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[发明专利]非晶硒的应用-CN201610471732.8有效
发明人：杨国伟;马楚荣;严佳豪 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硒的应用，具体为非晶硒作为光学二次谐波材料的应用。利用飞秒激光液相烧蚀硒固体靶材制备出了不同粒径的非晶硒颗粒，超过300nm的单个非晶硒颗粒具有近红外光学二次谐波产生的功能，直径在200nm左右的非晶硒颗粒二聚体也具有光学二次谐波的功能。本发明首次提出非晶硒具有宽谱光学二次谐波的功能，突破了传统的光学二次谐波材料都是晶体的范畴。本发明制备工艺简单，重复性好，稳定性高，成本低。非晶硒作为一种新型的光学二次谐波材料，可替代传统的材料应用于生物检测、医学诊断、表面探测等领域。
非晶硒应用

[发明专利]一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制作方法-CN201310250773.0无效
发明人：赵会娟;张东升 -专利权人：国电光伏有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制造方法，电池包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上，制作方法包括：晶硅衬底中过饱和的掺入硒元素，形成上表面硅-硒掺杂层；在硅-硒掺杂层上制备正电极；在晶硅背面制备非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上依次制备导电薄膜和金属电极。本发明的优点是电池晶硅上表面掺入过饱和硒元素形成硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率
一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制作方法

[发明专利]一种双源能谱CT高分辨率成像装置及方法-CN202210156230.1在审
发明人：费旋珈;姚毅 -专利权人：苏州雷泰医疗科技有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：CT高分辨率成像装置及方法，双源能谱CT高分辨率成像装置安装于CT滑环旋转支架上，包括：高能成像组件和低能成像组件，高能成像组件和低能成像组件均包括：用于发射X射线的X射线发射装置以及用于采集数字影像的非晶硅探测器和非晶硒探测器本发明使用非晶硅探测器和非晶硒探测器两种探测器，将非晶硅探测器和非晶硒探测器组合成一块更大的探测器，非晶硅探测器和非晶硒探测器独立成像并重建三维数据，其中非晶硒探测器重建的图像空间分辨率更高，非晶硅探测器重建的图像密度分辨率更高
一种双源能谱 ct 高分辨率成像装置方法

[实用新型]硒同素异晶N.P型结构的感光大平板-CN200420081351.1无效
发明人：李金根;许梅华;李阳 -专利权人：李金根;许梅华;李阳
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硒同素异晶N.P型结构的感光大平板，主要是由导电平板组成，其特征在于：导电平板的外层设有晶硒和非晶硒混合膜层(N型)，向内交替设有非晶硒膜层(P型)，晶硒和非晶硒混合膜层(N型)，膜层总层数至少为二层本实用新型结构合理，构思巧妙，制膜成功率高，制得的膜层高质量、高稳定性、高重复性、高电位、高灵敏度，用N.P结构的硒膜可将膜层做得较厚。
素异晶结构感光平板

[实用新型]一种太阳能壁挂式电子相册-CN201520691850.0有效
发明人：汪峰;张正学 -专利权人：江西正能量能源技术有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：其结构包括相册框架，相册框架正面中央设置有LED显示屏，所述的LED显示屏外侧的相册框架内设置有铜铟镓硒非晶硅电池片组，所述的铜铟镓硒非晶硅电池片组由铜铟镓硒非晶硅电池片串接而成，所述的铜铟镓硒非晶硅电池片组电连接设置于所述本实用新型的一种太阳能壁挂式电子相册，其采用体积小、成本低的铜铟镓硒非晶硅电池片组成铜铟镓硒非晶硅电池片组，在不影响显示的前提下，在相册框架内布局最大数量的铜铟镓硒非晶硅电池片，从而获得最大的发电量。
一种太阳能壁挂式电子相册

[实用新型]硒同素异晶P.N型结构的感光大平板-CN200420081350.7无效
发明人：李金根;许梅华;李阳 -专利权人：李金根;许梅华;李阳
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硒同素异晶P.N型结构的感光大平板，主要是由导电平板组成，其特征在于：导电平板的外层设有非晶硒膜层(P型)，向内交替设有晶硒和非晶硒混合膜层(N型)，非晶硒膜层(P型)，膜层总层数至少为二层本实用新型结构合理，构思巧妙，制膜成功率高，制得的膜层高质量、高稳定性、高重复性、高电位、高灵敏度，用P.N型结构的硒膜可将膜层做得较厚。
素异晶结构感光平板

[发明专利]一种电化学制备非晶单质硒薄膜的方法-CN201510873548.1在审
发明人：张骞;李伟;周莹;淡猛;李志光;陈严义;于珊;王芳 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶单质硒薄膜的电化学制备方法，其特征在于：以亚硒酸(H₂SeO₃)为硒源，与柠檬酸水溶液形成含硒电化学沉积液；以导电玻璃为薄膜沉积基底，在上述电化学沉积液中利用电化学方法(恒电位技术)，沉积电位变动范围为-0.5V～-0.8V(相对于饱和甘汞电极)，沉积时间为100～14400s，沉积制备好的非晶单质硒薄膜在去离子水中浸泡数分钟，除去表面的溶液离子，在室温下进行干燥，即可获得非晶单质硒薄膜本发明主要应用于非晶单质硒薄膜的制备。
一种电化学制备单质薄膜方法

[发明专利]非晶薄膜包裹晶体纳米棒结构一体式电极、制备方法及应用-CN202211246603.0在审
发明人：王杨;邓意达;黄忠;郑学荣 -专利权人：海南大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及钼‑硫硒化镍非晶薄膜包裹硫硒化镍晶体纳米棒结构的一体式电极、制备方法及其电解水应用，制备方法如下：称取硒源在水合肼中溶解，进行搅拌；而后加入硫源和氟化铵，并加入无水乙醇和去离子水，进行搅拌；然后加入钼源继续搅拌；最后加入硼氢化钠，低速搅拌；将混合溶液倒入聚四氟乙烯内衬的反应釜中，将表面活化处理好的泡沫镍放入反应釜中，将反应釜放置在烘箱中进行水热，反应结束后急冷，反复清洗样品，而后进行冷冻干燥，得到钼‑硫硒化镍非晶薄膜包裹硫硒化镍晶体纳米棒结构的一体式电极钼‑硫硒化镍非晶薄膜包裹硫硒化镍晶体纳米棒结构是纳米片紧密包裹纳米棒，纳米片为钼掺杂硫硒化镍非晶结构，纳米棒为硫硒化镍晶体结构。
薄膜包裹晶体纳米结构体式电极制备方法应用

[发明专利]一种一定禁带宽度硒化亚锗薄膜的制备方法-CN201810302159.7有效
发明人：胡劲松;薛丁江;刘顺畅 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种一定禁带宽度硒化亚锗薄膜的制备方法。所述硒化亚锗薄膜的禁带宽度为1.14～1.79eV。该方法采用近空间升华法，包括制备非晶硒化亚锗薄膜和非晶硒化亚锗薄膜退火两个步骤。所述硒化亚锗薄膜可用于构建叠层硒化亚锗薄膜太阳能电池，以提高硒化亚锗薄膜太阳能电池的光电转换效率。
一种一定宽度硒化亚锗薄膜制备方法

[实用新型]一种过饱和掺杂高效异质结电池-CN201320364060.2有效
发明人：赵会娟;张东升 -专利权人：国电光伏有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上。本实用新型的优点是电池晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流
一种过饱和掺杂高效异质结电池

[实用新型]基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置-CN201720032718.8有效
发明人：宋彦佑 -专利权人：德润特医疗科技（武汉）有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G01N23/227 文献下载
摘要：一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置，其特征在于包括未镀非晶硒膜的TFT、可控曝光强度脉冲氙灯组件、信号读取电路板和上位机，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件包括灯体，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体通过固定夹具固定在该基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置在TFT镀非晶硒膜之前可模拟镀膜后真实的X射线光电子的情况，对TFT各像素点的一致性和电荷存储能力进行相应的测试。
基于光电效应射线非晶硒 tft 测试装置

[发明专利]一种非晶态硒化钼的制备方法-CN201710918812.8在审
发明人：吴荣;杨茜;刘海洋;范鸿梅 -专利权人：新疆大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种使用低温水热法制备非晶硒化钼的方法，该制备方法包括，以去离子水为溶剂，水合肼为还原剂，亚硒酸钠、七钼酸铵于低温（110℃～140）反应12～17小时，即得到非晶态的硒化钼。本发明方法操作简单，低耗能，低成本，对设备要求低，重复性好，得到的非晶产物分散性较好。
一种晶态硒化钼制备方法

[发明专利]一种薄膜太阳能电池-CN201010236618.X无效
发明人：赵一辉;贺方涓 -专利权人：河南阿格斯新能源有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池，其结构为：衬底层/背电极层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/P+层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/N+层/TCO层。本发明薄膜太阳能电池的非晶硅P-I-N结层厚度设计合理，近红外光谱能量能够被铜铟镓硒P-N结层充分吸收，因此薄膜太阳能电池的功率大大提高。另外，在非晶硅P-I-N结层的P型非晶硅层和N型非晶硅层外分别设置了极薄而重掺杂的P+层和N+层，加强了I型非晶硅层中的电场强度，提高了太阳能电池的功率。
一种薄膜太阳能电池

[发明专利]用于熔融的多层非晶硒传感器的制造方法-CN201780085490.1有效
发明人： J.朔伊尔曼;W.赵 -专利权人：纽约州州立大学研究基金会
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0272 文献下载
摘要：包括非晶硒（a‑Se）的层和至少一个电荷阻挡层的传感器通过在沉积非晶硒之前将电荷阻挡层沉积在基板之上来形成，从而使得电荷阻挡层能够以升高的温度来形成。可以通过在分离的基板之上形成第一和第二非晶硒层，然后以相对低的温度熔融a‑Se层来制造传感器。
用于熔融多层非晶硒传感器制造方法

[发明专利]高效率非晶硅与铜铟镓硒叠构太阳电池技术-CN201110282329.8无效
发明人：郑佳仁;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明主要为先各分别利用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅(a-Si)单结太阳电池，与利用蒸镀法或硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)太阳电池，并经由两片乙烯醋酸乙烯酯(EVA)与一高穿透率(低铁本发明选择的非晶硅(a-Si)和铜铟镓硒(CIGS)材料在光谱的搭配十分优异，非晶硅的吸收光谱范围为可见光，而铜铟镓硒可吸收红外光，因此可大幅增加总体吸收光，增加电流密度，加上可因此而减薄非晶硅顶电池的厚度
高效率非晶硅铜铟镓硒叠构太阳电池技术

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