专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果9851854个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]共晶键合的方法-CN201510707366.7有效
  • 黄锦才;刘玮荪 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2015-10-27 - 2018-08-10 - H01L23/485
  • 一种铝共晶键合的方法,包括:提供第一晶圆和第晶圆,所述第一晶圆具有第一中央区域和第一边缘区域,所述第晶圆具有第中央区域和第边缘区域;在所述第一晶圆的第一边缘区域上形成铝键合层;在所述铝键合层中形成贯穿铝键合层厚度的第一状凹槽和环绕第一状凹槽的第状凹槽,所述第一状凹槽和第状凹槽之间的铝键合层为中心铝键合层;在所述第晶圆的第边缘区域上形成键合层,且所述键合层的键合表面面积小于等于所述中心铝键合层的键合表面面积;将所述键合层的表面与所述中心铝键合层的表面进行键合
  • 铝锗共晶键合方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310403524.4在审
  • 李永亮;刘昊炎;贾晓锋;罗军;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-04-14 - 2023-07-18 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,以利于使得第一栅晶体管和第栅晶体管采用相同的栅堆叠结构。所述半导体器件包括:半导体基底、第一栅晶体管和第栅晶体管。第一栅晶体管形成在半导体基底上。第栅晶体管形成在第一栅晶体管的上方。第一栅晶体管和第栅晶体管的导电类型相反。第一栅晶体管和第栅晶体管中的一者为无结型晶体管、另一者为结型增强型晶体管。第一栅晶体管和第栅晶体管中的一者包括的沟道区具有第一硅沟道部,另一者包括的沟道区具有第硅沟道部、以及环绕在第硅沟道部外周的第一含沟道部。第一栅晶体管和第栅晶体管包括的栅堆叠结构的材料相同。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [外观设计]壶(摩洛哥)-CN201730540689.1有效
  • 何春兰 - 何春兰
  • 2017-11-06 - 2018-05-15 - 07-01
  • 1.本外观设计产品的名称:壶(摩洛哥)。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于盛装液体。3.本外观设计产品的设计要点:在于各视图所表达的产品形状。
  • 摩洛哥
  • [外观设计]鱼竿(银-CN202130097662.6有效
  • 李立达 - 李立达
  • 2021-02-18 - 2021-06-11 - 22-05
  • 1.本外观设计产品的名称:鱼竿(银)。2.本外观设计产品的用途:用于钓鱼的工具。3.本外观设计的要点:在于产品的形状。4.最能体现本外观设计要点的图片或照片:立体图。
  • 鱼竿银二环

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top