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[发明专利]键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法-CN202211654472.X在审
发明人：李鹏;庞磊;徐向前;舒予;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。
键合态铜单晶及其原子扩散工艺方法

[发明专利]一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法-CN201710228970.0有效
发明人：袁斌;徐云管;彭庶瑶;章敏 -专利权人：江西蓝微电子科技有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法，该键合丝是以高纯铜为主体材料，包括银、钪、铁、钛微量金属材料。其组成键合丝的材料各成分重量百分比为：铜含量为：99.9%‑99.95%、银含量为0.01%‑0.02%、钪含量为0.01%‑0.02%、铁含量为：0.001%‑0.015%、钛含量为0.001%‑0.01%；其制造方法包括：提取纯度大于99.99%的高纯铜，制备成铜合金铸锭，再制成铸态铜合金单晶母线，将单晶母线拉制成1mm的单晶丝经热处理后，再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的铜合金单晶键合丝。
一种微电子封装铜合金单晶键合丝及其制备方法

[发明专利]一种铜微合金单晶键合丝及其制备方法-CN201911082333.2在审
发明人：刘志平;姜许;李晓 -专利权人：木林森股份有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明属于微电子后道封装工序技术领域，具体公开铜微合金单晶键合丝及其制备方法。该铜微合金单晶键合丝，包括以下成分：铝、锡、锌、磷及铜，其中，上述组分含量按照以下质量比：铝0.0001％‑0.0006％，锡0.0002％‑0.0008％，锌0.0005％‑0.00015％，磷0.0003％‑0.00010％，余量为铜。其制备流程为：单晶铜微合金铸造、制备铸态单晶母线、粗拔、热处理、精拔、表面清洗、分卷及包装工序。本发明的铜微合金单晶键合丝，通过微量元素的添加，可以提高铜的力学性能和抗氧化性能，从而可以有效提升铜的焊接及使用性能；而且，由于以上元素的熔点均低于铜的熔点，熔铸过程中对设备温度上限要求低，能耗小，利于降低生产成本
微合金单晶键合丝制备熔点微量元素抗氧化性能热处理包装工序表面清洗工序技术力学性能使用性能温度上限单晶铜对设备质量比单晶分卷母线铸态微电子封装焊接熔铸能耗铸造储量

[发明专利]一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺-CN201110132163.1无效
发明人：赵剑青;杨东鲁;黄浩;赖志伟;钟丁通 -专利权人：迈士通集团有限公司
申请日： 2011-05-22 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺，其步骤是：1）将单晶铜杆通过若干道拉丝工序后形成细小的单晶铜键合丝；2）将经过乙醇超声洗涤的单晶铜键合丝作退火软化加工处理；3）在退火管后设置乙醇冷却槽，将退火后的单晶铜键合丝作乙醇急速冷却处理；4）将经过乙醇冷却槽急冷的单晶铜键合丝以红外干燥装置烘干；5）将干燥后的单晶铜键合丝经复绕分卷及真空包装后得到单晶铜键合丝产品。按照本发明生产的单晶铜键合丝能大大提高产品的抗氧化性能，并保证其性质均一、表面清洁干燥，有效提高单晶铜键合丝产品的封装性能，本方法生产工艺过程简单，操作简便。
一种提高单晶铜键合丝封装性能制备工艺

[发明专利]一种单晶铜镀金复合键合丝及其制备方法-CN201310298683.9有效
发明人：李雷;常富鼎;赵拥军;宋茂斌;江波;王付装;石磊 -专利权人：河南九发高导铜材股份有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶铜镀金复合键合丝的制备方法，该方法包括以下步骤：①单晶铜线的制备：将铜锭经熔化后进行定向凝固，然后对单晶铜杆进行拉拔，得到铜线；②单晶铜线表面镀金预处理；③对单晶铜线表面进行镀金；④对镀金后的单晶铜复合键合线进行拉拔。一种该方法所得的单晶铜镀金复合键合丝，所述单晶铜镀金复合键合丝包括：单晶铜基体和单晶铜基体外的镀金层，所得的单晶铜镀金复合键合丝的直径为8～25μm，电阻率小于1.72×10^-8Ωm本发明有以下优点：①解决了普通铜丝延伸率低的问题，能够制备低弧度超细单晶铜丝；②确保了键合丝的抗氧化性和耐腐蚀性；③设备投资低；④成本远低于金键合丝，能够大面积推广应用。
一种单晶铜镀金复合键合丝及其制备方法

[发明专利]镀金铜钯合金单晶键合丝及其制造方法-CN201310081430.6无效
发明人：徐云管;彭庶瑶;梁建华 -专利权人：江西蓝微电子科技有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀金铜钯合金单晶键合丝及其制造方法，镀金铜钯合金单晶键合丝的基体材料由下列重量百分比的原材料组成：金（Au）：4%—8%、钯（Pa）：0.03%—0.08%、钙（Ca）：0.0001%—0.0003%、混合型稀土（Re）：0.0002%—0.0008%，其余为铜。其制造方法包括：提取纯度大于99.9995%的高纯铜，制备成铜合金铸锭，再制备成铜钯合金铸态单晶母线，经粗拔和热处理后，在其表面镀金，再经精拔、热处理、表面清洗、分卷定尺。本产品可以有效提升键合丝的抗氧化性能，使其抗氧化性与键合金丝相当，大大延长键合丝产品拆封后的保质期；内部加入钯、钙、稀土等元素使得该产品比其它方式生产的同类型产品机械强度更高，有利于进一步缩小键合丝的线径
镀金合金单晶键合丝及其制造方法

[发明专利]镀金银钯合金单晶键合丝及其制造方法-CN201410019815.4在审
发明人：徐云管;李湘平;彭庶瑶;梁建华 -专利权人：江西蓝微电子科技有限公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：镀金银钯合金单晶键合丝及其制造方法，涉及微电子后道封装工序用金属键合丝及其制造方法。组成键合丝的材料各成分为：金、钯、铜、钙、铍、铕、镧、其余为银，之和等于100%。依次采用以下步骤制成：①提取高纯银；②制备成银合金铸锭；③连铸成铸态银钯合金单晶母线；④粗拔；⑤热处理；⑥表面镀金；⑦精拔；⑧热处理；⑨表面清洗；⑩分卷。本发明所述镀金银钯合金单晶键合丝是一种具有黄金类键合丝的优点、又具有银基类键合丝的优点、且价格相对低廉的一种新型键合丝。该键合丝价格比较低廉、电气性能优异、抗氧化性能好、性能稳定可靠。
镀金合金单晶键合丝及其制造方法

[发明专利]一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法-CN201510133949.3在审
发明人：陈晓东 -专利权人：鹰潭瑞兴铜业有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法，该键合引线是由下列重量百分比的原料组成：银4%，钯0.03%，混合型稀土0.0002%，其余为铜，其制造方法包括：制备铜合金铸锭，连铸成铸态单晶母线，粗拔，热处理，表面镀银，精拔，热处理，表面清洗，本发明可以有效提升键合引线的抗氧化性能，有利于进一步缩小键合引线的线径，缩短焊接间距，更加适用于高密度，多引脚集成电路封装。
一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法

[发明专利]键合态TiAl单晶及其扩散键合工艺方法-CN202211655012.9在审
发明人：李鹏;邢智斌;孔令为;舒予;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了键合态TiAl单晶及其扩散键合工艺方法。对焊缝处进行EBSD等试验表征，结果表明：焊接之前将TiAl单晶待焊面表面粗糙度降低至200nm以下，压力在10～50MPa之间，焊接温度在950～1250℃之间，保温时间为1～10h时TiAl单晶样品焊合率在90％以上，实现了有效扩散键合；在10～30MPa压力下，焊接温度在1050～1150℃之间，保温时间为3～10h时焊缝处无再结晶生成，完全通过原子之间直接键合，进一步优化实现了TiAl单晶的无再结晶原子级扩散键合，焊合率高达95％以上。本发明操作方法简单、节能环保、可批量进行压焊，从而得到大尺寸键合态TiAl单晶。
键合态 tial 及其扩散工艺方法

[发明专利]单晶铜键合丝的制备方法-CN200810017812.1无效
发明人：丁雨田;曹军;胡勇;许广济;寇生中 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： B21C1/00 文献下载
摘要：单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：采用高真空炉将纯度高于99.995％高纯铜熔化，升温到1100～1180℃，精炼60～120分钟，整个熔炼过程采用高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ4～φ8mm单晶铜杆，然后冷加工至φ0.95～φ1.102mm，每道次拉拔加工率为15～25％，然后分为47～70个道次，采用每道次加工率为7.59～17.82％将单晶铜杆拉制0.020～0.05mm，拉丝时温度为35～45℃，将单晶铜键合丝表面采用超声波清洗，将清洗后的单晶铜键合丝进行热处理，采用H₂+Ar₂保护，温度为410～425℃，时间为0.7～2.0s
单晶铜键合丝制备方法

[实用新型]单晶铜键合线退火机供气装置-CN201320216388.X有效
发明人：李勇;周峰 -专利权人：滕州晨晖电子集团有限公司
申请日： 2013-04-20 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：一种单晶铜键合线退火机供气装置，其主要特征是采用集中供气的方式，在工作车间外设一个大的氢气罐和一个大的氮气罐，通过不锈钢管给每个单晶铜键合线退火机供气。在氢气罐和氮气罐出气口处设总阀门，在每个单晶铜键合线退火机处的供气管分别设一个退火机阀门，控制每台单晶铜键合线退火机的供气量。
单晶铜键合线退火供气装置

[发明专利]一种键合铜丝及其制备方法-CN200610154485.5有效
发明人：房跃波;郑志法;郑康定 -专利权人：宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合铜丝及其制备方法。该键合铜丝材料配方重量百分比为：钙0.0005～0.001％，铈或钛0.0003～0.0007％，余量为铜，其含量≥99.996％。其制备方法为：a.提供铜材料，b.电解提纯得99.999wt％的提纯铜，c.金属单晶水平连铸得到99.9999wt％的单晶铜，d.制作中间合金，e.按所述键合铜丝材料配方加入过程c和d制得的单晶铜和中间合金进行金属单晶水平连铸，制得键合铜丝坯料，f.拉伸，g.退火，h.分卷，i.真空包装。该键合铜丝价格低廉，具有较好的机械性能和抗氧化性能，保证了流畅的封装键合过程。
一种铜丝及其制备方法

[实用新型]一种单晶铜键合线表面清洗速干机构-CN201920221813.1有效
发明人：段建平;毛正霞 -专利权人：济宁市兖州区神泰电子科技有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： F26B13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶铜键合线表面清洗速干机构，包括箱体，所述箱体的顶部固定连接有鼓风机，所述鼓风机的一侧固定连通有进风管，所述鼓风机的底部固定连通有出风管，所述箱体的两侧均固定连接有定位板。本实用新型通过鼓风机、梯形出风口和单晶铜键合线本体的配合使用，能够使得鼓风机产生风力，使得单晶铜键合线本体表面得到干燥和冷却，通过电机、转轴、转杆和圆形轮的配合使用，通过电机转动，能够使得整体单晶铜键合线本体随着圆形轮有序的转动，该单晶铜键合线表面清洗速干机构解决了烘干效率低下，烘干时键合线表面容易再次发生氧化，影响产品质量的问题，具备使用方便，实用性好，适用范围广的优点。
鼓风机键合线单晶铜本实用新型表面清洗固定连通圆形轮速干干燥和冷却电机转动烘干效率铜键合线影响产品整体单晶出风管出风口定位板进风管烘干转杆转轴转动电机风力

[实用新型]一种单晶铜键合线退火后的快速冷却装置-CN201820894942.2有效
发明人：段建平;毛正霞 -专利权人：济宁市兖州区神泰电子科技有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶铜键合线退火后的快速冷却装置，包括外壳，所述外壳内部的上方设置有冷却管。本实用新型通过气泵将氮气输送到冷却管的内部对单晶铜键合线进行快速降温，配合第一导气管将使用后的氮气进行回收并输送至冷凝管和压缩机，进而对氮气进行冷却和压缩，从而对氮气进行循环利用，减少生产成本和提高对单晶铜键合线的冷却速度，且避免单晶铜键合线发生氧化而影响生产质量，且该种单晶铜键合线退火后的快速冷却装置通过洗液池过滤掉空气中的氧气，配合过滤仓过滤掉水份和杂质，进而从空气中获取大量氮气，从而减少企业的生产材料的消耗并避免了人工添加冷却材料带来的人员成本的开销
单晶铜键合线氮气退火快速冷却装置本实用新型冷却管过滤冷却快速降温冷却材料人员成本生产材料外壳内部循环利用影响生产导气管过滤仓冷凝管洗液池压缩机气泵水份生产成本氧气配合消耗回收压缩

[发明专利]键合铜丝及其制备方法-CN200610154487.4有效
发明人：房跃波;郑志法;郑康定 -专利权人：宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合铜丝，其材料配方重量百分比为：铈0.0005％～0.001％，锌或锡0.0003％～0.0008％，余量为铜，铜的纯度≥99.996％；本发明还公开了该键合铜丝的制备方法，它包括：用纯度为99.99wt％的铜电解提纯出纯度为99.999wt％的铜；经金属单晶水平连铸方法制作出纯度为99.9999wt％的单晶铜；制作中间合金；按材料配方将纯度为99.9999wt％的单晶铜与中间合金经金属单晶水平连铸方法制作出本键合铜丝的坯料该键合铜丝能替代键合金丝且其材料本身具有能避免第二焊点逃丝及可去掉危险保护气体——氢气的性质。
铜丝及其制备方法

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