专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种静电鼓式分选机-CN201220551717.1有效
  • 杨龙;王冬戈;刘立雨;任国芬;刘云帆 - 天津德为环保工程设备有限公司
  • 2012-10-26 - 2013-05-29 - B03C7/06
  • 一种静电鼓式分选机,主要由进料仓、振动给料器、机体、偏向电极、高压绝缘子、电晕电极、转鼓、导体产品输送带、非导体产品输送带、扫刷、支架等组成。导体产品输送带和非导体产品输送带位于转鼓的下方,沿着转鼓运转的方向依次为导体产品输送带和非导体产品输送带,用来接收分选出的物料。扫刷位于非导体产品输送带的上方,用来清理吸附在转鼓上分选出的非导体物料。本实用新型可以实现导体非导体的分选,可以使垃圾中的黑色金属材料或有色金属材料(如铁、铝、铜)等与其它非金属材料等迅速分离,并且分别进行收集。
  • 一种静电分选
  • [发明专利]制备电流变液阵列传输界面的方法-CN03134330.9无效
  • 范志康;梁淑华;肖鹏 - 西安理工大学
  • 2003-06-27 - 2004-02-11 - F16H49/00
  • ,方法按下述步骤进行:根据界面面积大小,设计阵列,对平板界面,阵列行间距8~12毫米;筒形界面,按直径d的大小,阵列行数N取d/11的整数,行间距取πd/N;阵列的列间距为行间距的1~1.4倍;阵列为非导体直条,厚0.3~0.7mm,宽1.8~2.4mm;非导体直条与母界面粘结构成电流变液阵列传输界面。在母界面上设置了非导体阵列直条,非导体直条直接成为电流变液沿界面失效的阻力,相当于增加了母界面与电流变液的结合强度;非导体直条直接切割电流变液,使电流变液自身抗剪强度得到充分发挥;非导体阵列传输界面反映的是电流变液真正的抗剪能力
  • 制备流变阵列传输界面方法
  • [发明专利]电容器、布线基板、去耦电路及高频电路-CN03159899.4无效
  • 佐藤恒;竹下良博;西村道明 - 京瓷株式会社
  • 2003-09-27 - 2004-05-19 - H01G4/00
  • 在电介质层(2)的一方主面上形成第1导体层(3),在电介质层(2)的另一方主面上形成第2导体层(4)的同时,在第1导体层(3)上设置非导体形成区域(13),在第2导体层(4)上设置非导体形成区域(14)在非导体形成区域(14)中设置第1贯通导体(5),在非导体形成区域(13)中设置第2贯通导体(6),第1贯通导体(5)连接在第1导体层(3)上,第2贯通导体(6)连接在第2导体层(4)上。上述第1贯通导体(5)与第2贯通导体(6)交互成为格子状,例如,汇集配置在电介质(1)中央部上,形成贯通导体群(G)。能够提供实现了低ESL且高容量的电容器。
  • 电容器布线电路高频
  • [发明专利]线路板及其制作方法-CN201610943618.0有效
  • 谭瑞敏;杨凯铭;蔡王翔;曾子章 - 欣兴电子股份有限公司
  • 2016-11-02 - 2020-06-23 - H05K1/02
  • 本发明涉及一种线路板及其制作方法,所述线路板包括一非导体无机材料与有机材料的复合层、多个导电结构、一第一增层结构以及一第二增层结构。非导体无机材料与有机材料的复合层具有彼此相对的一第一表面与一第二表面以及多个开口。导电结构分别配置于非导体无机材料与有机材料的复合层的开口内。第一增层结构配置于非导体无机材料与有机材料的复合层的第一表面上,且与导电结构电性连接。第二增层结构配置于非导体无机材料与有机材料的复合层的第二表面上,且与导电结构电性连接。
  • 线路板及其制作方法
  • [发明专利]多晶片堆迭结构-CN201010230468.1无效
  • 黄婷婷;陈贤德 - 黄婷婷
  • 2010-07-15 - 2011-05-04 - H01L23/52
  • 本发明的多晶片堆迭结构,包括有一底层,其为具有一线路重配置层的基板;一第一晶片,其至少包括一非导体层及一金属层,该非导体层设有一金属填充通道,该金属层倒置地设置于该底层的线路重配置层上;至少两个堆迭晶片,其依序向上堆迭,各堆迭晶片至少包括:一金属层;一非导体层,其设置有一金属填充通道,该金属填充通道与对应堆迭的堆迭晶片的金属层电性连接,且堆迭在最下面的非导体层的金属填充通道与该第一晶片的非导体层的金属填充通道电性连结
  • 多晶片堆迭结构

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