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[发明专利]基于非厄米微环谐振腔阵列的拓扑平带调控方法、系统-CN202211277635.7在审
发明人：丁露;王晨晟;余徽;杜卫超;叶骏伟;曾宪江 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于非厄米微环谐振腔阵列的拓扑平带调控方法及系统，其方法包括：将多个微环谐振腔阵列周期性排列为一维菱形结构；调控微环谐振腔阵列中的增益环和损耗环的位置及相对增益大小，实现拓扑相变，构建拓扑平庸和拓扑非平庸的晶胞结构；将点光源放置于多个微环谐振腔阵列的中心位置，激发体带模式，实现非厄米AB cage效应；将点光源分别放置于多个微环谐振腔阵列的边缘位置，以实现能量增益型的拓扑边界态或由干涉引起的拓扑平庸局域态。本发明提供的微环谐振腔阵列构型具有灵活、可调控特性，丰富了平带产生拓扑态的手段。
基于非厄米微环谐振腔阵列拓扑调控方法系统

[发明专利]一种非厄米奇异点光学微腔磁场传感器-CN202210448300.0在审
发明人：佘玄;黄飞;孙培基;毕然;陈侃;舒晓武 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种非厄米奇异点光学微腔磁场传感器。宽谱光源的输出端依次经模斑转换器、单向隔离器后与磁场敏感单元的输入端连接，磁场敏感单元的输出端和微型光谱仪连接；磁场敏感单元包括输入输出波导、两个相同的“8”字形波导微腔和磁致伸缩材料层，输入输出波导同一侧耦合布置两个“8”字形波导微腔，“8”字形波导微腔包括中间的十字形波导和两个开口环波导，十字形波导是由两根直波导在各自中点处垂直正交交叉布置形成，两根直波导分别连接两个开口环波导的两端，一个“8”字形波导微腔下面设有磁致伸缩材料层本发明构造了一个二阶非厄米系统，利用非厄米系统奇异点探测灵敏度高的优势，具有体积小、易于封装集成的特点。
一种非厄米奇异光学磁场传感器

[发明专利]一种非厄米奇异点光学微腔加速度传感器-CN202210449561.4有效
发明人：佘玄;黄飞;孙培基;毕然;陈侃;舒晓武 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01P15/093 文献下载
摘要：本发明公开了一种非厄米奇异点光学微腔加速度传感器。宽谱光源的输出端依次经模斑转换器、单向隔离器后与加速度敏感单元的输入端连接，加速度敏感单元的输出端和微型光谱仪连接；加速度敏感单元包括输入输出波导、两个相同的“8”字形波导微腔和弹簧振子结构，输入输出波导同一侧耦合布置两个“8”字形波导微腔，“8”字形波导微腔包括中间的十字形波导和两个开口环波导，十字形波导是由两根直波导在各自中点处垂直正交交叉布置形成，两根直波导分别连接两个开口环波导的两端，一个“8”字形波导微腔位于弹簧振子结构的质量块上面本发明构造了一个二阶非厄米系统，利用非厄米系统奇异点对外界微扰敏感的特性，灵敏度高、体积小且易于集成。
一种非厄米奇异光学加速度传感器

[发明专利]一种非厄米拓扑电路及其构造方法、传感方法-CN202310279925.3在审
发明人：张向东;袁昊;张蔚暄;孙厚军 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/32 文献下载
摘要：本发明公开一种非厄米拓扑电路及其构造方法、传感方法，属于传感电路领域。构造与非厄米SSH模型相对应的非厄米拓扑电路，非厄米拓扑电路的特征方程与非厄米SSH模型的特征方程具有相同的数学形式，基于这种方法所设计的非厄米拓扑电路具备非厄米与拓扑双重物理特性，其拓扑的零能模的频率移动与待识别物理量的变化之间呈现出异常敏感的特性，对于极小的边界扰动，非厄米拓扑电路的零能频率偏移在拓扑带隙内呈现出随电路尺寸增加指数增长的趋势。
一种非厄米拓扑电路及其构造方法传感

[发明专利]一种非厄米拓扑光子晶体功能波导-CN202211735358.X在审
发明人：蒋立勇;王庆 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提出一种非厄米拓扑光子晶体功能波导，其是由内外两个含有增益‑损耗介质柱的非厄米Kagome光子晶体构成，包括外部拓扑平庸的非厄米Kagome光子晶体(1)和内部拓扑非平庸的三角形非厄米Kagome本发明基于非厄米Kagome光子晶体高阶拓扑绝缘体模型，构建了非厄米拓扑光子晶体功能波导，实现了对拓扑角态的完美空间选择，可应用于拓扑光存储和光计算等领域。
一种非厄米拓扑光子晶体功能波导

[发明专利]一种非厄米超表面及其构建方法-CN202310752808.4在审
发明人：高凡;周健;鄢波;邓娟;孙知钰;韩宇繁 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非厄米超表面及其构建方法，非厄米超表面包括复合层以及与所述复合层耦合的互补层，所述复合层与所述互补层之间设置有介质层；所述复合层镂空设置有若干空心圆柱；所述互补层与所述若干空心圆柱实心部分对应的位置处均呈镂空状本发明通过调节结构参数和选择材料种类，使得所述复合层与所述互补层发生耦合，从而在微波波段实现器件对入射电磁波反射的影响，并通过改变所述复合层中引用的材料二氧化钒的电导率，使得所述非厄米超表面在两个不同频率点处均出现了奇异点，实现了非厄米超表面的调控，有效拓宽了非厄米超表面的应用范围，更有利于实现非厄米超表面的功能化、器件化集成应用。
一种非厄米超表面及其构建方法

[发明专利]一种基于非厄米效应的二维可控拓扑态器件及其实现方法-CN202110458676.5有效
发明人：胡小永;龚旗煌;李延东 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非厄米效应的二维可控拓扑态器件及其实现方法。本发明包括：衬底和微盘；其中，多个全同的微盘排列成一排，使得相邻微盘之间的耦合强度满足余弦调制，从而形成一维AAH阵列，满足这种余弦调制的耦合强度关系的一维AAH阵列，在合成维度上具有规范场，一维AAH阵列总是拓扑的，一维AAH阵列总有零维边界态的存在；将多排一维AAH阵列排列成二维阵列，相邻的行和相邻的列之间同样满足余弦调制的耦合强度关系，从而得到二维AAH阵列；本发明通过非厄米导致的破缺，在二维AAH
一种基于非厄米效应二维可控拓扑器件及其实现方法

[发明专利]一种非厄米系统自旋压缩态的制备方法-CN202110201380.5有效
发明人：陈星;张升康;薛潇博;赵环;王暖让;张璐;葛军 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H03L7/26 文献下载
摘要：本发明公开一种非厄米系统自旋压缩态的制备方法，包括：提供一非厄米系统，所述非厄米系统具有其原子自旋态依赖于原子相互作用的能级结构；向所述非厄米系统施加囚禁势场，使原子被束缚于周期性的囚禁势阱中，以得到原子的双占据态
一种非厄米系统自旋压缩制备方法

[发明专利]基于FPGA的信号处理方法、电子设备和存储介质-CN202010863977.1有效
发明人：王萌;刘思睿;孙恩元;吴天笑;邓峰 -专利权人：湖南艾科诺维科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06F7/78 文献下载
摘要：该基于FPGA的信号处理方法通过从接收信号获得n阶厄米特矩阵，将所述n阶厄米特矩阵存储在FPGA的寄存器中，将n阶厄米特矩阵划分为对角二阶子矩阵和非对角二阶子矩阵，再并行对所有对角二阶子矩阵和非对角二阶子矩阵进行实数化旋转来获得所述n阶厄米特矩阵的特征值，从而减小总体的计算时间，显著增强了计算的实时性，提高了接收信号的信号处理的效率。
基于 fpga 信号处理方法电子设备存储介质

[发明专利]一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构-CN202011144991.2有效
发明人：朱宇光 -专利权人：常州工业职业技术学院;常州宇宏电气有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明所述的一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构，包括由多层晶胞排列组成的拓扑非平庸层、缺陷层和拓扑平庸层，依次按照拓扑非平庸层、缺陷层、拓扑平庸层、缺陷层、拓扑非平庸层的顺序排列构成。本发明所述的有益效果为：设计具有PT对称构型的二维光子晶体，通过增益系数的改变，实现拓扑相变；构建了由拓扑非平庸结构和拓扑平庸结构形成的边界态，该边界态具有拓扑相和非厄米调制的双重特征；通过源位置的选择，可以让拓扑相调制和非厄米调制分别发挥作用，两者均可以激发单向传输。
一种非厄米调制二维光子晶体拓扑结构

[发明专利]一种半导体激光bar条以及半导体外腔-CN202011572378.0在审
发明人：肖瑜;唐霞辉;周鹏;胡聪;马豪杰;张成杰 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光bar条以及半导体外腔，属于半导体激光阵列相干合束领域，半导体激光bar条包括：多个发光单元以及位于相邻发光单元之间的不发光区域；发光单元与高阶厄米高斯光束的波峰一一对应，不发光区域与高阶厄米高斯光束的节线一一对应，且各发光单元的宽度与其对应波峰两端零点之间的宽度相等，各不发光区域与其对应节线重合，各发光单元的宽度不相等，其中，高阶厄米高斯光束由半导体激光bar条和外腔相互作用产生。这种非均匀分布的半导体激光bar条支持高阶厄米高斯模式振荡，在腔内产生高阶厄米高斯模式时，引入的耦合损耗最低，每个发光单元的宽度和高阶厄米高斯模式相匹配，可提高耦合效率，进而提高相干合束的功率和稳定性。
一种半导体激光 bar 以及

[发明专利]一种矢量非均匀厄米关联光束的产生装置及方法-CN202010751848.3有效
发明人：余佳益;林蓉;刘永雷;高雅茹;蔡阳健 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B27/42 文献下载
摘要：本公开提供了一种矢量非均匀厄米关联光束的产生装置及方法，包括依次设置的光源、滤波片、光束扩展仪、反射镜、线偏振片、空间光调制器、第一圆孔、第一透镜、第二圆孔、第二透镜、高斯振幅滤波片和径向偏振转换器；扩束后的光束经过反射镜发射，反射光穿过线偏振片后照到空间光调制器上的全息图上，第一圆孔选择全息图的一级衍射图样，从第一圆孔出射的光依次经过第一透镜、第二圆孔、第二透镜、高斯振幅滤波片和径向偏振转换器后得到矢量厄米非均匀关联光束；本公开能够准确的产生径向偏振厄米非均匀关联光束，相比于传统的厄米非均匀关联光束，光强闪烁进一步的降低，光强强度得到了进一步的加强，能够更好的应用于自由空间光通信。
一种矢量均匀关联光束产生装置方法

[实用新型]一种矢量非均匀厄米关联光束的产生装置-CN202021552395.3有效
发明人：余佳益;林蓉;刘永雷;高雅茹;蔡阳健 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G02B27/42 文献下载
摘要：本公开提供了一种矢量非均匀厄米关联光束的产生装置，包括依次设置的光源、滤波片、光束扩展仪、反射镜、线偏振片、空间光调制器、第一圆孔、第一透镜、第二圆孔、第二透镜、高斯振幅滤波片和径向偏振转换器；扩束后的光束经过反射镜发射，反射光穿过线偏振片后照到空间光调制器上的全息图上，第一圆孔选择全息图的一级衍射图样，从第一圆孔出射的光依次经过第一透镜、第二圆孔、第二透镜、高斯振幅滤波片和径向偏振转换器后得到矢量厄米非均匀关联光束；本公开能够准确的产生径向偏振厄米非均匀关联光束，相比于传统的厄米非均匀关联光束，光强闪烁进一步的降低，光强强度得到了进一步的加强，能够更好的应用于自由空间光通信。
一种矢量均匀关联光束产生装置

[发明专利]一种基于非厄米超表面的非互易传输器件-CN202210765422.2在审
发明人：高凡;孙知钰;鄢波;邓娟;高少军;周健;刘浩 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非厄米超表面的非互易传输器件。当x方向偏振光从基底层入射时，反射波与结构被激发出的再辐射波相抵消，表现出偏振敏感吸收，实现非互易传输的效果。当x方向偏振光从第一耦合结构入射时，器件表现出近乎全反射的能力。本发明是基于非厄米超表面理论设计的光学器件，有助于非厄米光学理论的完善，同时由于其尺寸小、易于集成，在未来高集成度的光互连系统中具有极高的应用潜力。
一种基于非厄米超表面非互易传输器件

[发明专利]一种基于随机矩阵理论的混沌时间序列的识别方法-CN201710721495.0在审
发明人：叶宾;刘鹏;郭阳全;王瀚洋 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于随机矩阵理论的混沌时间序列的识别方法，其具体步骤为A、随机选取预识别的时间序列，并根据该时间序列构建原始矩阵X；B、对矩阵X进行归一化处理，将其转化为行向量均值为0，方差为1的非厄米特矩阵C、将得到的非厄米特矩阵计算出其奇异值等价矩阵Xu，然后对该奇异值等价矩阵Xu计算得到标准的矩阵积D、根据标准的矩阵积计算得出其特征值，并计算出特征值的平均谱半径；E、根据随机矩阵理论的单环定律，识别出该时间序列为噪声时间序列或混沌时间序列
一种基于随机矩阵理论混沌时间序列识别方法

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