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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括中断的粘附层的间隔件-CN202180011562.4在审
发明人： E-E·扎库;D·詹森;F·卡雷;S·布罗内 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B32B7/14 文献下载
摘要：用于隔热玻璃单元的间隔件（I），其至少包括：‑聚合物中空型材（1），其在纵向方向（X）上延伸且包括‑第一侧壁（2.1）和与其平行布置的第二侧壁（2.2）、装配玻璃内壁（3），所述装配玻璃内壁（3）将所述侧壁和所述外壁（5）包围，‑在所述聚合物中空体（1）的第一侧壁（2.1）、外壁（5）和第二侧壁（2.2）上的潮气屏障（30），其中所述潮气屏障（30）至少包括‑具有屏障功能的多层体系（33），其包括至少一个聚合物层（35）和无机屏障层（34），‑金属或陶瓷的外部粘附层（31），其中所述粘附层（31）具有至少5 nm的厚度d，‑所述粘附层（31）在横向方向（Y）上被未涂覆区域（36）中断。
包括中断粘附间隔

[发明专利]间隔件-CN202180064247.8在审
发明人：朱塞比·维森齐 -专利权人：吉维股份公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B62J9/27 文献下载
摘要：一种间隔件，该间隔件用于将侧包(2)紧固到摩托车的侧部，该间隔件包括间隔杆(10)和紧固板(12)，该紧固板适合于锚固到摩托车车架的侧部，以将间隔杆(10)以可移动的方式紧固到摩托车。该间隔杆设置有锚固销(14)，该锚固销安装到紧固板(12)的销座(16)中。
间隔

[发明专利]间隔件-CN202180041307.4在审
发明人：市谷弘司 -专利权人：株式会社SFT研究所
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B68G5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种间隔件(1)，其具备：凸部(10)，该凸部(10)具有框状部(S11)、形成为一端与框状部(S11)连接并从该框状部(S11)立起的多个柱部(S12)、及将多个柱部(S12)的另一端连结而成的立起端连结部20)，该可挠连结部(20)将位于接近的位置的凸部(10)的框状部(S11)彼此连结，以便多个凸部(10)连接在一起，其中，立体状的凸部(10)与能够弹性变形的可挠连结部(20)中的至少一方构成为根据间隔件据此，能够根据间隔件(1)的部位而使厚度不同，或者根据间隔件(1)的部位而使柔软性不同。
间隔

[实用新型]间隔件-CN200820122573.1有效
发明人：林敏 -专利权人：林敏
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： E04C5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种间隔件，该间隔件由横向支杆及若干个沿其长度方向间隔固定的支腿构成，其中，横向支杆垂直方向的抗弯截面系数大于其水平方向的抗弯截面系数。
间隔

[实用新型]间隔件-CN202222005589.7有效
发明人：赵登登;金海生;卢晶;胡向阳;肖体锋;朱映平 -专利权人：浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01H50/02 文献下载
摘要：本实用新型属于电气技术领域，公开了一种间隔件，间隔件包括间隔件本体，间隔件本体包括连接板、第一卡接臂、第二卡接臂和限位臂，其中，第一卡接臂、第二卡接臂和限位臂设置于连接板的同一侧；第一卡接臂设置于连接板的第一侧边缘本实用新型提供的间隔件，能使间隔件本体牢固的卡接在导轨上，且利于接触器之间的散热。
间隔

[实用新型]间隔件-CN200920107574.3无效
发明人：林敏 -专利权人：林敏
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： E04C5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种间隔件，该间隔件由横向支杆及若干个沿其长度方向间隔固定的支腿构成，其中，横向支杆垂直方向的抗弯截面系数大于其水平方向的抗弯截面系数。
间隔

[发明专利]间隔件-CN200880006155.9无效
发明人：西田裕纪;筱原泰雄;佐藤裕之 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明提供一种间隔件，其是包含由含有耐热树脂的耐热层与含有热塑性树脂的断路层层叠而成的层叠多孔膜的间隔件，所述耐热层的厚度为1μm以上10μm以下，所述耐热层还含有包括近球状粒子的填充剂。
间隔

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010288169.7在审
发明人：杨建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明描述了用于形成具有气隙的栅极间隔件结构以减小晶体管的栅极结构和源极/漏极接触件之间的寄生电容的方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上形成栅极结构，并且在栅极结构的侧壁表面上形成间隔件堆叠件—其中，间隔件堆叠件包括与栅极结构接触的内部间隔件层、位于内部间隔件层上的牺牲间隔件层和位于牺牲间隔件层上的外部间隔件层该方法还包括去除牺牲间隔件层以在内部间隔件层和外部间隔件层之间形成开口，在内部和外部间隔件层的顶面上沉积聚合物材料，蚀刻内部和外部间隔件层的顶部侧壁表面以形成锥形顶部，以及沉积密封材料。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]多孔层、层叠多孔层而成的间隔件、及包含多孔层或间隔件的非水电解液二次电池-CN201580000462.6在审
发明人：村上力;仓金孝辅;原秀作 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： B32B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种多孔层，分割为32个分区，每1个分区是纵为2.3μm、横为2.3μm、厚为多孔层本身的厚度的长方体，在分别测定各分区的空隙率时，32个分区间的空隙率的变动率为16.0％以下。本发明的多孔层及层叠上述多孔层而成的间隔件适于用作循环特性优异的非水电解液二次电池构件。
多孔层叠间隔包含水电二次电池

[发明专利]多孔层、层叠多孔层而成的间隔件、及包含多孔层或间隔件的非水电解液二次电池-CN201580000457.5有效
发明人：村上力;仓金孝辅;原秀作 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01M2/18 文献下载
摘要：本发明提供一种多孔层，将其表面分割为32个分区，每1个分区是纵2.3μm×横2.3μm的正方形，在分别测定各分区的空隙率时，32个分区间的空隙率的变动率为16.0％以下。本发明的多孔层及层叠上述多孔层而成的间隔件适于用作非水电解液二次电池用构件。
多孔层叠间隔包含水电二次电池

[发明专利]负压伤口疗法设备-CN201680077261.0有效
发明人： S.J.诺贝尔;B.格林纳;J.P.高恩斯 -专利权人：史密夫及内修公开有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： A61F13/02 文献下载
摘要：在某些实施例中，负压伤口疗法设备能够包括带有上部部分和下部部分的间隔件层。间隔件层能够被构造成包绕吸收层的至少一个边缘，并且其中间隔件层的上部部分在吸收层上方，且间隔件层的下部部分在吸收层下方。在一些实施例中，负压伤口疗法设备能够包括第一间隔件层和第二间隔件层和吸收层。第一间隔件层能够定位在吸收层下方，且第一间隔件层能够具有大于吸收层的外周的外周。第二间隔件层能够定位在吸收层上方。第二间隔件层能够具有大于吸收层的外周的外周。
伤口疗法设备

[发明专利]用于磁隧道结的间隔件堆叠件-CN201910162848.7有效
发明人：刘中伟;蓝锦坤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明实施例描述形成具有金属化合物层的间隔件的示例性方法。该方法包括：在互连层上方形成磁隧道结(MTJ)结构和在磁隧道结结构和互连层上方沉积第一间隔件层。该方法还包括在第一间隔材料，磁隧道结结构和互连层上方沉积第二间隔件层，其中，第二间隔件层比第一间隔件层薄，并包括金属化合物。此外，该方法还包括：在第二间隔件层上方和MTJ结构之间沉积第三间隔件层。第二间隔件比第一间隔件薄。本发明实施例涉及用于磁隧道结的间隔件堆叠件。
用于隧道间隔堆叠

[发明专利]具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法-CN201910768482.8有效
发明人：张钰声;李忠儒;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。
具有矩形轮廓间隔及其制造方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210886855.3在审
发明人：陈玟儒;柯忠廷;黄泰钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括在第一半导体区域上方形成第一栅极堆叠件，在第一栅极堆叠件上沉积间隔件层，以及在间隔件层上沉积伪间隔件层。伪间隔件层包括含金属材料。对伪间隔件层和间隔件层执行各向异性刻蚀工艺，以分别形成栅极间隔件和伪侧壁间隔件。蚀刻第一半导体区域以形成延伸到第一半导体区域中的凹槽。将第一栅极堆叠件、栅极间隔件和伪侧壁间隔件用作蚀刻掩模来蚀刻第一半导体区域。该方法还包括在凹槽中外延生长源极/漏极区域，以及在生长源极/漏极区域之后，去除伪侧壁间隔件。
形成半导体器件方法

[发明专利]自对准双图案化-CN202011177021.2在审
发明人：黄冠维;陈育裕;谢志宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括图案化目标层之上的芯轴层以形成第一芯轴和第二芯轴，第一芯轴的宽度大于第二芯轴的宽度。间隔件层形成在第一芯轴和第二芯轴之上并被修改而使得第一芯轴之上的间隔件层的厚度大于第二芯轴之上的间隔件层的厚度。从间隔件层形成间隔件，这些间隔件与第一芯轴相邻的宽度大于与第二芯轴相邻的间隔件。使用间隔件来蚀刻目标层。
对准图案

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