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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]静电放电保护结构-CN201510571157.4在审
  • 吕宇强 - 帝奥微电子有限公司
  • 2015-09-10 - 2017-03-22 - H01L23/60
  • 一种静电放电保护结构，其特征在于，包括具有第一掺杂类型或者第二掺杂类型的衬底；具有第一掺杂类型的体区，设置于该衬底上；具有重掺杂的第二掺杂类型的第一有源区，设置于该体区内；具有轻掺杂的第二掺杂类型的漂移区，设置于该衬底上；栅极结构，部分覆盖于该第一有源区以及该漂移区上；具有重掺杂的第二掺杂类型的第二有源区，设置于该漂移区未被该栅极结构覆盖的位置上；以及具有重掺杂的第二掺杂类型的第三有源区，设置于该漂移区被该栅极结构覆盖的部分与该第二有源区之间
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]静电放电保护结构-CN202111443893.3在审
  • 梁旦业 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2021-11-30 - 2023-06-02 - H01L27/02
  • 本发明提供一种静电放电保护结构。该静电放电保护结构中，衬底具有第一导电类型；源极区和漏极区均具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且间隔设置在衬底中；栅极结构设置在源极区和漏极区之间的衬底上；浮空设置的第一掺杂区具有第一导电类型，设置在漏极区的远离栅极结构的一侧的衬底中，且与漏极区间隔设置，第一掺杂区的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度；源极区和栅极结构共同电连接至第一电位端，漏极区电连接至第二电位端。增加第一掺杂区能够降低静电放电保护结构的寄生NPN晶体管的集电结的雪崩击穿电压，有助于降低静电放电保护结构的触发电压。
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]静电放电保护结构-CN201410027721.1有效
  • 甘正浩 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2014-01-21 - 2018-12-21 - H01L27/02
  • 一种静电放电保护结构，包括P型衬底；位于所述P型衬底内的N型阱区和P型阱区，所述N型阱区和所述P型阱区相邻并接触；位于所述N型阱区内的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，所述第一N型掺杂区和所述第一P型掺杂区耦接于静电放电输入端；位于所述P型阱区内的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，所述第二N型掺杂区和所述第二P型掺杂区耦接于静电放电输出端；位于至少一阱区内的反向掺杂区，所述反向掺杂区适于增大所述静电放电输入端与所述静电放电输出端之间的阻抗本发明技术方案提供的静电放电保护结构的维持电压较大，有利于避免闩锁效应。
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]静电放电保护结构-CN201310232133.7有效
  • 甘正浩;霍晓;张莉菲;代萌;俞少峰 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-06-09 - 2017-05-17 - H01L27/02
  • 一种静电放电保护结构，包括P型衬底，位于所述P型衬底内的触发三极管和可控硅结构；所述可控硅结构包括位于所述P型衬底内的第一N型阱区和P型阱区，所述第一N型阱区和P型阱区相邻且相接触，位于所述第一N型阱区内的第一P型掺杂区，位于所述P型阱区内的第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；所述触发三极管的集电极、第一P型掺杂区与静电放电输入端相连接，所述第二N型掺杂区与静电放电输出端相连接，所述触发三极管的发射极、第二P型掺杂区与升压电阻的一端相连接，所述升压电阻的另一端与静电放电输出端相连接。所述静电放电保护结构利用触发电压较低的触发三极管进行辅助触发，使得所述静电放电保护结构的触发电压较低。
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]静电放电保护结构-CN201310259916.4有效
  • 霍晓;张莉菲;甘正浩;代萌;俞少峰;严北平 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-06-26 - 2017-05-17 - H01L27/02
  • 一种静电放电保护结构，包括位于衬底内的阱区，阱区内具有第一导电类型的掺杂离子，阱区与接地端电连接；位于衬底内的第二掺杂区，第二掺杂区位于阱区表面，第二掺杂区内具有第二导电类型的掺杂离子，第二掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度；位于衬底内的第一掺杂区，第一掺杂区位于第二掺杂区表面，且第一掺杂区的表面与衬底表面齐平，第一掺杂区内具有第一导电类型的掺杂离子，第一掺杂区与静电放电输入端电连接，第一掺杂区的掺杂浓度高于第二掺杂区的掺杂浓度该静电放电保护结构的击穿电压低，保护能力提高。
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]静电放电保护结构-CN201310193679.6有效
  • 甘正浩 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-05-22 - 2017-08-25 - H01L27/02
  • 一种静电放电保护结构，包括半导体衬底；位于所述半导体衬底表面并列设置的若干NMOS晶体管，位于所述半导体衬底内的第一连接区和第一N型阱区，所述第一N型阱区位于所述第一连接区和NMOS晶体管之间；所述第一N型阱区、NMOS晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，所述NMOS晶体管的源极与接地端相连接，所述第一连接区与NMOS晶体管的栅极相连接。不仅可以提高静电放电的响应速度，还能提高不同NMOS晶体管对应的寄生NPN三极管的导通均匀性，有利于提高静电放电能力。
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]静电放电保护结构-CN201310193680.9有效
  • 甘正浩 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-05-22 - 2017-06-13 - H01L27/04
  • 一种静电放电保护结构，包括半导体衬底；位于半导体衬底表面的平行排列的若干个N型横向扩散场效应晶体管；位于半导体衬底内的P型体区，P型体区内具有源极、沟道区和体区连接区，体区连接区位于每一个N型横向扩散场效应晶体管靠近源极的外侧；每一个N型横向扩散场效应晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的源极与接地端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的栅极与第一控制电压端相连接，每一个体区连接区与第二控制电压端相连接多个LDMOS晶体管连接在一起作为静电放电保护结构，不仅提高了静电放电能力，且各个寄生三极管能同时开启，提高了静电放电保护结构的导通均匀性。
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]静电放电保护结构-CN201310113685.6有效
  • 甘正浩 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-04-02 - 2014-10-15 - H01L27/02
  • 一种静电放电保护结构，包括：P型半导体衬底；位于所述P型半导体衬底表面并列设置的若干NMOS晶体管，位于所述P型半导体衬底内的连接区和N型阱区，所述N型阱区至少位于所述连接区和NMOS晶体管之间；所述N型阱区、NMOS晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，所述NMOS晶体管的源极与接地端相连。由于N型阱区至少位于所述连接区和NMOS晶体管之间，当外界静电脉冲产生的静电电压施加到所述静电放电输入端时，所述N型阱区会将NMOS晶体管的衬底电压提升，使得NMOS晶体管的源极和衬底很容易开启，有利于提高静电放电保护结构的导通均匀性，提高静电保护能力。
  • 静电放电保护结构
  • [实用新型]静电放电保护结构-CN202022571861.9有效
  • 王欣 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-11-09 - 2021-05-14 - H01L27/02
  • 本实用新型提供了一种静电放电保护结构，包括由多个MOS晶体管组成的放电区域，其中，放电区域包括中心区域以及周边区域，MOS晶体管包括栅极以及漏极，该栅极到该漏极之间的长度为MOS晶体管的轻掺杂漏极长度，MOS晶体管包括位于中心区域的中心MOS晶体管以及位于周边区域的周边MOS晶体管，中心MOS晶体管的轻掺杂漏极长度大于周边MOS晶体管的轻掺杂漏极长度，本实用新型提供的静电放电保护结构通过将位于其放电区域不同位置的MOS晶体管的轻掺杂漏极长度设置成不同，使得每个MOS晶体管的触发电压基本相等，从而可以使该静电放电保护结构在工作时，其MOS晶体管可以全部导通放电，防止该静电放电保护结构被烧毁而失效。
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]静电放电保护结构及半导体设备-CN201210224016.1有效
  • 郑礼朋 - 上海天马微电子有限公司
  • 2012-06-29 - 2013-09-11 - H01L27/02
  • 本发明提供一种静电放电保护结构，所述静电放电保护结构设置于静电敏感元件和外围电路之间，所述静电放电保护结构还与放电总线相连；其中所述静电放电保护结构包括第一互连线、钝化层和至少一条静电放电导线，所述第一互连线电连接所述静电敏感元件和外围电路，所述静电放电导线与所述放电总线相连，所述静电放电导线与所述第一互连线通过所述钝化层隔离，所述静电放电导线和所述第一互连线之间具有至少一静电放电路径。本发明所述静电放电保护结构具有结构简单、静电防护效果好、没有寄生电流、寄生电容小、噪声小等优点。
  • 静电放电保护结构半导体设备
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