在交联网络结构中，功能小分子的尺寸可通过调节芳桥键Ａｒ的尺寸与交联网络的尺寸相匹配，该非线性光学高分子复合膜具有较高的二阶非线性系数，且膜光滑、透明，有较好的机械强度。
可控交联网状非线性光学高分子包容复合制法

[发明专利]含卟啉结构单元的多孔网状共轭聚合物及其制备方法-CN201610495919.1在审
发明人：李艳伟;段潜;李艳辉;司振君;左青卉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：含卟啉结构单元的多孔网状共轭聚合物及其制备方法属于功能高分子材料技术领域。本发明的目的是要获得一种具有更优异的化学稳定性与耐热性能的非线性光学材料。该多孔网状共轭聚合物是将卟啉结构单元连接到高分子主链骨架上。其制备方法是由羧基卟啉衍生物与带有二氨基和二羟基的小分子通过缩聚反应制备所述聚合物。相对于卟啉小分子，提高了π电子共轭体系单元的含量,作为非线性光学材料，大大增强了材料的宏观非线性系数以及非线性光学性能，具有更优异的化学稳定性与耐热性能。因此,该含卟啉结构单元的多孔网状共轭聚合物作为非线性光学材料将在光电子工业、微电子工业、通信等领域中拥有广泛的应用前景。
卟啉结构单元多孔网状共轭聚合物及其制备方法

[发明专利]化合物四羟基硼酸钡和四羟基硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201110365019.2有效
发明人：潘世烈;王莉;杨云 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物四羟基硼酸钡和四羟基硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为：Ba2[B6O9(OH)4]，分子量为551.57；该晶体分子式为：Ba2[B6O9(OH)4]，属于单斜晶系，空间群为P21，分子量为551.57，采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法即可得到四羟基硼酸钡非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的3倍，透光波段190nm至2500nm。该晶体生长过程具有操作简单，成本低，所用的试剂为无机原料，毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。本发明的四羟基硼酸钡非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。
化合物羟基硼酸非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]含发色团侧基的非线性光学聚氨酯高分子及其制备和应用-CN200510019979.8无效
发明人：李振;李宗安;秦金贵;李倩倩;朱志超 -专利权人：武汉大学
申请日： 2005-12-09 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： C08G18/83 文献下载
摘要：本发明涉及一种含发色团侧基的非线性光学聚氨酯高分子，具有通式I所表示的结构式，式中R¹为卤素、芳香基或其它烷基；R²为硝基、砜基、乙腈基等吸电子基团；n＝10～100，以合成的二阶非线性光学发色团和2，4－二异腈酸酯甲苯为原料反应制得该高分子化合物，本发明的高分子化合物具有良好的二阶非线性光学性能，可以作为二阶非线性光学材料在远程通讯、数据存储、数据转换、相位共轭
含发色团侧基非线性光学聚氨酯高分子及其制备应用

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