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[发明专利]原位改性硫酸钡晶须及其制备方法和锂离子电池隔膜-CN202110062119.1有效
发明人：李盛龙;赵国旗;付荣华;彭斌;陈瑶;张金虎 -专利权人：帕特克（武汉）科技有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01M50/403 文献下载
摘要：本发明提出了一种原位改性硫酸钡晶须及其制备方法和锂离子电池隔膜，所述改性硫酸钡晶须的制备方法包括，向硫化钡溶液中加入乙醇和改性剂升温搅拌得到硫化钡混合液，然后向硫化钡混合液中加入晶型控制剂，保温搅拌得到前驱体溶液，向前驱体溶液中滴加硫酸钠溶液，控制滴加的搅拌速度，过滤、水洗、调整pH值、干燥得到原位改性硫酸钡晶须，通过将含有原位改性硫酸钡晶须的浆液涂覆在基膜表面，干燥后得到锂离子电池隔膜，采用本发明方法制备得到的硫酸钡晶须能够改善电池隔膜表面的孔隙率和平均孔径，同时所得隔膜的润湿效果更好，在高温条件下具有更好的稳定性，通过硫酸钡晶须代替α氧化铝也可以降低隔膜制造成本。
原位改性硫酸钡及其制备方法锂离子电池隔膜

[发明专利]硼酸铝晶须增强稀土镁合金复合材料及其制备方法-CN202011195718.2有效
发明人：吴玉娟;常治宇;彭立明;刘保良;兰乔;宿宁;邓庆琛;薛晓瑜;武千叶;薛艳婷;丁文江 -专利权人：上海交通大学;上海轻合金精密成型国家工程研究中心有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C22C47/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼酸铝晶须增强稀土镁合金复合材料及其制备方法，所述方法包含：A、将制备稀土镁合金采用的金属或中间合金原料在保护气氛下加热熔化、精炼，制备镁稀土合金熔体，并保温；B、将硼酸铝晶须预制件与金属垫块预热并保温；C、将硼酸铝晶须预制件和金属垫块一起放入预热后的金属模具中；D、将步骤A得到的镁合金液浇注到装有晶须预制件和金属垫块的金属模具中，并在0.1‑150MPa压力下浸渗成形。本发明通过控制镁合金液成分与浇注温度、晶须预制件预热温度、模具预热温度、挤压压力等调控硼酸铝晶须增强稀土镁合金复合材料的组织与性能，首次制备出兼具高强度和高弹性模量的硼酸铝晶须增强稀土镁合金复合材料。
硼酸铝晶须增强稀土镁合金复合材料及其制备方法

[发明专利]一种基于微机电传感器融合的集成式状态监测边缘计算器-CN202011446148.X有效
发明人：巩书凯;杨斯雅;巴军;邓飞 -专利权人：重庆忽米网络科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微机电传感器融合的集成式状态监测边缘计算器，其通过把信号采集电路、计算处理电路分别集成在不同的多通道信号采集电子晶圆和计算处理电子晶圆上，把多通道信号采集电子晶圆设计布置在计算处理电子晶圆上，把多个微机电传感元件布置在多通道信号采集电子晶圆上，实现了传感元件、采集电路、计算处理电路结构的紧凑性集成布局设计，有利于状态监测边缘计算器产品的小型化；同时，还可以进一步的通过对多通道信号采集电子晶圆、计算处理电子晶圆的结构优化设计，减少信号互扰问题，提升集成式状态监测边缘计算器产品的工作稳定性。
一种基于微机传感器融合集成状态监测边缘计算器

[发明专利]一种层状纳米异构铝镁合金块体材料制备方法-CN201910765796.2有效
发明人：曹阳;浦杰;赵永好;聂金凤;周浩;李玉胜;李建生 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C22C21/06 文献下载
摘要：本申请利用高压扭转严重塑性变形方法，将熔炼浇铸后的金属块先均匀化处理，再进行热变形处理以消除铸造缺陷，然后固溶淬火消除析出的第二相后的粗晶铝镁合金片制备成平均晶粒尺寸在80nm左右的纳米晶材料，再利用脉冲激光纳米晶基体薄片材料进行表面热加工，生成粗晶+纳米晶层状分布的薄片材料，再利用累积叠轧工艺将多片叠合的薄片材料轧制成具有层状结构的块体材料。本发明将高压扭转、激光表面热加工和累积叠轧结合起来，制备出微米晶/纳米晶层状分布的块体材料，克服了高压扭转只能制备既小又薄的样品，以及累积叠轧只能制备薄片材料的缺点。
一种层状纳米异构铝镁合金块体材料制备方法

[发明专利]对准标记及晶圆分片方法-CN202111066009.9有效
发明人：周宏玉;龙春艳 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种对准标记及晶圆分片方法，其中，所述对准标记包括对位标记和切割标记，所述对位标记和所述切割标记均位于一晶圆的切割道区域内，且所述切割标记沿所述切割道区域内每条切割道的延伸方向贯穿所述切割道；所述对准标记在所述晶圆的金属层的图形化工艺中形成；所述晶圆分片方法沿所述切割标记切割所述晶圆，得到若干个芯片。本发明在金属层的图形化工艺中形成的对准标记包括沿切割道的延伸方向贯穿的切割标记，以作为晶圆分片过程中的切割切口，减少甚至避免了晶圆分片过程中金属层被切割时，卷边或部分脱离产生的金属碎屑影响芯片性能，同时
对准标记分片方法

[发明专利]一种晶圆便捷升降夹紧的化学气相沉积设备-CN202110985086.8有效
发明人：封拥军;赵美英;崔世甲;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆便捷升降夹紧的化学气相沉积设备，包括腔体、基座、夹紧结构、升降带动结构及升降驱动装置。本发明采用边缘挤压夹紧方式实现晶圆固定，夹紧力度可通过调节升降带动结构的重量进行精确控制，可避免出现夹持过松或过紧导致的滑片或变形问题。升降带动结构具有小巧、微动和可脱离的特点，可方便快捷实现晶圆与基座面板保持同步旋转，并且在旋转过程中不干涉升降驱动装置和其他周围零部件，从而提高了晶圆出入腔体的位置精度，为后道工艺提供良好的位置条件。此外，夹紧结构可与晶圆升降装置采用一体化结构设计，在完成升降晶圆的同时配合完成晶圆的不同夹持状态，不仅节约时间，还使得设备的结构简单化，有利于降低设备整体功耗。
一种便捷升降夹紧化学沉积设备

[发明专利]一种共晶贴装设备-CN202111492395.8有效
发明人：邓燕;张延忠;赵永先 -专利权人：泰姆瑞（北京）精密技术有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种共晶贴装设备，包括机架平台、供料平台，包括第一贴装头，所述第一贴装头可相对所述机架平台做X向和Z向运动，所述第一贴装头用于拾取元件，并贴装元件；第二贴装头，所述第二贴装头可相对所述机架平台做X向和Z向运动，所述第二贴装头用于从所述供料平台拾取元件，并将元件进行运送；调整平台，所述调整平台可相对所述机架平台做X向和Y向运动，并可做旋转运动，所述第一贴装头由所述调整平台上拾取元件进行贴装；共晶平台，所述共晶平台可相对所述机架平台做Y向运动，并可做旋转运动，所述共晶平台用于元件贴装和共晶焊接。本发明能够实现贴装和共晶，有效保证共晶质量，提高作业效率。
一种共晶贴装设

[发明专利]一种丙胺卡因晶型及制备方法-CN202111502346.8有效
发明人：薛富民;刘彬彬;张鹏;高长彬;王荣坤;刘凤祥;王培凤 -专利权人：山东诚创蓝海医药科技有限公司;山东省分析测试中心
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C07C237/04 文献下载
摘要：本申请属于医药化工领域，具体涉及了一种丙胺卡因晶型及其制备方法。本申请提供的一种丙胺卡因晶型，使用Cu‑Kα辐射，以2Theta角度表示的X射线粉末衍射图谱中，至少具有以下位置处的主要特征吸收峰：7.11±0.2°、10.06±0.2°、14.04±0.2°、14.25本申请使用正己烷和正庚烷中的一种或两种作为溶剂对丙胺卡因粗品进行溶解，然后0‑5℃进行析晶，获得了得到纯度达到99.8%以上、单杂小于0.1%的丙胺卡因晶型，丙胺卡因晶型收率达到85%。本申请制备的丙胺卡因晶型，其具有较好的稳定性和较高的纯度，适合新药开发和工业化生产。本申请提供的丙胺卡因晶型的制备方法，工艺路线简单、成本低廉，适宜工业化生产。
一种丙胺卡制备方法

[发明专利]一种晶圆等离子切割保护液及其制备方法与用途-CN202110704136.0有效
发明人：侯军;贺剑锋 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C09D133/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆等离子切割保护液及其制备方法与用途。本发明晶圆等离子切割保护液包括重量配比如下的各组分：水溶性树脂5‑40份；润湿剂0.1‑2份；消泡剂0.1‑2份；自由基捕捉剂0.1‑2份；有机溶剂5‑20份；水34‑89.7份。本发明晶圆等离子切割保护液能够在晶圆表面快速成膜，具有良好的耐热性和可移除性。在晶圆加工时采用本发明保护液，能够有效避免冷凝后的硅蒸气或其他在加工过程中产生的碎屑沉积在芯片表面；同时本发明晶圆等离子切割保护液具有较高的热稳定性，能够避免由于激光切割的热效应或在较高工作温度下进行等离子切割时，保护膜分解导致晶圆表面直接暴露在外部环境下，有效提高产品的可靠性和良率。
一种等离子切割保护及其制备方法用途

[发明专利]一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构-CN202010558387.8有效
发明人：寿春晖;闫宝杰;曾俞衡;盛江;叶继春;丁莞尔;郑晶茗 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构，包括：底电池和钙钛矿顶电池；所述底电池为晶硅类‑PERC底电池或晶硅类‑PERT底电池；所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿电池载流子传输层A、钙钛矿吸收层、钙钛矿电池载流子传输层本发明的有益效果是：这种钙钛矿/晶硅类‑PREC或钙钛矿/晶硅类‑PERT可以利用目前晶硅PREC或PERT太阳电池的生产线，只需做少量的改进，即可制备出良好的底电池，提高太阳电池效率，降低钙钛矿/晶硅叠层电池的生产成本
一种钙钛矿晶硅叠层太阳电池结构

[发明专利]大尺寸晶圆兆声清洗系统-CN202210024372.2有效
发明人：咸威;咸寿荣 -专利权人：北京东方金荣超声电器有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体清洗技术领域，提供一种大尺寸晶圆兆声清洗系统，包括：座体；转动座，可转动地设置于座体；振荡器，与转动座连接；第一驱动机构，用于驱动转动座转动；换能装置，用于进行声电转换，并与振荡器连接；第二驱动机构，用于与晶圆的第一端面连接并驱动晶圆转动，第二驱动机构与振荡器相对设置，以使晶圆的第二端面朝向振荡器并与换能装置的运行轨迹相对；液体输送机构，设有排液口，排液口朝向振荡器；控制组件，与换能装置连接并用于控制换能装置发射的声能大小，以使晶圆受到均匀的声波能量。通过旋转移动的方式扫描晶圆，换能装置的尺寸不再需要跟晶圆的尺寸相匹配，可降低压电陶瓷片的制造难度。
尺寸晶圆兆声清洗系统

[发明专利]一种大屏拼接同步方法及系统-CN202010437111.4有效
发明人：袁永平;杨顶东;朱龙龙;李金凯;刘加洋 -专利权人：上海大因多媒体技术有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H04N21/41 文献下载
摘要：所述方法包括：修改至少两个解码器板卡结构，对应安装在至少两个屏幕内部；设置一个解码器为主节点，通过主节点获取所有解码器的晶振时间；设置所有晶振的时间标签，使每一晶振的时间标签对应一帧画面；通过主节点校对所有晶振的时间标签，每一个解码器缓存至少一帧画面；以主节点为初始时间坐标，发送主节点的晶振时间至其他解码器晶振；根据初始时间坐标，同步播放各个晶振的时间标签所对应的画面。
一种拼接同步方法系统

[发明专利]晶圆切割晶片数计算方法及计算设备-CN201910836284.0有效
发明人：萧礼明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06T7/11 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆切割晶片数计算方法及其计算设备，该计算方法包括：建立二维坐标系，确定晶片分布阵列；任定定点晶片，按较大的第一步进值在定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并取有效晶片数最大的晶圆中心作为可行位置；通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域；按较小的第二步进值在可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数，以最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。
切割晶片计算方法计算设备

[发明专利]一种晶圆水平电镀装置及阴极电镀液的喷流方法-CN202110021822.8有效
发明人：何志刚;余丞宏 -专利权人：上海戴丰科技有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆水平电镀装置及阴极电镀液的喷流方法，晶圆水平电镀装置包括晶圆载具、电镀液池和至少1组阴极电镀液喷头组合，电镀液池包括阳极电镀液池体和阴极电镀液池体，在阴极电镀液池体和阳极电镀液池体之间设置离子膜通过阴极电镀液喷头产生平行于晶圆表面的流体，从而将积存在晶圆待电镀结构层内的气泡顺着流体而排出，防止电镀空穴产生；电镀时，两个相对设置的阴极电镀液喷头分别对应于晶圆外圆周下方的两侧，所有的阴极电镀液喷头轮流喷液，进而产生不同方向的液流，防止单一液流方向造成的镀层厚度不均匀，确保晶圆镀层均一稳定。
一种水平电镀装置阴极喷流方法

[发明专利]一种晶振频偏确定方法、装置及通信系统-CN202110245853.1有效
发明人：李立华;周文慧 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H04W56/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种晶振频偏确定方法、装置及通信系统，卫星向终端发送携带有第一同步序列的同步信号块。卫星基于载波频偏和卫星的接收频率，计算终端的晶振频偏；向信关站发送晶振频偏。信关站向卫星发送携带有晶振频偏的随机接入响应信号。卫星向终端转发随机接入响应信号。终端获取随机接入响应信号携带的晶振频偏。基于上述处理，不需要温度传感器，也可以确定出晶振频偏，进而，终端可以基于晶振频偏进行频偏预补偿，可以提高终端频偏预补偿的准确性。
一种晶振频偏确定方法装置通信系统