“铟钼镨靶材”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果317620个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种氧化铟钼镨靶材及其制备方法-CN202211616206.8在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;谭洪蕾;罗斯诗 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本申请涉及金属氧化物靶材制造领域，公开了一种氧化铟钼镨靶材的制备方法，包括以下步骤将In2O3粉末、MoO11粉末、分散剂混合并分散，分散后加入粘结剂混合，一起经湿法球磨得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，喷雾造粒后得到细粉与粗粉，将细粉与粗粉按一定比例混料后，得氧化铟钼镨靶材前驱体；将步骤2前驱体装入模具中进行真空成型，得到氧化铟钼镨素胚；将氧化铟钼镨素胚进行烧结，即得高密度的氧化铟钼镨靶材；本申请通过将大粒径的粗粉与小粒径的细粉混合，以制备出具有高致密度的氧化铟钼镨靶材，同时，我们惊奇地发现，当特定的粒径下，以特定的粗细粉比例制备出的氧化铟钼镨在具有较高成型率的同时又具有更加优异的致密度。
一种氧化铟钼镨靶材及其制备方法

[发明专利]掺杂钼的氧化铟靶材制备方法和掺杂钼的氧化铟靶材-CN202010755647.0在审
发明人：雷雨;许积文;周志宏;肖世洪;周昭宇;杨永添 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂钼的氧化铟靶材制备方法和掺杂钼的氧化铟靶材，其中，掺杂钼的氧化铟靶材制备方法包括：将靶材原料通过二段研磨，获取浆料；对浆料进行造粒，获取粒料；通过粒料制备获取掺杂钼的氧化铟靶材；其中，靶材原料包括氧化铟粉末和氧化钼粉末，其中，将靶材原料通过二段研磨，获取浆料的步骤，具体包括：通过球磨工艺处理靶材原料，获取一段浆料；通过砂磨工艺处理一段浆料，获取到中值粒径为0.1μm至0.32μm的浆料其中靶材采用上述的靶材制备方法制备而成，该靶材致密度高，且成分分布均匀性好，用该靶材制备的透明导电薄膜有助于红外波段光的透射。
掺杂氧化铟靶材制备方法

[发明专利]薄膜晶体管用薄膜的制备方法-CN202011642912.0在审
发明人：汤惠淋;宋世金;朱刘;邵学亮 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管用薄膜的制备方法，其包括步骤：步骤一：将掺镨的IGZO靶材安装；步骤二：衬底清洗；步骤三：直流磁控溅射生长镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜，其中，所述的掺镨的IGZO靶材为IGZO靶材远离背板的一侧表面镨掺杂质量浓度的范围为15％～20％，随着靶材深度每增加0.3～0.7mm，镨掺杂浓度增加0.2％～0.6％；掺镨的IGZO靶材的密度≥6.642g/cm3。本公开通过提供一种浓度梯度的靶材，随着溅射沟道的加深，靶材组分梯度的变化，使得溅射获得的薄膜组分均一，透明导电性能稳定。
薄膜晶体管用制备方法

[发明专利]一种旋转钼靶材的焊接方法-CN201610762764.3有效
发明人：张学文;胡清熊;祝永华;李云 -专利权人：常州苏晶电子材料有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明涉及靶材焊接技术领域，更具体地说，涉及一种旋转钼靶材的焊接方法，该方法包括：材料准备、在竖直方向上的第一旋转钼靶材的焊接、将焊接装置倒立后的第二旋转钼靶材的焊接以及第三旋转钼靶材的焊接。本发明的技术方案中采用的铟基钎料可完全满足靶材的导电导热性能要求，铟基钎料及背管可以循环使用，采用竖立钎焊方式可方便操作者对旋转钼靶材与背管相对稳定尺寸的获得，靶材内部残余应力较低，工艺操作简单，方便实用
钼靶材焊接靶材背管铟基导电导热性能焊接技术领域材料准备残余应力方便操作工艺操作焊接装置钎焊方式倒立钎料竖直竖立

[发明专利]一种氧化物旋转靶材及其制备方法-CN202111082716.7在审
发明人：张来稳;邵学亮;李开杰;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物旋转靶材及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)将氧化镨粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末和氧化铟粉末混合，加入分散剂、粘结剂、水和消泡剂球磨得到混合浆料；(2)将混合浆料进行喷雾造粒，得到氧化物转靶材用粉体；(3)将氧化物转靶材用粉体导入模具进行冷等静压成型，得到靶材坯体；(4)将靶材坯体进行脱脂热处理，冷却至常温后进行烧结处理，自然冷却后得到所述氧化物旋转靶材。本发明一方面将氧化镨掺杂铟嫁锌氧化物，提高靶材的载流子迁移率，降低靶材的电阻率。另一方面，通过本发明所述方法制备为管状氧化物旋转靶材，溅射的氧化物薄膜均匀性、稳定性更好，回收利用更经济，薄膜载流子迁移率高。
一种氧化物旋转及其制备方法

[发明专利]钠掺杂钼旋转靶材及其制备方法-CN201510162748.6有效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种钠掺杂钼旋转靶材，由钼原子、钠原子和氧原子组成，其中钼原子数占原子总数的85‑99%，其余为钠原子和氧原子，钠原子和氧原子的数量比为12。本发明还提供上述钠掺杂钼旋转靶材的制备方法。本发明提供的钠掺杂钼旋转靶材在钼背电极中掺杂了钠元素，能够大幅提高铜铟镓硒薄膜电池的转换效率，降低生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。该制备方法以三氧化钼、氢氧化钠和钼金属为原料，经过反应、球磨、过筛、真空或保护气氛等离子喷涂等工艺制成钠掺杂钼旋转靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到95%以上、氧密度小于
掺杂旋转及其制备方法

[发明专利]一种高价元素掺杂的氧化铟锡材料及其制备方法和应用-CN202310075225.2在审
发明人：陈露;葛春桥;柳春锡;廖锋尧;李强;钟威平 -专利权人：中山智隆新材料科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于光伏电池技术领域，提供了一种高价元素掺杂的氧化铟锡材料及其制备方法和应用，本发明提供的高价元素掺杂的氧化铟锡靶材包括一定配比的氧化铟、氧化锡、X的氧化物，其中X为钼、钨、铬、钽、铌、钒中的一种，本发明提供的氧化铟锡靶材的密度7.08‑7.11g/m3，靶材电阻率(0.003‑0.025)×10‑2Ω·cm，晶粒尺寸5.5‑11.5μm，本发明提供的高价元素掺杂的氧化铟锡靶材可用作光伏电池用靶材，在基材上沉积TCO薄膜，以较低的掺杂量，在保持较低的自由载流子浓度下，提高了TCO薄膜的透光率和迁移率。
一种高价元素掺杂氧化材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法-CN202011641556.0在审
发明人：汤惠淋;宋世金;朱刘;邵学亮 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提出一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法，包括：安装靶材；清洗衬底；通过直流磁控溅射在衬底上生长薄膜；靶材使用中，监测靶材的沟道深度，沟道深度每增加0.1mm，则溅射功率增加0.02‑0.15W本发明的使用方法能够获得组分均一、厚度无明显差异、以及透明导电性能稳定的镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜，解决了因靶材沟道加深而导致的同批次薄膜的厚度误差较大的问题，有效提高了靶材的利用率。
一种迁移率 tft 器件用靶材使用方法

[发明专利]镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法-CN201110075427.4无效
发明人：何军辉;刘振华;刘拥军 -专利权人：扬州大学
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶；将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低，相对密度较高，电阻率更低的特性。
镓钼共掺杂氧化物陶瓷透明导电薄膜制备方法

[发明专利]一种大尺寸溅射硅靶材-CN201510193687.X有效
发明人：周斌 -专利权人：南京帝优新材料科技有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸溅射硅靶材，所述的硅靶材为圆形靶材，直径为300—500毫米，所述的硅靶材由三层结构组成：硅靶层、钼背靶层及位于硅靶层和钼背靶层中间的焊接层，所述的硅靶层的成分为高纯多晶硅或单晶硅，所述的钼背靶层的成分为高纯钼，所述的焊接层的成分为金属铟。本发明具有如下技术效果：1）表面粗糙度低，不超过当前通用产品Ra值的1/2；2）焊接结合率高，大于96.5%，超过95%工业水平；3）采用新型背靶材料，使靶材与背靶的导热系数接近，避免因受热不均导致的靶材变形等问题；4）背靶使用寿命高，比现通用产品使用寿命提高一倍以上；5）靶材的晶粒度控制佳，平均晶粒度可控制在100μm以下，远低于当前200μm的产品标准。
一种尺寸溅射硅靶材

[发明专利]一种氧化物平面靶及其制备方法-CN202111081160.X在审
发明人：李开杰;邵学亮;张来稳;司振华;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物平面靶及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)将氧化镨、氧化铟、氧化镓和氧化锌粉末混合，研磨制浆得到混合浆料，将混合浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉；(2)将造粒粉进行模压、冷等静压成型得到靶材素坯；(3)将靶材素坯的棱和顶角打磨为R角；(4)将打磨后的靶材素坯烧结，得到氧化物平面靶。本发明将靶材素坯的棱和顶角打磨为R角，使靶材素坯在烧结过程中受力均匀，提高烧结成品率，也提高氧化物平面靶的载流子迁移率和相对密度。
一种氧化物平面及其制备方法

[发明专利]一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法-CN201310099385.7有效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种钠掺杂钼平面溅射靶材，由钼和钠构成，由钼和钠组成，其中钼原子数量为90-99%，其余为钠原子。还提供上述钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法。本发明提供的钠掺杂钼平面溅射靶材在钼背电极中掺杂了钠元素，能够大幅提高铜铟镓硒薄膜电池的转换效率，降低生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。该制备方法以三氧化钼、氢氧化钠和钼金属为原料，经过反应、球磨、过筛、热压等工艺制成钠掺杂钼平面溅射靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到95%以上、氧密度高可达250ppm
一种掺杂平面溅射制备方法

[发明专利]新型参杂锂之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池-CN201210061348.2无效
发明人：陈政宏;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2012-03-10 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明主要目的系一种新型参杂鋰之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池，此技术方法于使用真空溅镀法通入氩气并使用参杂鋰的钼金属靶材，制作参杂鋰之钼背电极，其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率，且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流，进而达到生产成本降低及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
新型参杂电极用于铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]新型参杂钠之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池-CN201210061345.9无效
发明人：陈政宏;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2012-03-10 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明主要目的系一种新型参杂钠之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池，此技术方法于使用真空溅镀法通入氩气并使用参杂钠的钼金属靶材，制作参杂钠之钼背电极，其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率，且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流，进而达到生产成本降低及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
新型参杂电极用于铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用-CN202211101976.9在审
发明人：陈明飞;刘永成;郭梓旋;王金科;徐胜利;陈明高;莫国仁;江长久;王志杰;李跃辉 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用。本发明的镧系金属掺杂IZO靶材按照质量百分比计包括：Ln系金属氧化物0.5％～10％、氧化铟60％～87％和氧化锌5％～15％，所述Ln系金属选自镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、本发明通过控制镧系金属掺杂IZO靶材中各成分的占比并结合化学共沉淀所制得的镧系金属掺杂IZO靶材具有致密性高、颜色均匀且溅射过程不易结瘤等优点，具有广泛的应用价值。
一种金属掺杂 izo 及其制备方法应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条