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[发明专利]铜锡晶界改性抗蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法-CN201410238082.3有效
发明人：倪俊杰;王文宏;贾正锋;王长征;马杰;李伟 -专利权人：聊城大学
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锡晶界改性抗蚀烧结钕铁硼磁体及其制备工艺。铜锡晶界改性抗蚀烧结钕铁硼磁体的通式为(RExFe100‑x‑y‑zCoyBz)100‑v(Cu100‑uSnu)v。本发明的有益效果是制得的磁体与未经铜锡合金晶界改性的磁体相比，具有更高的抗腐蚀能力；同时与现有磁体制备方法相比，利用高电位低熔点的铜锡合金进行晶界改性，降低了烧结和热处理温度，可以节约大量的能源，减少了材料的生产成本
一种铜锡晶界改性烧结钕铁硼磁体及其制备工艺

[发明专利]一种高性能铜镍锡硼合金及其合成方法-CN202310815860.X在审
发明人：刘仕超;王小宪;李新中;高佳;郭中凯;谭溢波;许松松;吴小香 -专利权人：上海陕煤高新技术研究院有限公司;苏州大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能铜镍锡硼合金及其合成方法，属于合金材料合成技术领域。本发明的高性能铜镍锡硼合金包括如下质量百分比的组分：Ni14～16％、Sn7～9％、B0.01～0.09％和余量铜。本发明添加了B元素，可以在晶界上和晶粒内析出Ni6.67SnB2相，该相可以同时稳定存在于铜镍锡合金的晶界处和晶粒内，有效调控铜镍锡合金时效过程中各析出相的析出行为，有效抑制不连续沉淀在晶界上的形核，并且钉扎晶界阻止不连续沉淀的生长，最终提高合金的力学性能。
一种性能铜镍锡硼合金及其合成方法

[发明专利]一种Ag‑Cu‑Sn晶界扩散添加剂及含有该晶界扩散添加剂的钕铁硼磁体-CN201710131195.7在审
发明人：韩珩;吴新谦;肖震;解伟;于荣海;钟炳文 -专利权人：龙岩紫荆创新研究院
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C22C5/08 文献下载
摘要：本发发明提供一种Ag‑Cu‑Sn晶界扩散添加剂，该晶界扩散添加剂包括银、铜、锡，以扩散添加剂总质量为100％，银、铜、锡的质量百分含量分别为银：55至65wt％；铜：25至35wt％；锡：5至15wt％本发明还把该Ag‑Cu‑Sn晶界扩散添加剂添加到钕铁硼磁体制备中。发明通过往钕铁硼磁体中添加Ag‑Cu‑Sn晶界扩散添加剂，可以使得钕铁硼磁体矫顽力获得改善，在生产中可以用Ag‑Cu‑Sn晶界扩散添加剂代替含有稀土元素的添加剂，在添加剂中不使用稀土元素也能使得制备而成的钕铁硼磁体具有较高的矫顽力
一种 ag cu sn 扩散添加剂含有钕铁硼磁体

[发明专利]镀锡铜端子材、端子以及电线末端部结构-CN201880030272.2有效
发明人：久保田贤治;樽谷圭荣;中矢清隆 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种镀锡铜端子材、由该端子材构成的端子以及使用该端子的电线末端部结构，该镀锡铜端子材具有：基材，由铜或铜合金构成；中间锌层，形成于所述基材上且由锌合金构成，并且厚度为0.10μm以上且5.00μm以下；及锡层，形成于所述中间锌层上且由锡或锡合金构成，并且小倾角晶界长度相对于总晶界长度所占的比率为2％以上且30％以下，该镀锡铜端子材有效地抑制电化腐蚀。
镀锡端子以及电线末端结构

[发明专利]一种含铜的耐热镁锡合金及其制备方法-CN201310626666.3有效
发明人：黄雪飞;张文征 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C22C23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种含铜的耐热镁锡合金及其制备方法，该耐热合金的组分由镁、锡、铜、锰四种元素或镁、锡、铜、锰和铝五种元素组成；各组分的质量百分比为：锡：6～8％、铜：1.8～2.5％、锰：0.5～1％、铝：0本发明合金组织由晶界连续分布的高熔点金属间化合物和晶内均匀弥散析出的沉淀相组成，合金成分不含稀土元素和贵金属元素，且熔炼工艺简单。本发明合金晶界硬度可达140HV以上；在200℃下时效峰值时晶内基体硬度可达到78HV，时效700小时硬度仍保持在75HV左右，高温组织稳定，耐蠕变性能好，具备商用潜力。
一种耐热合金及其制备方法

[发明专利]用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法-CN202210329619.1有效
发明人：殷华强 -专利权人：江苏恒盈电子科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22C9/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于信号放大器的耐热型半导体引线框架，具体涉及集成电路封装技术领域，包括以下原料：铁、磷、铬、钒、镍、铈、锡、镁、铍，余量为铜和不可避免的杂质。本发明通过在铜合金中加入锡元素，由于锡原子与铜原子半径相差较大，能够增加高温过程中材料内部位错滑移、攀移、重组的阻力，从而能够延缓回复再结晶过程，能够有效提高引线框架的再结晶温度，从而提高引线框架的耐热性能，铈易于在晶界处或晶界附近偏聚，对晶界的迁移产生阻碍作用，从而提高材料的动态再结晶激活能，可以抑制动态再结晶的进行，锡能够与铈、铁等元素相互作用形成Ce2Fe17、Ce5Sn3化合物，能够解决锡弱化晶界引起的热裂问题，提高引线框架的稳定性
用于信号放大器耐热半导体引线框架及其制备方法

[发明专利]螺旋选晶制备单晶85Cu-15Sn合金的方法-CN202111572442.X有效
发明人：邹军涛;宋大拙;张志伟;梁淑华 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了螺旋选晶制备单晶85Cu‑15Sn合金的方法，利用定向凝固炉，使用螺旋选晶的方法制备CuSn单晶合金，所述定向凝固炉包括结晶杆和螺旋选晶器；螺旋选晶器固定在结晶杆上；定向凝固使得合金凝固界面前沿具有较高的温度梯度，有利于生成定向晶，通过螺旋选晶的方法，制备了单晶Cu‑15Sn合金，得到了晶粒取向一致的铜锡合金，合金沿同一晶粒生长方向具有较大的弹性模量，消除了横向晶界，消除了裂纹扩展的主要条件，解决了传统铸造法制备的铜锡合金溶质偏析、塑性差的问题，使获得的铜锡合金组织分布均匀，综合性能优良。
螺旋制备 85 cu 15 sn 合金方法

[发明专利]电解铜电镀用含磷铜阳极、其制造方法及电解铜电镀方法-CN201180005807.9有效
发明人：中矢清隆;喜多晃一;熊谷训;加藤直树;渡边真美 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本发明提供可减少起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用含磷铜阳极及其制造方法、使用该含磷铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用含磷铜实施加工而施加加工应变后，进行再结晶化热处理，可具有将阳极表面的铜晶粒的晶界的全部晶界长度L换算为每1mm2单位面积的单位全部晶界长度LN与将特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ换算为每1mm2单位面积的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.4以上的晶界组织，在电解铜电镀初期均匀地形成黑膜，防止黑膜的脱落，从而减少电镀不良。
电解铜电镀用含磷铜阳极制造方法

[发明专利]电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法及电解铜电镀方法-CN201180018264.4有效
发明人：中矢清隆;喜多晃一;熊谷训;加藤直树;渡边真美 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本发明提供可减少残渣等颗粒的产生和起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法、使用该高纯度铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用高纯度铜实施加工而施加加工应变后，进行再结晶化热处理，可具有阳极表面的铜晶粒的晶界的单位全部晶界长度LN与特殊晶界的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.35以上的晶界组织，通过抑制在电解铜电镀浴中的阳极侧产生的残渣等颗粒的产生，可减少电镀不良。
电解铜电镀纯度阳极制造方法

[发明专利]一种氧退火钝化铜锌锡硫硒缺陷的方法及其应用-CN202310382233.1有效
发明人：辛颢;李苒;相春旭;郑媛元;相思彤;闫伟博 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧退火钝化铜锌锡硫硒缺陷的方法及其应用，其包括如下步骤：制备前驱体溶液、旋涂成膜、硒化处理、氧退火处理。本发明能够通过氧退火处理促进获得大晶粒、少晶界和无孔隙的铜锌锡硫硒薄膜，实现后续成品光电转化效率的提升。
一种退火钝化铜锌锡硫硒缺陷方法及其应用

[发明专利]通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力的方法-CN202210382943.X有效
发明人：王卫国;任帅;陈松;王宗谱;冯小铮 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明属于电池领域，公开了通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力的方法，包括以下步骤：对纯铜进行反复室温多向锻造，然后600℃再结晶退火10min，使其达到组织均匀化；将组织均匀化的纯铜进行小变形冷轧本发明通将纯铜经过小变形高温短时间退火得到初次再结晶组织，初次再结晶组织的晶界特征分布虽然已经具有一定比例的∑3特殊晶界，但是其中共格孪晶界的比例不高，存在相当数量的非共格孪晶界，本发明在初次再结晶的基础上延长退火时间，进一步让晶粒有所长大，结果表明，随着晶粒的长大，共格孪晶界的比例在单调增加，最终超过50%，极大的提高了纯铜的晶界腐蚀抗力。
通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力方法

[发明专利]镀锡铜端子材、端子及电线终端部结构-CN201880049748.7有效
发明人：久保田贤治;樽谷圭荣;玉川隆士;中矢清隆 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：该镀锡端子材具有：基材(2)，由铜或铜合金构成；锌层(4)，形成于基材(2)之上，并且由锌合金构成；及锡层(5)，形成于锌层(4)之上，并且由锡合金构成，在锌层(4)及锡层(5)整体中的每单位面积的锡量为base:Sup>2以下，每单位面积的锌量为0.07mg/cm2以上且2.00mg/cm2以下，在锡层(5)中的表面附近的锌含有率为0.2质量％以上且10质量％以下，锡层(5)的小倾角晶界长度相对于总晶界长度所占的比率为2％以上且30％以下。
镀锡端子电线终端结构

[发明专利]细晶锡磷青铜合金带材及其制备方法-CN202310678218.1在审
发明人：陈忠平;娄花芬;向朝建;张曦;杨春秀;莫永达;刘芳;王苗苗;李腾飞;薛冠霞 -专利权人：中铝科学技术研究院有限公司;昆明冶金研究院有限公司北京分公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C22C9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种细晶锡磷青铜合金带材及其制备方法。以质量百分比计，细晶锡磷青铜合金带材包括以下元素：4.0～10wt％的Sn、0.01～0.3wt％的P，余量为Cu和不可避免的杂质元素，该锡磷青铜合金带材的平均晶粒尺寸为1～3μm，晶粒尺寸呈现正态分布，且晶粒尺寸标准差为0.9μm以下；锡磷青铜合金带材中的总低ΣCSL晶界在整个晶界中的占比为66～74％，且总低ΣCSL晶界中，(Σ9+Σ27)/Σ3的比值范围为0.12～0.23：1。本申请的细晶锡磷青铜合金带材具有高长度分数的低ΣCSL晶界，从而使得成品带材具有更为优异的抗弯曲加工特性，进而使得成品带材能够兼顾抗拉强度和优异折弯性能。
细晶锡磷青铜合金及其制备方法

[发明专利]一种锡铅锌青铜棒材的生产方法-CN202310375524.8在审
发明人：欧阳好;肖金锋;彭鑫;王东;舒孟洋;沈波;华称文;朱鹏飞 -专利权人：宁波金田铜业（集团）股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种锡铅锌青铜棒材的生产方法，包括以下步骤：S1、将铜原料加入中频熔化炉中熔化；S2、铜原料熔化后，采用熔剂扩散工装将清渣剂、精炼剂和细化剂加入中频熔化炉中；S3、从中频熔化炉中取样化验成分，根据成分进行冲淡或补偿；S4、将铜水转移至保温炉后采用水平连铸方式进行拉铸，获得锡铅锌青铜棒材。本发明通过熔剂扩散工装向熔体中引入晶粒细化剂，使细化剂均匀分布在熔体中，依靠细化剂的形核作用，实现晶粒细化，获得细晶组织，从而使锡和铅分布均匀，减少偏析程度，并使晶界上的链状低熔点物质减少，枝晶问题得到解决
一种锡铅锌青铜生产方法

[发明专利]锡磷青铜合金带材及其制备方法-CN202211103029.3在审
发明人：陈忠平;娄花芬;杨春秀;向朝建;张曦;王虎;莫永达;万达 -专利权人：昆明冶金研究院有限公司北京分公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C22C9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种锡磷青铜合金带材及其制备方法。以质量百分比计，该锡磷青铜合金带材包括：4.0～10wt％的Sn、0.01～0.3wt％的P，余量为Cu和不可避免的杂质元素，锡磷青铜合金带材的平均晶粒尺寸小于2μm，晶粒呈现正态分布，标准差为0.9μm以下；锡磷青铜合金带材中的总低ΣCSL晶界在整个晶界中的占比为10～45％，锡磷青铜合金带材中的大角度晶界的长度分数为40～85％，小角度晶界的长度分数为15～60％。上述锡磷青铜合金带材在BW方向上的折弯性能优异，在BW方向上较低的R/t值时仍未出现褶皱等缺陷，且使得锡磷青铜合金带材能够兼顾优良的抗拉强度和优异的折弯性能。
青铜合金及其制备方法

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