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[发明专利]声传感器-CN96198340.X无效
发明人： W·H·常;A·S·巴格;B·思蒙斯基 -专利权人：输入/输出有限公司
申请日： 1996-10-02 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：一个声传感器装置包含有一块压电陶瓷晶体。该装置还包含一对坚实的圆形金属板，这两金属板将这压电陶瓷晶体夹在它们之间，其中，每块金属板都包含：(i)一个外周缘，它环绕着形成于该金属板的第一表面上的凹进部分，这第一表面朝向该压电陶瓷晶体；(ii)一个环氧树脂毛细作用屏障该装置还包含灌注在这两金属板和压电陶瓷晶体之间的环氧树脂胶，其中，每个金属板的外周缘都被环氧树脂胶粘结在压电陶瓷晶体上，这样，这就在这对金属板之间形成了一个空腔。
传感器

[实用新型]一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构-CN201120310428.8有效
发明人：曹永革;刘著光;邓种华 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本技术涉及一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构。所述封装结构包括：一高反射率凹面镜型封装基座以及安装其内的上表面水平下表面凹面镜型的YAG透明陶瓷或晶体，所述YAG透明陶瓷或晶体的上表面位于凹面镜的焦平面上；两个引线框；普通LED芯片，芯片安装于YAG陶瓷或晶体的上表面并位于所述凹面镜的焦点上；以及密封物，密封物为透明树脂或混合透明树脂和荧光剂形成，将LED芯片封于其内，以完成LED封装结构。本技术方案通过利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体的基座将LED芯片背面发出的光通过凹面镜的反射平行取出，从而提高了LED的光效并同时减少了热量在LED芯片背面的聚集。
一种利用凹面镜透明 yag 陶瓷晶体提高 led 芯片封装结构

[发明专利]玻璃陶瓷及制备方法、玻璃陶瓷盖板、电子设备-CN202110604930.8在审
发明人：林耿;黄礼忠 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种玻璃陶瓷及制备方法、玻璃陶瓷盖板、电子设备。该玻璃陶瓷包括二硅酸锂晶体和透锂长石晶体中的至少一种，以及石英晶体；该玻璃陶瓷以氧化物为基准且以且以重量百分数表示时，含有包括以下重量百分数的材料：SiO260Sub>2O5、K2O、MgO和ZrO2，可以制备出玻璃陶瓷，二硅酸锂晶体、透锂长石晶体均可为玻璃陶瓷提供高强度，石英晶体可以为玻璃陶瓷提供防蓝光效果。
玻璃陶瓷制备方法盖板电子设备

[实用新型]片式石英晶体元件-CN200820163347.8有效
发明人：陈宏伟;王英强;王康 -专利权人：浙江嘉康电子股份有限公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种片式石英晶体元件，包括石英晶体振子(1)、低介电常数低介质损耗的介质陶瓷上盖(2)和低介电常数低介质损耗的介质陶瓷基座(3)。介质陶瓷基座的中部有一矩形的下凹部(5)，此下凹部的两端各有一个台阶(6)，此台阶上有金属化电极，所述的石英晶体振子用导电胶(4)粘贴在上述介质陶瓷外壳的下凹部内的台阶上。这种片式石英晶体元件采用介质陶瓷的基座，制作比较简单，可以采用制作成基座大片再切割成单个基座的方法，也可采用大片组装，再切割成单个元件的工艺，有利于成批生产。
石英晶体元件

[实用新型]陶瓷器件橡胶衬垫-CN89211302.2无效
发明人：费金屏 -专利权人：无锡市无线电元件二厂
申请日： 1988-12-23 - 公布日： 1989-12-06 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：陶瓷滤波器、谐振器中陶瓷晶体振子与引线片触点之间的软接触橡胶衬垫。该衬垫是把用导电橡胶制作的导电区和用绝缘橡胶制作的绝缘区组合在一起制成。使用这种衬垫装配陶瓷器件，既可保证各引线片触点与陶瓷晶体振子上对应电极之间的可靠接触导通，又可避免陶瓷晶体振子上各电极之间，以及各引线片之间的短路，完全满足陶瓷器件的性能要求。
陶瓷器件橡胶衬垫

[发明专利]透明氟化镧玻璃－陶瓷-CN98807447.8无效
发明人： P·A·蒂克 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 1998-06-11 - 公布日： 2000-08-30 - 主分类号： C03C10/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明玻璃—陶瓷材料,它包含玻璃基质和玻璃基质中的氟化镧晶体的晶体相,其中所述的透明玻璃—陶瓷材料不包括二氧化硅。本发明还涉及制备该透明玻璃—陶瓷材料的方法。
透明氟化玻璃陶瓷

[发明专利]一种致密碳化硅陶瓷的制备方法-CN201010149583.6有效
发明人：杨建锋;刘光亮;戴培赟;史永贵;鲍崇高;乔冠军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2010-04-19 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新结晶排列堆积过程的控制，实现碳化硅晶体颗粒之间的紧密堆积，获得高致密度的多晶体块体陶瓷。采用本发明方法制备得到的碳化硅陶瓷，晶体之间依靠纯碳化硅界面直接结合，碳化硅晶体颗粒通过晶体择优取向定向排列紧密堆积，其体积密度可接近理论密度。
一种致密碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]一种高效率钬激光器-CN201510314905.0有效
发明人：姚育成;刘丹琳;黄楚云;陈本源 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：所述激光器包括谐振腔、聚光腔、激光晶体棒和脉冲氙灯，所述聚光腔包括陶瓷反射体、掺铈石英套管、导流挡板、晶体端部加热套筒及腔体结构，掺铈石英套管嵌在陶瓷反射体内，激光晶体棒穿过掺铈石英套管且激光晶体棒的两端由腔体结构支撑并实现腔内外密封，两个晶体端部加热套筒分别套在激光晶体棒两端并通过腔体结构固定，脉冲氙灯穿过陶瓷反射体且脉冲氙灯的两端由腔体结构支撑并实现腔内外密封，具有小孔的所述导流挡板设置在所述陶瓷反射体的两端。本发明能够实现钬激光晶体在较低温度下工作，极大提高激光器效率，并且避免了因光学器件端面产生水汽凝结造成突然损坏，保证激光器长时间可靠运行。
一种高效率激光器

[发明专利]陶瓷多晶体及其制造方法-CN02105000.7无效
发明人：仓品满;新见德一;山口浩文 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： C04B33/00 文献下载
摘要：提供一种陶瓷多晶体及其制造方法,该陶瓷多晶体具有能使用于发光管的耐热性,同时具有8%以上的较高的直线透射率。该陶瓷多晶体4具有三斜晶、单斜晶、斜方晶、正方晶、三方晶或六方晶的结晶构造,结晶的平均粒径在5μm以上并且50μm以下,直线透射率在8%以上。
陶瓷多晶体及其制造方法

[发明专利]用于表面安装的晶体器件-CN200910135205.X有效
发明人：村濑重善;石丸千里 -专利权人：日本电波工业株式会社
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体器件，其中陶瓷壳体的内部的面积做成比较大，以增加晶体单元(晶体元件)的设计自由度。在用于表面安装的晶体器件中，其被构造成使得至少晶体元件(2)被安放在在平面图中为长方形的陶瓷壳体(1)中，其包括底壁(1a)和框架壁(1b)，并且其横截面形成为凹形，金属盖子(3)通过缝焊接合于金属环(4)，该金属环(4)设置在陶瓷壳体(1)的开口的端面处，以气密地封装该晶体元件(2)，金属环的长边和短边的宽度中的一个比另一个窄。
用于表面安装晶体器件

[实用新型]一种可实时观察晶体生长状况的晶体生长炉-CN200520113868.9无效
发明人：郝佳 -专利权人：北京工物科技有限责任公司
申请日： 2005-07-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可实时观察晶体生长状况的晶体生长炉。用该晶体生长炉可对布里奇曼坩锅下降法晶体生长过程进行实时观察。该晶体生长炉炉壁上有一观察窗口，透过该观察窗和导光玻璃可以观察到炉内晶体生长状况。为适应增加了观察窗后温度场的改变，在两温区之间插入了一块导热性能良好的氧化铝陶瓷环，以增强生长区的径向散热；陶瓷环上有一处内宽外窄的缺口，用于镶嵌观察用导光玻璃块；坩锅底部采用了导热性良好的陶瓷棒作支座，以增强晶体中心部位的散热。用该晶体生长炉可以获得平整的固液界面，使晶体稳定地生长。
一种实时观察晶体生长状况

[实用新型]一种多层陶瓷金属烧结的温度感应型谐振器-CN201820855580.6有效
发明人：丁岗寅;沈俊男;赵岷江;黄国瑞 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多层陶瓷金属烧结的温度感应型谐振器，包括陶瓷基座、金属上盖和平板式陶瓷体，陶瓷基座内安装有电极部，电极部上端通过导电银胶与石英晶体相连，陶瓷基座下端面中部安装有热敏电阻，热敏电阻通过两端的锡银铜焊锡与位于陶瓷基座下表面上的第二电极相连，陶瓷基座下端面安装有与两个第二电极一一对应的两个第一电极。本实用新型通过石英晶体谐振器层和热敏电阻腔体层的不同尺寸大小设计，降低各层陶瓷在封装过程中产生的应力，提升小型化温度感应型石英晶体谐振器的输出频率精度。
陶瓷基座温度感应型石英晶体谐振器本实用新型第二电极多层陶瓷热敏电阻烧结电极部下端面谐振器金属热敏电阻腔板式导电银胶第一电极封装过程金属上盖石英晶体输出频率陶瓷体锡银铜下表面上端焊锡体层陶瓷

[实用新型]一种新型树脂封装石英晶体谐振器-CN201020107021.0无效
发明人：黄国瑞 -专利权人：台晶(宁波)电子有限公司
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型树脂封装石英晶体谐振器，包括陶瓷基座和在其上方的上盖，陶瓷基座内部置入一带有银电极的石英芯片，并以导电胶黏着所述的石英芯片的银电极到陶瓷基座内部电极上；所述的内部电极线路连接着陶瓷基座外部电极，所述的陶瓷基座的形状为长方体；所述的上盖为长方形箱体状，并采用金属制成；上盖和陶瓷基座之间设有一层封装用树脂；上盖朝向石英芯片的一面的中心涂布干燥用树脂。本实用新型是用金属上盖取代了原来的陶瓷上盖，并在传统陶瓷晶体封合材料上将特殊合金金属封合材料改为树脂封合材料，实现低成本、小体积、高频率精度的石英晶体谐振器。
一种新型树脂封装石英晶体谐振器

[实用新型]一种新型陶瓷树脂封装石英晶体谐振器-CN201020102289.5无效
发明人：黄国瑞 -专利权人：台晶(宁波)电子有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型陶瓷树脂封装石英晶体谐振器，包括陶瓷基座和金属上盖，所述的陶瓷基座的形状为长方体，其内部置入一石英芯片，并以导电胶黏着石英芯片到陶瓷基座内部电极上；所述的石英芯片的电极上镀有银；所述的内部电极线路连接着陶瓷基座外部电极；所述的金属上盖外缘上涂布封装用树脂；所述的金属上盖中心涂布干燥用树脂；所述的封装用树脂将所述的陶瓷基座和所述的金属上盖封合。本实用新型是用金属上盖取代了原来的陶瓷上盖，并在传统陶瓷晶体封合材料上将特殊合金金属封合材料改为树脂封合材料，实现低成本、小体积、高频率精度的石英晶体谐振器。
一种新型陶瓷树脂封装石英晶体谐振器

[其他]致密表层陶瓷结构及其制造方法-CN87106040无效
发明人：斯坦利·J·卢兹克兹;哈利·R·兹威克尔 -专利权人：兰克西敦技术公司
申请日： 1987-09-01 - 公布日： 1988-04-27 - 主分类号： C22C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及自支承陶瓷结构及其制造方法，该自支承陶瓷结构包括埋有填料的陶瓷复合结构。该陶瓷结构包括由熔融的母金属体与氧化剂的氧化形成的多晶体材料。该多晶体材料具有一个始区基体，其上覆盖有终区薄层，该终区薄层与始区构成整体。该终区薄层比起区基体更硬并具有更致密的、更细的晶体结构，而且是在多晶体的起区形成的反应阶段之后的反应阶段中形成的。在尽管留下或保留足够可氧化的熔融母金属去形成终区的多晶体材料的条件下，第一阶段的生长通过削弱或中断熔融母金属向第一区的输送来完成。
致密表层陶瓷结构及其制造方法