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[实用新型]集成电路工艺系统-CN202222908300.2有效
发明人：陈君跃;甘明正;林佳德 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种集成电路工艺系统，包括：工艺板、集成电路基板以及挡板单元。所述工艺板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第一极。所述集成电路基板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第二极。所述挡板单元设置在所述工艺板和所述集成电路基板之间。所述挡板单元包括孔洞结构。
集成电路工艺系统

[发明专利]异构集成微系统工艺库开发平台的开发方法及建设方法-CN202211067585.X有效
发明人：王皓岩;叶雨农;刘杰;李苗;汪志强;李嵬;戴扬 -专利权人：中国电子科技集团公司信息科学研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种异构集成微系统工艺库开发平台的开发方法及建设方法。异构集成微系统工艺库开发平台为微系统产品提供异构集成工艺PDK，开发方法包括：异构集成工艺稳定性评估流程；异构集成工艺PDK开发环境流程；异构集成工艺PDK质量验证流程；异构集成工艺PDK开发服务体系流程建设方法至少包括如下之一的设计：平台主界面设计、平台主要功能区设计、平台工艺稳定性评估模块设计、平台开发环境模块设计、平台开发质量验证模块设计、平台打包发布模块设计。本发明实施例可提升异构集成微系统协同研发的基础能力，缩小芯片的设计迭代周期，提高设计效率，推动芯片级集成微系统、功能单元级异构集成微系统的高效研制与开发。
集成系统工艺开发平台方法建设

[实用新型]集成电路挂具装置以及集成电路工艺系统-CN202222950945.2有效
发明人：薛根进;林志铭 -专利权人：日月新半导体（昆山）有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C25D17/08 文献下载
摘要：本申请提出一种集成电路挂具装置和集成电路工艺系统。所述集成电路挂具装置包括：机械手以及接液装置。所述机械手经配置以夹取集成电路挂具。所述接液装置经配置以移动至所述集成电路挂具下方以接取残留在所述集成电路挂具上的液滴。所述集成电路工艺系统包括上述的集成电路挂具装置、工艺槽以及清洗槽。所述工艺槽经配置以对所述集成电路挂具上的晶圆进行电镀工艺。所述清洗槽经配置以对工艺后的所述集成电路挂具进行清洗。
集成电路装置以及工艺系统

[发明专利]建筑工程施工用集成工艺样板房的施工方法-CN201310382995.8有效
发明人：龙海斌;邹友清;张华;刘琦江;王震 -专利权人：中国建筑第五工程局有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： E04G21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种建筑工程施工用集成工艺样板房的施工方法，包括如下步骤：a、根据拟建工程特点，设计集成工艺样板房，拟定集成工艺样板房所有工序、特殊过程、特征部位及质量验收要求，根据该集成工艺样板房所包括的各分部分项工程及特征部位、细部节点制作施工工艺展板；b、在拟建建筑工程场所周边选一合适场地，放线定位出集成工艺样板房及外围平面轮廓，平整场地并做硬化；c、根据各分部分项工程及各分部分项工程连接间的前后顺序依次逐步制作成一个集成工艺样板房，并在其相应处处张挂集成工艺样板房所展示内容的标识牌，并将施工工艺展板一次安装在集成工艺样板房周边。本发明集成样板与展板，为工程施工提供质量控制样板引路。
建筑工程施工集成工艺样板房施工方法

[发明专利]引导式集成电路缺陷检测-CN201780085151.3有效
发明人：刘华玉;林杰;张兆礼;俞宗强 -专利权人：东方晶源微电子科技（北京）有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：已经提供了一种用于检测集成电路的缺陷的方法和系统。该方法包括：生成集成电路的工艺制程敏感图形；使用高分辨率系统扫描该工艺制程敏感图形以提供该集成电路的工艺制程条件参数；使用该参数确定该集成电路的关注区域；和使用该高分辨率系统扫描该关注区域以检测该集成电路的至少一个缺陷该系统包括处理器和存储器，该存储器具有能够由处理器执行的指令，以生成集成电路的工艺制程敏感图形，使用高分辨率系统扫描工艺制程敏感图形以提供集成电路的工艺制程条件参数，使用工艺制程条件参数确定集成电路的关注区域，和使用高分辨率系统扫描所述关注区域以检测集成电路的至少一个缺陷。
引导集成电路缺陷检测

[发明专利]一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成工艺-CN201910443269.X在审
发明人：陈志辉;江钧;杨建国;魏骏 -专利权人：上海浦睿信息科技有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成工艺，包括以下步骤：通过常规集成电路制造工艺制造大尺寸集成电路晶圆；当完成金属互连层的最后一层层间介质层后停止常规集成电路制造工艺获得大尺寸集成电路晶圆；通过化学机械抛光设备抛光大尺寸集成电路晶圆，使表面平坦化；采用集成电路清洗设备清洗表面平坦化后的大尺寸集成电路晶圆；把同尺寸大小的铁电单晶薄膜键合至大尺寸集成电路晶圆电路表面上；对键合后的铁电单晶薄膜做半导体工艺加工处理；通过尽可能不改变集成电路晶圆流片生产工艺流程的情况下，通过减少工艺步骤，即实现与铁电单晶薄膜集成、结构简单，方便实用，可广泛应用于新型电子器件开发。
尺寸集成电路晶圆铁电单晶薄膜集成常规集成电路表面平坦化制造工艺化学机械抛光设备集成电路清洗新型电子器件半导体工艺金属互连层电路表面工艺步骤设备清洗工艺流程薄膜键介质层抛光键合流片集成电路薄膜应用制造开发生产

[发明专利]集成芯片工艺工具-CN201610908974.9在审
发明人：李建法;刘旭水;白峻荣;忻斌一;郭守文;林成芝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种集成芯片工艺工具及相关方法。集成芯片工艺工具具有管芯交换器，用以自动地转移多个集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间。所述集成芯片工艺工具具有管芯交换器，用以接收包括多个集成芯片管芯的管芯托盘。管芯交换器用以自动地转移多个集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间。集成芯片管芯工艺工具用以从管芯交换器接收管芯晶舟，且用以对管芯晶舟内的多个集成芯片管芯进行工艺步骤。藉由操作管芯交换器以自动地转移集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间，可减少转移时间且可减轻有关于人工转移集成芯片管芯的污染及/或损坏风险。
集成芯片工艺工具

[实用新型]一种LNG加气站工艺区高度集成底座-CN202222999110.6有效
发明人：石恩华;潘自登;高晓佳;陈旭 -专利权人：天津佰焰科技股份有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： F17C13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LNG加气站工艺区高度集成底座，包括基板、泵池、集成框架、防爆接线箱和防爆控制柜，基板的中心位置设有集成框架，集成框架固定连接在基板上，集成框架中的边角位置设有两个泵池，泵池的一端通过螺栓固定连接在集成框架上，集成框架的另外两角位置设有防爆接线箱和防爆控制柜，防爆接线箱和防爆控制柜固定连接在集成框架上，一种LNG加气站工艺区高度集成底座通过将原有工艺区设备高度集成的方式，大大缩小了加气站工艺区的占地面积，并且通过缩小加气站工艺区的面积可以使加气站整体面积缩小
一种 lng 加气站工艺高度集成底座

[发明专利]一种低压制造工艺的集成电路及其电源电路-CN201810123022.5有效
发明人：杨明汉;钟伟金 -专利权人：珠海市一微半导体有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：目前采用低压制造工艺的USB PD集成电路中只提供恒压充电的模式而不具备恒流充电的模式，USB PD集成电路的应用有所受限，本发明提供了一种低压制造工艺的集成电路及其电源电路，该集成电路支持PD3.0协议，所述低压制造工艺的集成电路相对于现有技术具备恒流模式，所述电源电路是基于低压制造工艺的集成电路设计的，该电源电路通过对输出信号的实时监测和调整，从而达到恒流/恒压的充电功能，克服市面上低压制造工艺的USBPD集成电路缺少恒流功能的缺陷，相对于采用高压制造工艺的USB PD集成电路而言降低了生产的成本，为PD充电的大量普及奠定基础。
一种低压制造工艺集成电路及其电源电路

[发明专利]集成电路制造设备状态监测系统和方法-CN201210074960.3有效
发明人：蔡柏沣;何家栋;巫尚霖;王若飞;牟忠一;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了监测集成电路制造系统的工艺设备的方法和系统。一种示例性方法包括限定集成电路制造工艺设备的区域；基于所限定的区域将集成电路制造工艺设备的参数分组；并且基于所分组的参数评估集成电路制造工艺设备的状态。本发明还公开了集成电路制造设备状态监测系统和方法。
集成电路制造设备状态监测系统方法

[发明专利]支持无线电力传输和近场通信的通信装置-CN201310378647.3有效
发明人： A·史密斯 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H04B5/00 文献下载
摘要：这些通信装置的各种集成电路可以使用高电压半导体工艺、低电压半导体工艺或其任何组合而被制造在一个或多个半导体衬底、芯片和/或模片上。这些高电压和/或低电压半导体工艺集成电路中的一些可以与其他模块的其他高电压和/或低电压半导体工艺集成电路一起在单个半导体衬底、芯片和/或模片上制造。这允许一个模块的低电压半导体工艺集成电路和/或高电压半导体工艺集成电路与通信装置的另一模块的低电压半导体工艺集成电路和/或高电压半导体工艺集成电路组合。
支持无线电力传输近场通信装置

[发明专利]工艺资源数据管理及动态扩展方法-CN202310726267.8在审
发明人：王梅;蔡保林;李光辉;何肖豪;黄珊;张祥祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F16/25 文献下载
摘要：本发明公开工艺资源数据管理及动态扩展方法，涉及数据管理技术领域，包括：将各种工艺资源数据输入系统建立制造资源库；以数据动态建模方式建立工艺资源数据的各种数据模型；各种数据模型形成了用户存储工艺资源数据的数据库表；以动态配置的方式配置工艺资源数据的各种数据展示页面；本发明工艺资源管理的集成接口方便用户动态配置，有助于将该工艺资源管理与其它系统进行集成，有助于为其它系统提供所需的工艺资源数据，并且，集成接口是可根据用户的需求进行动态地配置，当用户需要与新系统进行集成时，用户可以方便快捷地配置出相应的集成接口便于与新系统集成。
工艺资源数据管理动态扩展方法

[发明专利]先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法-CN201910643441.6有效
发明人：曹鹏;杨泰;郭静静 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明公开了一种先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法，通过对先进工艺下集成电路的工艺参数波动情况进行仿真建模，基于低电压下集成电路延时与工艺参数间的关系建立电路时序统计模型，分析集成电路时序波动情况下的最大延时和最小延时与传统的静态时序分析方法相比，能够更准确的分析工艺参数波动下的电路延时分布情况，对于先进工艺和低电压下集成电路设计具有重要意义。
先进工艺压下集成电路统计时序分析方法

[发明专利]气体集成块和半导体加工设备-CN201811074421.3有效
发明人：王勇飞;兰云峰;王帅伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种气体集成块，包括气体集成块本体，所述气体集成块本体内形成有气体通道，所述气体通道具有工艺气体入口，且所述工艺气体入口形成于所述气体集成块本体的第一表面上，其中，所述气体集成块还包括封口组件，用于在气体集成块本体的第一表面暴露于大气时，对所述工艺气体入口进行自动封堵。当腔体盖打开时，所述气体集成块能够自动封闭所述工艺气体入口。
气体集成块半导体加工设备

[发明专利]一种基于双极集成电路工艺平台的晶闸管集成技术-CN202210541097.1在审
发明人：徐晓慧;冯涛 -专利权人：西安砹锡电子科技有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双极集成电路工艺平台的晶闸管集成技术，涉及微电子领域，属于半导体集成电路技术。本发明利用现有双极工艺平台中的埋层、埋硼、隔离、基区、发射区等几个工艺步骤，在结构上形成晶闸管的PNPN四个区域，再将电极通过接触孔和金属引线引出，实现了晶闸管的集成目标。本发明将传统晶闸管的四层三结纵向结构转化为纵向与横向相结合的平面结构，再将这种平面结构与半导体集成电路结构相结合，在传统工艺流程基础上不增加工艺成本的情况下，将晶闸管元件集成于半导体集成电路中，为单片集成电路的集成种类再添新成员，使晶闸管的集成吸收了集成电路的优点，克服了二次集成的工序冗长、损耗大、一致性差、生产效率低的缺点。
一种基于集成电路工艺平台晶闸管集成技术

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