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[发明专利]一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法-CN201010111510.8无效
发明人：陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA及VIA族元素化合物的材料，其中含至多不超过50％的薄片状材料，其余材料形状可为球状或不规则状，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料，再使用非真空涂布法如刮刀涂布、狭缝涂布法、超音波喷涂法、电镀法或网印法等涂布成光吸收层的前驱层，再经快速退火热处理后形成光吸收层。本发明由于不使用高温还原法和硒化法，节省了设备成本并避免了使用危险的硒化氢，同时由于使用不同形状的颗粒，提高所生成膜的致密性。
一种真空环境配置铜铟镓硒浆料制作光吸收方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池-CN201010111493.8无效
发明人：陈文仁;杨益郎;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的制作方法，特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池，包括：(1)依据配方比例，混合含IB、IIIA和VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末，以形成含铜铟镓硒和/或硫原始混合粉末；(2)在原始混合粉末中再添加额外的VIA族元素粉末，并混合形成最后混合粉末；(3)添加溶剂搅拌，形成浆料；(4)非真空涂布浆料在钼金属层上，软烤形成预制层；(5)经快速升温退火、长晶形成光吸收层；(6)沉积硫化镉或硫化锌于光吸收层上；(7)最后再沉积ZnO和AZO以完成铜铟镓硒和/或硫太阳能电池。避免使用危险的硒化氢；设备成本低。
真空制作铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]太阳能电池元件结构-CN201110004078.7无效
发明人：章丰帆;林信志;林信宏;谢季桦;李宗龙 -专利权人：太阳海科技股份有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：该p型半导体层形成于该金属层之上，且包含铜铟镓硒硫(CIGSS)、铜铟镓硒(CIGS)、铜铟硫(CIS)、铜铟硒(CIS)或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料。
太阳能电池元件结构

[发明专利]无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法-CN200310107262.X有效
发明人：孙云;李长健;刘唯一;何清;李凤岩;周志强;敖建平;孙国忠 -专利权人：南开大学
申请日： 2003-12-09 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法，在铜铟镓硒光学吸收层薄膜的表面上镀覆金属锌薄膜，然后将镀覆有金属锌薄膜的电池基板表面用光辐照加热，其衬底背面用接触式热源或光辐照方式加热，固态硒源或/和硫源用接触式热源和光辐照协同方式来加热，硒源或/和硫源的温度控制在160～280℃，硒或硫蒸气与锌薄膜之间用光辐射来催化它们的合成反应，锌薄膜的硒化或/和硫化处理温度控制在180～420℃，用时2～10分钟将锌薄膜转化成n－型ZnSe或ZnS半导体薄膜材料，制成无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池中的缓冲层薄膜。本发明方法可在铜铟镓金属预制层后硒化方法制备CIGS薄膜电池的生产线内进行连续化的生产操作。
无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲制备方法

[实用新型]铜铟镓硒硫或铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的镀膜设备-CN200820161549.9有效
发明人：刘穆清;窦晓明;唐健;范滨 -专利权人：苏州富能技术有限公司
申请日： 2008-10-07 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜铟镓硒硫或铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的镀膜设备，包括反应容器、设于反应容器外并与之连通的真空泵、设于反应容器内的加热装置和给反应容器内提供等离子体的等离子体发生装置，所述反应容器下方设有上端伸入反应容器内部的转动轴，所述反应容器还连通设有保护气体输入装置和硒化和/或硫化反应源装置。本实用新型可以保持原有方法的较高转换效率，也避免使用硒化氢或硫化氢等剧毒气体，提高镀膜加工安全，还提高了硒源和/或硫源的使用效率。
铜铟镓硒硫铜铟镓硒铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收镀膜设备

[发明专利]一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法-CN201510290298.9有效
发明人：江智渊;徐璐;谢兆雄 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-05-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法，涉及一种太阳能电池材料。提供一种工艺步骤简单、禁带宽度可调的铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法。1)将氯化亚铜，氯化铟，氯化鎵，硫粉，硒粉与油胺混合，加入乙二硫醇调控硫元素比例，得混合溶液；2)将步骤1)所得混合溶液加热搅拌，抽真空，充氮气，在氮气氛围反应，得深棕色溶液；3)将步骤2)中所得深棕色溶液离心，所得沉淀分别用三氯甲烷和乙醇清洗，即得铜铟镓硫硒纳米晶。
一种铜铟镓硫硒纳米合成方法

[发明专利]本征隔离结构太阳能电池及其制造方法-CN200910306215.5无效
发明人：闻震利;王文静;洪紫州;郑智雄 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池，特别是指本征隔离结构太阳能电池及其制造方法，它依次包括铝背场/P型晶体硅衬底/本征硅薄膜/N型铜铟镓硫或铜铟镓硒薄膜/透明导电薄膜/银栅线。和现有技术相比，本发明在本征隔离结构太阳能电池中采用铜铟镓硫或铜铟镓硒作为窗口层，通过调节其镓含量可以调节带隙宽度，并且可以调节晶格常数使其与晶体硅达到较好的晶格匹配，从而提高电池效率。
隔离结构太阳能电池及其制造方法

[发明专利]复合薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201811523094.5有效
发明人：胡居广;王斌;肖惑;梁广兴;苏正华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：、层叠于钼背电极层表面的光吸收复合层、层叠于光吸收复合层表面的缓冲层、层叠于所述缓冲层表面的N型半导体层、层叠于N型半导体层表面的透明导电层、层叠于所述透明导电层表面的金属电极层；光吸收复合层包括第一铜铟镓硒层、铜锌锡硫层和第二铜铟镓硒层，铜锌锡硫层具有相背对的第一表面和第二表面，第一铜铟镓硒层层叠于铜锌锡硫层的第一表面，第二铜铟镓硒层层叠于铜锌锡硫层的第二表面。
复合薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收层的制备方法-CN200810154679.4无效
发明人：赵彦民;方小红;王庆华;李巍 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收层的制备方法，先采用公知技术的真空磁控溅射方法在镀Mo的衬底上溅射Cu、In、Ga预制层，其特点包括封装、升温、降温制备过程，制备出本发明的铜铟镓硒薄膜太阳电池用吸收层由于采用了密闭真空硒化或硫化法，使固态硒源或硫源硒化或硫化彻底、完全、均匀，预制层转变为铜铟镓硒或铜铟镓硫光吸收层，既有效提高吸收层薄膜性能，满足薄膜太阳电池的要求，又避免使用H2Se或H2S等有毒气体
铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收制备方法

[发明专利]一种石墨烯基光电探测器-CN201710948702.6在审
发明人：黄晓敏 -专利权人：黄晓敏
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯基光电探测器，包括硅基板、硫掺杂石墨烯层以及硫掺杂石墨烯层上的铜铟镓硒硫功能层，是一种新的材料和材料之间的配合方式下形成的光电探测器，通过硫掺杂石墨烯层结合成分渐变的铜铟镓硒硫功能层
一种石墨光电探测器

[发明专利]薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法-CN201910873604.X有效
发明人：高传增;王顺;李文杰;李伟民;罗海林;冯叶;陈明;钟国华;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，包括：制备铜铟镓预制层；在铜铟镓预制层上制备硒薄膜层，硒与铜镓之和的摩尔比大于1；将铜铟镓预制层置于退火炉中加热至第一预定温度后恒温第一预定时间；将铜铟镓预制层从第一预定温度加热至第二预定温度后恒温第二预定时间，以使预制层硒化，然后从退火炉中抽除硒蒸汽；将铜铟镓预制层从第二预定温度加热至第三预定温度后恒温第三预定时间，并在第三预定时间内通入硫化氢气体，以使预制层硫化，制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。本发明将铜铟镓预制层的硒化和硫化设置在不同温度下分步进行，避免硒化的过度和不均匀性，同时也保证了硫化的质量，提高光吸收层的品质。
薄膜太阳能电池光吸收制备方法

[发明专利]薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法-CN201911290658.X有效
发明人：高传增;王顺;冯叶;李伟民;李文杰;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，包括：制备铜铟镓预制层；在铜铟镓预制层上制备硒薄膜层，硒与铜镓之和的摩尔比大于1；将铜铟镓预制层置于退火炉中加热至第一预定温度后恒温第一预定时间；将铜铟镓预制层从第一预定温度加热至第二预定温度后恒温第二预定时间，以使预制层硒化；通过设置在退火炉中的喷淋装置通入硫化氢气体，以使得退火炉中的过量的硒蒸气被排出而保存有硫化氢气体；将铜铟镓预制层保持在第二预定温度保温第三预定时间实现硫化，制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。本发明将铜铟镓预制层的硒化和硫化分步进行，避免硒化的过度和不均匀性，同时也保证了硫化的质量，提高光吸收层的品质。
薄膜太阳能电池光吸收制备方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒浆料的方法-CN201010116752.6无效
发明人：陈文仁 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，包括混合不同平均粒径且具IB、IIIA及VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末，形成原始混合粉末，额外添加VIA族元素粉末并混合以形成最后混合粉末，添加溶剂并搅拌以形成所需的浆料，IB族元素包括铜，IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料而VIA族元素包括硒或硫或硒硫混合材料，额外添加的VIA族元素粉末包括硒或硫或硒硫混合材料，选用具第一平均粒径的粉末及具第二平均粒径的粉末，且后者为前者
真空制作铜铟镓硒浆料方法

[发明专利]一种铜铟镓硒硫纳米粉末材料的制备方法-CN201010028148.8无效
发明人：吴孟强;张树人;张其翼;刘文龙 -专利权人：电子科技大学;四川大学
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒硫纳米粉末材料的制备方法，属于无机化学材料技术领域。摩尔量两倍的单质Se和S也溶于烷基醇胺中；再将两种溶液混合，在惰性气体保护条件下搅拌、加热至200～280℃回流，维持反应4～10小时后，停止加热搅拌，冷却至室温，取下层黑色粉末进行离心、洗涤和干燥处理，得到铜铟镓硒硫纳米粉末材料本发明可制备纳米级、尺度均匀、分散性好和相纯度高的铜铟镓硒硫纳米粉末材料，整个制备工艺效率高、成本低，且操作简单、易控。本发明所制备的铜铟镓硒硫纳米粉末材料可用于太阳能电池中作吸收层材料。
一种铜铟镓硒硫纳米粉末材料制备方法

[发明专利]铜铟镓硒硫或铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法及镀膜设备-CN200810155492.6无效
发明人：刘穆清;窦晓明;唐健;范滨 -专利权人：苏州富能技术有限公司
申请日： 2008-10-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒硫或铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，在先后制备了底层导电膜和金属前驱膜后，将硒化和/或硫化反应源在真空中因高温和等离子放电激发成游离态或离化态的硒分子和/或硫分子，然后在金属前驱膜上进行硒化和/或硫化反应。其及镀膜设备包括反应容器和设于反应容器外并与之连通的真空泵，所述反应容器下方设有上端伸入反应容器内部的转动轴，所述反应容器内还设有等离子体发生装置和加热装置，所述反应容器还连通设有保护气体输入装置和硒化和本发明可以保持原有方法的较高转换效率，也避免使用硒化氢或硫化氢等剧毒气体，提高镀膜加工安全，还提高了硒源和/或硫源的使用效率。
铜铟镓硒硫铜铟镓硒铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收制备方法镀膜设备