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[实用新型]金属铪的双罐还原装置-CN202222803559.0有效
发明人：丁锦明;成瑞清 -专利权人：南通晶朋新材料科技有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了金属铪的双罐还原装置，包括还原罐：所述还原罐通过连接管固定连接有处理罐，所述处理罐的内侧设置有处理机构，所述还原罐的外侧设置有进料管，所述还原罐的上侧设置有抽空管。通过设置有水箱、输送管、连通板、喷头与限位框，方便对金属铪提取时，高温蒸馏产生的氯化氢被喷头喷出的气流进行处理，避免滤氯化氢排出污染周围环境，影响到工作人员的身心健康。
金属还原装置

[实用新型]一种氯化铪合成装置-CN202022594145.2有效
发明人：赵毅;施旖旎;吴冬辉 -专利权人：大连科利德光电子材料有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： B01J19/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氯化铪合成装置，具体涉及氯化铪合成技术领域，包括混合罐和底板，所述底板的顶端设置有冷却机构，所述冷却机构的顶端设置有混合罐，所述混合罐顶端的两侧分别固定连接有一组加料口，所述加料口的顶端设置有密封结构本实用新型通过设置有支架、支撑板、齿条板、驱动槽、电机、摇杆、滑槽和弧形齿板，在将制备氯化铪的元素加入混合罐的内部后加热时，启动电机带动摇杆转动，摇杆带动驱动槽作往复运动，驱动槽同样带动齿条板作往复运动，从而带动顶部与冷却机构和混合罐连接的弧形齿板作往复运动，是实现了可以对混合罐进行摇晃，提高在制备氯化铪时元素的混合速率。
一种氯化合成装置

[发明专利]具有不同配体的双环铪茂金属-CN202280009627.6在审
发明人： A·I·帕迪拉-艾科韦杜;R·A·贝利;R·L·库尔曼;M·麦克杜格尔;T·L·布莱南;D·M·皮尔森;S·M·怀特德 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C07F17/00 文献下载
摘要：本公开的实施方案涉及具有不同配体的双环铪茂金属和包含具有不同配体的双环铪茂金属的组合物。该具有不同配体的双环铪茂金属由式(I)：ABMX2表示，其中：A是双环结构；并且B是环戊二烯基；M是铪；并且X是离去基团，其中该双环结构包括((C1‑C6)烷基)n取代的Cp环和与该((C1‑C6烷基)n取代的Cp环稠合的非芳香族环状结构，使得该双环结构包括7至9个环碳原子，并且其中下标n是1、2或3。
具有不同双环铪茂金属

[发明专利]一种三罐法镁还原生产海绵锆（铪）的工艺方法-CN202310829930.7在审
发明人：黄绍荣;吴建勋;涂征烈;张小龙 -专利权人：四川铖特新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种三罐法镁还原生产海绵锆(铪)的工艺方法，涉及海绵锆生产技术领域，原材料的升华还原反应：将四氯化锆(铪)装入升华反应罐、镁装入还原反应罐中,使四氯化锆升华、镁的熔融及还原反应分别在升华反应罐与还原反应罐中进行；海绵锆混合体的获得：在两个反应罐之间联接电热通道,控制通道温度高于四氯化锆升华温度,当镁在坩埚中熔融,ZrCl4在升华炉中升华成气体。本发明三罐法镁还原生产生产海绵锆是一个升华反应罐配两个还原反应罐，分别用带有管道阀电热通道联接，还原反应罐轮流使用，避免了海绵铪在蒸馏除杂期间升华反应罐的冷却闲置，提高生产系统的热效率和生产能力。
一种三罐法镁还原生产海绵工艺方法

[实用新型]核级海绵铪双罐还原装置-CN201420371240.8有效
发明人：郑旭;马云燕;陈立新 -专利权人：龙南新能锆业有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种核级海绵铪双罐还原装置，包括还原电阻炉和升华电阻炉，且还原电阻炉和升华电阻炉的炉体周围均安装有纤维模块，所述还原电阻炉内装有还原反应器，还原反应器内装有反应坩埚，还原反应器的顶盖上安装有抽空管本实用新型采用中型装置进行生产海绵铪的控制技术设备，实现HfCl4气体浓度及反应速度达到理想的控制效果，所生产的海绵铪质量稳定，减少了环境污染，黑粉少，回收率高；减少了环境污染，降低了产品能耗。
海绵铪双罐还原装置

[发明专利]一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用-CN202210821415.X在审
发明人：张吴闻博;蒋艳平;唐新桂 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用。本申请提供的氧化铪基阻变储存器的高阻值和低阻值之比高于没有掺杂镧的氧化铪阻变储存器，具有优异的双极阻变效应，说明本申请提供的氧化铪基阻变储存器通过对阻变功能层氧化铪薄膜掺杂镧，提高了氧化铪基阻变储存器的开关比，同时提高了氧化铪基阻变储存器的循环擦写的稳定性，本申请提供的氧化铪基阻变储存器解决了现有阻变储存器的储存性能还有待提高的技术问题。
一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法应用

[发明专利]一种制备金属铪薄膜材料的方法-CN200410098996.0无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备用于半导体技术领域金属铪薄膜材料的方法。
一种制备金属薄膜材料方法

[发明专利]一种萃取分离锆铪的双磷酸萃取剂及其制备方法-CN201911097791.3有效
发明人：崔玉;赵嘉琳;赵奕铭 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C07F9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于锆铪萃取分离的新型双磷酸萃取剂N,N—正辛胺二（亚甲基苯次磷酸)及其制备方法。此萃取剂合成方便，油溶性好且具有很好的稳定性。N,N—正辛胺二（亚甲基苯次磷酸)对锆铪有很强的萃取能力，相同条件下萃取率远远超过常见的酸性有机磷萃取剂。在保证萃取率的同时，此双磷酸萃取剂优先萃取锆，解决了锆铪萃取率低、分离效果差的问题。
一种萃取分离磷酸及其制备方法

[发明专利]一种双磷酸萃取剂用于萃取分离锆铪的方法-CN201911098592.4有效
发明人：崔玉;赵嘉琳;赵奕铭 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用新型双磷酸萃取剂N,N—正辛胺二（亚甲基苯次磷酸)萃取分离锆铪的方法，萃取率远远超过常见的酸性有机磷萃取体系，主要解决了锆铪萃取率低、分离效果差的问题。N,N—正辛胺二（亚甲基苯次磷酸)在不同酸度下对锆铪均有很好的萃取效果，并优先萃取锆。通过反萃回收锆铪离子，反萃率高达99%以上，有机相可重复利用。本技术萃取率高、分离效果好、污染小、成本低，可用于锆铪分离的工业生产中。
一种磷酸萃取用于分离方法

[实用新型]一种金属铪双罐还原装置-CN202021233378.3有效
发明人：傅心涛;董军明 -专利权人：江西晶晖锆铪新材料科技有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：实用新型涉及有色金属冶炼技术领域，尤其涉及一种金属铪双罐还原装置，包含电阻炉，所述电阻炉上分别固定有还原反应器和升华反应器，所述还原反应器上方固定有还原炉盖，所述还原炉盖上固定有抽空管，所述升华反应器上方固定有升华炉盖
一种金属铪双罐还原装置

[发明专利]一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法-CN202210104274.X有效
发明人：孙捷;刘义锋;牛萌;杜佳怡;严子雯;田亮;聂君扬;严群;杨天溪;黄忠航 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。
一种化学沉积法制氧化薄膜方法

[发明专利]一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法-CN202210609538.7在审
发明人：孟佳琳;王天宇;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法。该具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；铪基铁电背栅介质，其为正交相，覆盖所述背栅电极；二维沟道材料，形成在所述铪基铁电背栅介质上，其在水平方向的投影与背栅电极在水平方向的投影有交叠；源电极和漏电极，形成在所述二维沟道材料两端；铪基铁电顶栅介质，其为正交相，覆盖上述器件；顶栅电极，形成在所述铁电顶栅介质上，其在水平方向的投影与二维沟道材料和背栅电极在水平方向的投影有交叠，在垂直方向上实现基于双铁电耦合的双突触调控
一种具有垂直结构神经突触存储器及其制备方法

[发明专利]应变黑磷CMOS场效应晶体管及其制备方法-CN202110758625.4在审
发明人：周春宇;李作为;关义春;耿欣;李书林;蒋巍;贺博 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种应变黑磷CMOS场效应晶体管及其制备方法，本发明提供的应变黑磷CMOS场效应晶体管包括二氧化硅衬底、二氧化硅外延层、二氧化铪层、应变黑磷层和本征黑磷层、二氧化铪栅介质层、源漏电极和栅电极；二氧化铪层使用激光辅助结晶方法生长单层黑磷，经高温退火铪原子扩散至单层黑磷产生双轴压应力，得到作为NMOS沟道的应变黑磷层；在二氧化硅外延层上生长作为PMOS沟道的单层本征黑磷层；本发明通过对单层黑磷施加双轴压应力该晶体管易于与传统硅基半导体器件集成，单层本征黑磷和在双轴压应力下的单层应变黑磷具有较高的载流子迁移率，能有效抑制短沟道效应。
应变黑磷 cmos 场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法-CN200410009816.7无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-11-18 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化铪(HfCl₄)固体粉末和氮气(N₂)分别作为产生同位素纯低能金属铪离子(+)束和氮离子(N⁺)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化铪(本发明的生长工艺便于调控和优化，可制备得到具有原子尺度光滑平整的高结晶质量氮化铪(HfN)薄膜，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。
利用离子束外延生长设备制备氮化薄膜材料方法

[实用新型]含铪合金的制备装置-CN202222962034.1有效
发明人：丁锦明;成瑞清 -专利权人：南通晶朋新材料科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B01F27/96 文献下载
摘要：本实用新型公开了含铪合金的制备装置，涉及含铪合金的制备技术领域，其包括：支撑架，所述支撑架的上表面固定连接有安装板，所述安装板上固定连接有制备腔体，所述制备腔体的上部固定连接有进料斗，所述进来斗上设置有堵片，所述进料斗上卡合连接有原料罐，所述原料罐的上部固定连接有加料端，所述加料端上设置有加料盖，所述原料罐的外表面设置有刻度线，所述原料罐的下部固定连接有出料管，所述制备腔体上设置有顶盖。通过设置的分散盘，可以在搅拌叶搅拌之前进行初步分散混合，搅拌的手段丰富，提高了搅拌混合的效率，而且原料罐、进料斗的设置，可以对每种原料进行定量添加，提高了制备的精度和效率。
合金制备装置

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