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[发明专利]应用非易失性铁电存储器的交错控制装置-CN03125562.0无效
发明人：姜熙福 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了应用非易失性铁电存储器的交错控制装置。更具体地说，公开了一种应用非易失性铁电寄存器的存储器交错结构，所述非易失性铁电寄存器配置用于独立控制存储体的交错。在本发明的一个实施例中，通过应用单非易失性铁电存储器芯片，多存储体非易失性铁电存储器芯片或者多存储体交错非易失性铁电存储器芯片，可以独立控制每一存储体的交错部分。
应用非易失性铁电存储器交错控制装置

[发明专利]基于一对多页面映射的非易失内存数据一致性更新方法-CN202010020369.4有效
发明人：卢凯;张文喆;迟万庆;王睿伯;张伟;董勇;周恩强;谢旻;高颖慧;吴振伟 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于一对多页面映射的非易失内存数据一致性更新方法，目的是解决双倍非易失内存写操作开销。技术方案是构建由动态非易失内存分配模块、更新周期管理模块、访存监控模块、非易失数据版本管理模块组成的非易失内存一致性更新系统，为用户应用程序提供动态非易失内存分配/释放接口，为每个非易失内存对象维护1个DRAM缓存和2个非易失备份。非易失数据版本管理模块将DRAM缓存的内容一致性地写入到与DRAM缓存页面对应的非易失备份页面，一致性更新过程中仅针对非易失内存对象的一个非易失备份进行更新操作，而另一个非易失备份作为故障时的一致性数据备份采用本发明对非易失内存进行一致性更新操作只引入了对非易失内存的单次写入。
基于一对页面映射非易失内存数据一致性更新方法

[实用新型]一种容错固态非易失存储设备及多通道容错存储设备-CN201120102042.8有效
发明人：顾良清;夏峰 -专利权人：苏州市易德龙电器有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G06F11/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种容错固态非易失存储设备，包括：接口控制器、闪存控制器、固态非易失性存储芯片阵列和电路板，所述容错固态非易失存储设备，还包括至少一片备用固态非易失性存储芯片；所述备用固态非易失性存储芯片位于所述电路板上本实用新型提供的容错固态非易失存储设备通过设置备用非易失性存储芯片，可以实现降低设备生产测试费用，又能保证设备的良率，同时又可以实现延长存储设备使用寿命的目的，可以使得固态非易失存储设备实现广泛应用。本实用新型还提供了一种多通道容错固态非易失性存储设备。
一种容错固态非易失存储设备通道

[发明专利]非易失性内存系统的初始化方法-CN201210244280.1无效
发明人：詹立翔;廖国宏 -专利权人：擎泰科技股份有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：一种非易失性内存系统的初始化方法。根据一公式，写入多份的系统数据至非易失性内存。根据公式及选择的数据存取模式，在非易失性内存中搜索系统数据。当搜索的系统数据已从非易失性内存成功读取，则使用系统数据以设定非易失性内存的至少一操作参数。
非易失性内存系统初始化方法

[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置-CN201810664019.4有效
发明人：马思博;李杨;舒清明 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：接收对所述非易失存储器的操作指令；根据所述操作指令，同时开启所述多个存储板plane对应的控制开关。本发明实施例在多plane非易失存储器工作时，同时开启该多plane非易失存储器中全部plane对应的控制开关；则单plane操作时字线WL引入的负载要与多plane操作时的负载相同，在进行单plane操作时建立字线WL电压的速度，与进行双plane操作时建立字线WL电压的速度也相同，保证了多plane非易失存储器工作时的统一性。
一种非易失存储器处理方法装置

[发明专利]测试内嵌多块非易失存储器的系统整合芯片的方法-CN200510111174.6无效
发明人：曾志敏;桑浚之 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试内嵌多块非易失存储器的系统整合芯片的方法，使用一套测试接口，在系统整合芯片中内置多块非易失存储器分时复用测试管脚模式和多块非易失存储器擦/写同时操作模式，通过模式选择，同时进行对多块非易失存储器的擦/写操作，分时进行对多块非易失存储器的读操作。本发明提供的方法可大大节省内嵌多块非易失存储器的系统整合芯片的测试时间和测试成本。
测试内嵌多块非易失存储器系统整合芯片方法

[发明专利]一种数据存储方法、SSD控制器、SSD及电子设备-CN202210202041.3在审
发明人：欧兆熊;徐达人 -专利权人：阿里巴巴（中国）有限公司;阿里云计算有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种数据存储方法、SSD控制器、SSD及电子设备，其中方法包括：将所述数据流缓存到SSD的非易失性缓存；其中，所述非易失性缓存为SSD的闪存颗粒的前置缓存，并且所述非易失性缓存的数据读写延时介于SSD中的易失性缓存和闪存颗粒之间；若所述非易失性缓存中缓存的数据流达到预设的写入条件，将达到所述写入条件的数据流，写入到所述闪存颗粒。本申请实施例可以降低多流技术下数据流传输数量的限制，提升SSD支持的多流数量，从而提升SSD的数据存储性能。
一种数据存储方法 ssd 控制器电子设备

[发明专利]增强型多电平存储器-CN201110136221.8有效
发明人：马尔科·马卡罗内;吉多·洛马齐;伊拉里亚·莫塔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本申请案涉及增强型多电平存储器。本文中所揭示的标的物涉及半导体存储器，且更特定来说，涉及多电平非易失性或易失性存储器。
增强电平存储器

[发明专利]非易失性数据备份和恢复方法-CN201310039982.0有效
发明人：林志;于斌;苏长宇 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性数据备份和恢复方法,用于通讯芯片的非易失性数据处理，所述方法包括：A．在移动终端内根据非易失性数据列表建立非易失性数据备份分区；B．将初始非易失性数据及程序以固件形式写入所述非易失性数据备份分区；C.首次开机，进行初始化校准，实现所述非易失性数据的更新备份；D.后续每次开机，将所述非易失性数据备份分区中的所述非易失性数据写入通讯芯片自身非易失性数据分区。
非易失性数据备份恢复方法

[发明专利]多层控制多闪存装置、存储装置和数据分割固态硬盘-CN200910165874.1有效
发明人：李中和;俞一康;马志刚;周圭璋 -专利权人：晶天电子（深圳）有限公司
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明适用于存储领域，提供了多层控制多闪存装置、存储装置和数据分割固态硬盘，多层控制多闪存装置包括智能存储开关和多个单芯片闪存装置，智能存储开关包括上游接口，执行第一层映射的智能存储事务管理器，在智能存储事务管理器和逻辑块地址总线之间的虚拟存储桥；多个单芯片闪存装置包含指定单芯片闪存装置，每个装置包括：耦合到逻辑块地址总线的非易失性内存控制器；在非易失性内存控制器中的第二层映射器；以及耦合到非易失性内存控制器的非易失性内存块。本发明可以将多个带有单芯片闪存装置的通道聚合为一个逻辑驱动器，并将主机数据平均分配到多个单芯片闪存装置的多个非易失性内存块，从而延长了基于闪存的固态硬盘的寿命。
多层控制闪存装置存储数据分割固态硬盘

[发明专利]具有金属电容器的非易失性存储单元及电子系统-CN200710148848.9有效
发明人：安德鲁·陈;比布赫达塔·萨胡;阿里·安瓦 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种置于半导体芯片中的存储单元，包括非易失性存储晶体管、控制栅和浮栅。所述控制栅通过金属电容器与非易失性存储晶体管上的浮栅电容性连接。一个实施例中，所述金属电容器是多齿的梳状。一个实施例中，所述非易失性存储晶体管是NMOS非易失性存储晶体管。本发明还涉及一种电子系统。
具有金属电容器非易失性存储单元电子系统

[发明专利]一种可实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法-CN201510013300.8有效
发明人：苏桦;沈洁;唐晓莉;荆玉兰;李元勋;钟智勇;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L41/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种多铁异质结及基于该多铁异质结实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法，属于电子材料技术领域。本发明多铁异质结采用廉价的含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷作为压电基片，在其一面涂覆银胶作为电极，另一面抛光后镀或者粘接具有磁致伸缩特性的磁性薄膜，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT通过对该多铁异质结施加特定的电压脉冲，在去掉外加电压后，可在磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态，达到了稳定的非易失性磁矩调控效果。该调控方法操作简便，易实现，调控效果良好，在非易失性电场脉冲调制磁性器件领域有广泛的应用空间。
一种实现磁性薄膜磁矩非易失性取向调制方法

[发明专利]非易失性存储门及其动作方法、及非易失性存储门装入型逻辑电路及其动作方法-CN200980107095.4有效
发明人：木村启明;渊上贵昭;藤森敬和 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储门装入型逻辑电路，其装入电源断开后也可以保持数据的非易失性存储门，当进入待机状态时，可以同时断开电源。非易失性存储门装入型逻辑电路(10)具备具有逻辑门(16)的逻辑运算部(14)和非易失性存储门(12)，所述非易失性存储门(12)具有：非易失性存储部(18)；数据接口控制部(22)，其邻接于非易失性存储部(18)而配置，接收用于向非易失性存储部(18)的数据写入及从非易失性存储部(18)的数据读取的非易失性存储控制信号(NVCTL)；易失性存储部(24)，其邻接于非易失性存储部(18)而配置，接收数据输入信号
非易失性存储及其动作方法装入逻辑电路

[发明专利]模块化非易失性闪存刀片-CN201610097377.2有效
发明人：平展;哈利·柔格斯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：提供一种模块化非易失性闪存刀片。本发明构思的实施例包括具有高密度模块化非易失性闪存刀片和关联的多卡模块的开放云服务器(OCS)兼容的服务器和其它企业服务器。模块化非易失性闪存刀片可被置于IU托盘内。闪存刀片可包括：服务器主板和多个非易失性闪存刀片多卡模块。每个多卡模块可包括：印刷电路板；开关，连接到印刷电路板；模块电源端口；输入/输出端口；扩展卡插槽，用于容纳固态硬盘扩展卡。所述固态硬盘扩展卡可被置于多卡模块的相应的扩展卡插槽中，并均可包括多个固态硬盘芯片。服务器主板可经由电缆连接器扩展卡和关联的电缆与固态硬盘芯片进行通信。
模块化非易失性闪存刀片

[发明专利]一种异构内存分配方法、装置及电子设备-CN202111119129.0在审
发明人：秦小林;赵一郎;崔小莉;单靖杨;钱基德;杨涌;葛澍;黄东 -专利权人：中科院成都信息技术股份有限公司;成都中科信息技术有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种异构内存分配方法、装置及电子设备，所述异构内存包括多块非易失内存，所述方法包括：接收应用程序发起的内存分配请求，读取系统的内存资源信息，所述内存资源信息中包括所述多块非易失内存的内存大小、首地址、当前已写次数、最大可写次数、读延迟、写延迟和经济成本；基于所述内存分配请求、所述内存资源信息和预先设置的计算规则计算所述多块非易失内存中的每块非易失内存的分配代价；按照所述多块非易失内存的分配代价从小到大的顺序向所述应用程序分配内存上述方案提供了一种更加合理的内存分配优化机制，用以平衡非易失内存的写入寿命损耗和读写延迟，使得每次内存分配的代价最低。
一种内存分配方法装置电子设备

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