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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用作太阳能电池光吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201010574428.9无效
发明人：李晶泽;周爱军;孔祥刚;梅迪;王影 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，使用铜铟镓硒单靶磁控溅射和硒化退火工艺。将Mo靶和CuIn0.75Ga0.25Se2靶材安装于磁控溅射腔体内，先使用直流电源溅射双层Mo，再使用射频电源溅射铜铟镓硒预置层，然后在管式炉中采用单质Se源在Ar气流中对预置层进行硒化退火，获得所述的铜铟镓硒薄膜所述的铜铟镓硒薄膜具有黄铜矿相结构，可用作薄膜太阳能电池的光吸收层。本发明所述的方法工艺简单，成本低，并且利于环保，适合大面积制备。
用作太阳能电池光吸收铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒材料的制备方法-CN201710455629.9在审
发明人：刘光华;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒材料的制备方法，包括如下步骤1)将Cu、In、Ga、Se粉末混合均匀，得到主反应剂；2)将主反应剂与添加剂混合，得到反应物粉末；3)将反应物粉末装入钢模压制成反应物坯体；4)将反应物坯体装入燃烧容器并置于高压反应设备中，将反应设备抽真空之后充入保护气；5)将反应物坯体一端点燃，进行自燃烧反应；燃烧结束后即得铜铟镓硒材料。该制备方法，通过配方和工艺参数的协同优化，既可以获得相对密度≥98％的致密铜铟镓硒块体，也可以获得铜铟镓硒粉体。不需高温烧结，制备致密铜铟镓硒块体时，合成和致密化一步完成，直接制备相对密度≥98％的致密铜铟镓硒块体。实现了快速、低能耗合成铜铟镓硒材料。
一种铜铟镓硒材料制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法-CN201610550956.8有效
发明人：黄勇亮;孟凡英;沈文忠;吴敏;刘正新 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，包括步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，得到铜铟镓硒吸收层。本发明制备的铜铟镓硒太阳电池吸收层可以促进铜铟镓硒吸收层背表面处的晶粒生长，同时调节吸收层的带隙结构，从而提高铜铟镓硒太阳电池的开路电压、填充因子和转化效率。
一种铜铟镓硒太阳电池吸收制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜预制层及其制备方法-CN201210405055.1有效
发明人：郭伟民;黄迎春;廖成;曾波明;刘焕明 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜预制层，其化学式为CuIn_aGa_bSe_c，其中a的范围是0.01～5，b的范围是0.01～5，c的范围是0.01～10，并且铜原子比例占总原子数量的15%以下。本发明提供的铜铟镓硒薄膜预制层中硒化铜晶体减少，并且放置四小时后硒化铜晶体不生长。通过后续处理得到的铜铟镓硒薄膜质量良好。本发明还提供了一种制备铜铟镓硒薄膜预制层的方法。
一种铜铟镓硒薄膜预制及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法-CN202110098410.4有效
发明人：王正安;来华杭;郭峰;俞峰;周海龙 -专利权人：浙江上方电子装备有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法，其中铜铟镓硒薄膜太阳能电池，包括：从下至上依次排布的基底、钼背电极层、铜铟镓硒吸收层、缓冲层和窗口层，所述钼背电极层位于所述铜铟镓硒吸收层内，所述铜铟镓硒吸收层的厚度为本申请提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以吸收大约50％‑70％的背部光线进行发电，提高光电转换效率。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于复合衬底的铜铟镓硒薄膜及其制备方法-CN201310240968.7无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;乔在祥;赵彦民;李微;许楠;潘宏刚;宋殿友;李鹏海;刘君;朱亚东;尹富红;刘浩;冯少君 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于复合衬底的铜铟镓硒薄膜，该铜铟镓硒薄膜为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜，由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构，其中衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成；其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于苏打玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后在其表面制备铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：该基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜附着性优秀，结晶质量好，晶粒大、缺陷少，可实现利用钢性衬底制备柔性太阳电池；其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种基于复合衬底铜铟镓硒薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于复合衬底的铜铟镓硒薄膜及其制备方法-CN201310240991.6无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;许楠;赵彦民;乔在祥;李微;宋殿友;刘君;朱亚东;潘宏刚;李鹏海;冯少君;尹富红;刘浩 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/045 文献下载
摘要：一种基于复合衬底的铜铟镓硒薄膜，该铜铟镓硒薄膜为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜，由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构，其中衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成；其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于苏打玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后在其表面制备铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：该基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜附着性优秀，结晶质量好，晶粒大、缺陷少，可实现利用钢性衬底制备柔性太阳电池；其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种基于复合衬底铜铟镓硒薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于复合衬底的铜铟镓硒薄膜及其制备方法-CN201310240955.X无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;乔在祥;李微;许楠;赵彦民;刘君;潘宏刚;宋殿友;李鹏海;朱亚东;尹富红;冯少君;刘浩 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于复合衬底的铜铟镓硒薄膜，该铜铟镓硒薄膜为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜，由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构，其中衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成；其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于苏打玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后在其表面制备铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：该基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜附着性优秀，结晶质量好，晶粒大、缺陷少，可实现利用钢性衬底制备柔性太阳电池；其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种基于复合衬底铜铟镓硒薄膜及其制备方法

[发明专利]一种柔性铜铟镓硒组件的封装工艺-CN202310127295.8在审
发明人：陈敬欣;马明;闫昕;陈静伟 -专利权人：保定嘉盛光电科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性铜铟镓硒组件的封装工艺，属于太阳能电池技术领域。所述封装工艺的步骤包括：自下往上按照不锈钢衬底、铜铟镓硒电池、胶膜和水氧阻隔膜顺序敷设，层压，制得柔性铜铟镓硒组件。本发明通过选择透光率≥88％的水氧阻隔膜为柔性铜铟镓硒组件的表面材料，有效地减少了太阳能损失。所选择的水氧阻隔膜以PET为芯材，能够保证制得的柔性铜铟镓硒组件具有良好的机械性能。
一种柔性铜铟镓硒组件封装工艺

[实用新型]一种制备铜铟镓硒化合物的装置-CN201921876122.1有效
发明人：赵炳利 -专利权人：北京圣阳科技发展有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备铜铟镓硒化合物的装置，通过轨道装置使管式加热装置或密封石英管进行轴向平移，实现分别放置于密封石英管内两端的铜铟镓混合物和硒单质依次进入管式加热装置的均匀热场内，先进行铜铟镓合金相的制备，再最终合成铜铟镓硒化合物。通过所述装置，可以降低铜铟镓硒化合物制备过程中硒气体泄漏风险，提高了良品率，同时简化了管式加热装置的设计和制造。
一种制备铜铟镓硒化合物装置

[发明专利]铜铟镓硒光吸收层薄膜的四元单靶射频磁控溅射制备方法-CN201110388411.9无效
发明人：戴新义;周爱军;徐晓辉;冯利东;李晶泽 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于，使用四元铜铟镓硒单靶射频磁控溅射制备铜铟镓硒薄膜，不涉及传统的后续硒化退火工艺。首先使用直流磁控溅射在钠钙玻璃衬底上制备双层钼薄膜作为金属背电极，然后在钼背电极上使用射频磁控溅射制备铜铟镓硒薄膜。在铜铟镓硒薄膜的制备过程中关键是在较高温度的钼背电极上沉积铜铟镓硒薄膜，以实现薄膜生长与热处理的同步进行。该方法制备的铜铟镓硒薄膜具有黄铜矿相晶体结构，晶粒尺寸大，(220/204)择优取向明显，柱状晶粒贯穿薄膜上下表面，可用作薄膜太阳能电池的光吸收层。
铜铟镓硒光吸收薄膜四元单靶射频磁控溅射制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒吸收层的制备方法-CN201811466295.6在审
发明人：叶亚宽;李新连;陈涛 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒吸收层的制备方法，具体包括如下步骤：在背电极钼层上制备铜铟镓预制膜，所述铜铟镓预制膜组成元素的原子比例满足：0.8≤Cu/(In+Ga)≤0.96，0.25≤Ga/(In+Ga)≤0.35；将所述铜铟镓预制膜分两个阶段进行硒化反应，其中，第一阶段在第一载气流量值的硒气氛中反应第一预设时长；第二阶段在第二载气流量值的硒气氛中反应第二预设时长，最终得到含硒化钼层的铜铟镓硒吸收层，所述硒化钼层的厚度为本发明的技术方案能够控制硒化钼的生成，在降低钼和铜铟镓硒层间的接触电阻，提高导电性能的同时，保证不增加电池内阻负担，不出现粘结性问题。
一种铜铟镓硒吸收制备方法

[发明专利]一种铜铟硒纳米晶的合成方法-CN200910112760.0无效
发明人：江智渊;周云 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：一种铜铟硒纳米晶的合成方法，涉及一种太阳能电池材料。提供一种工艺步骤较为简单的铜铟硒纳米晶的合成方法。将十二碳硫醇与油胺混合，得混合溶剂，在混合溶剂中加入单质硒，分散，得分散均匀的硒溶液；将氯化亚铜和氯化铟加入到油酸十八烯混合溶剂中，加热搅拌，抽真空，使体系的真空度小于-0.1MPa，通入氮气，在氮气氛围下得铜盐和铟盐的油酸十八烯配合物，铜盐和铟盐的油酸十八烯配合物呈浅咖啡色的透明溶液；将制得的硒溶液注入到铜盐和铟盐的油酸十八烯配合物中，升温加热反应，离心，所得沉淀分别用三氯甲烷和乙醇清洗至少1次，即得铜铟硒纳米晶。
一种铜铟硒纳米合成方法

[发明专利]制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法-CN201310162449.3有效
发明人：王家雄 -专利权人：王家雄
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法。（1）、在柔性基板的一侧表面，沉积钼层，以及一层铌附加层；（2）、在铌附加层的表面电镀多层铜、铟、镓和/或硒单元素层，或铜、铟、镓和/或硒之间构成的合金层，和/或单元素层与合金层的混合层；（3）、真空蒸发一层或多层硒，以及一层钠、钾或锂盐；（4）、将已镀有铜铟镓硒多层的基材在惰性气体气氛中，在350摄氏度至750摄氏度的恒定温度下淬火，以获得铜铟镓硒吸收层；（5）、沉积一层硫化镉、硫化铟或硫化锌作为在铜铟镓硒吸收层之上的缓冲层本发明能够被方便地使用于制备高转换率而低成本的铜铟镓硒薄膜太阳能电池。
制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池生产方法

[发明专利]铜铟镓硒废芯片的高效回收方法-CN201810732208.0在审
发明人：李红科;李胜春;刘凯华 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供铜铟镓硒废芯片的高效回收方法，该回收方法包括：对所述铜铟镓硒废芯片进行破碎处理，得到铜铟镓硒废芯片碎片；第一段氧化焙烧处理，在350～500℃温度，氧化气氛下，对铜铟镓硒废芯片进行焙烧，得到含有氧化硒气体的烟气以及焙烧渣该技术方案能够避免将衬底基板的组成元素引入至回收处理的目标膜层中，从而可以降低铜铟镓硒的提纯难度，同时提高铜铟镓硒的回收率。
铜铟镓硒衬底基板氧化焙烧焙烧渣芯片焙烧高效回收氧化气氛功能层分离薄膜回收处理机械震荡破碎处理水淬处理芯片碎片组成元素目标膜氧化硒提纯烟气回收率薄膜剥离回收引入

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