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- [发明专利]一种纳米铟粉的制备工艺-CN201410234922.9无效
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王学猛;贾晓慧;曲洋
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洛阳理工学院
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2014-05-30
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2014-08-20
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B22F9/24
- 本发明涉及一种纳米铟粉的制备工艺，包括以下步骤：（1）取铟盐和去离子水配制铟盐溶液；（2）取聚乙烯吡咯烷酮溶液或者聚乙烯醇溶液加入步骤（1）得到的铟盐溶液中，搅拌后得到混合溶液，然后将混合溶液置入恒温水浴槽中，恒温至10～35℃；（3）在恒温条件下，边搅拌混合溶液边滴加羟胺溶液，滴加完毕后继续搅拌7～10min，滤出沉淀，将沉淀分别用去离子水和无水乙醇各洗涤四次，干燥后得到粒径小于400nm的铟粉；本发明的制备方法通可溶性的铟盐（三氯化铟、硫酸铟或硝酸铟），在常温常压（10～35℃）下即可制取粒径小于400nm的铟粉，且得到的铟粉粒度分布范围小。
- 一种纳米制备工艺
- [发明专利]氧化铟锡膜及其制作方法-CN201110302041.2无效
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杨能辉
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光洋应用材料科技股份有限公司
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2011-10-09
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2013-04-10
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C23C14/08
- 本发明关于一种氧化铟锡膜及其制法。该氧化铟锡膜包括：氧化铟锡主体层；以及设置于主体层上的氧化铟锡覆盖层；其覆盖层中O/(In+Sn)的原子比值小于主体层中O/(In+Sn)的原子比值，且覆盖层的厚度介于50至200埃之间。本发明还提供了一种氧化铟锡膜的制作方法，包括下列步骤：(A)、在氧气与氩气环境下沉积一氧化铟锡主体层；以及，(B)、在氩气与氢气环境下，于所述氧化铟锡主体层上沉积一氧化铟锡覆盖层，以制得上述氧化铟锡膜。本发明提供的氧化铟锡膜中的覆盖层可提供电性稳定作用，避免退火工艺对薄膜电性的影响，以形成具备绝佳透光率及导电性的氧化铟锡膜。
- 氧化铟锡膜及其制作方法
- [发明专利]半导体材料磷化铟的快速合成-CN200910071104.0无效
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李伟;关庆鑫;李健;郝海红
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李伟
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2009-11-03
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2010-04-28
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C01B25/08
- 本发明提出一种快速地合成半导体材料磷化铟(InP)的新方法。本发明中采用硝酸铟为铟源焙烧后得到氧化铟(In2O3)，将氧化铟浸渍次磷酸盐溶液后烘干得到前体，对前体进行简单的短时间低温热处理即可合成磷化铟。通过在载体上浸渍硝酸铟，烘干后焙烧可以得到负载型氧化铟，将其与次磷酸盐溶液浸渍后烘干得到前体，对前体进行简单的短时间低温热处理便可以制备负载型磷化铟。本发明的特点在于此方法既可以制备非负载型磷化铟，又可以制备负载型磷化铟。整个制备过程简单、所用原料安全，制备周期非常短。该类材料的电子迁移率比硅大，禁带宽度比硅宽，是一种更加优越的半导体材料。
- 半导体材料磷化快速合成
- [实用新型]高刚性锭子-CN202020439466.2有效
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张炳熙;束长美;殷丹平
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江苏展东纺织机械专件有限公司
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2020-03-31
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2021-03-26
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D01H7/04
- 本实用新型公开了一种高刚性锭子，包括转动支承在锭脚上的锭杆，在锭杆上固连有锭盘，所述锭杆包括锭杆上部、锭杆中部和锭杆下部，所述锭盘与锭杆下部固连，所述锭杆中部呈管状，在呈管状的锭杆中部的管壁上设有若干穿孔，该若干穿孔沿周向均布有若干列，所述穿孔为椭圆孔，椭圆孔的长轴与锭杆轴向平行，所述锭杆上部和锭杆下部分别插接固连在锭杆中部两端，在锭杆上部上设有筒管上支承部，在锭盘上设有筒管下支承部。采用本实用新型的高刚性锭子能具有较轻的锭杆重量，同时还具有较高的刚性。
- 刚性锭子
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