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[发明专利]电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶制备方法-CN202010184490.0在审
发明人：陈凯;朱文欣 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶的制备方法，方法包括以下步骤：打磨基材平整后，将基材放置于电子束增材制造装置的加工仓中且抽真空，电压55‑70kV及束流2‑6mA的电子束对基材的预加工区域预热15s，将高熵或中熵合金材料通过增材的方式制备于基材之上以制成高熵或中熵合金试样，然后泄真空，取出高熵或中熵合金试样，其中，电子束电压55‑70kV，束流5‑15mA，移动速度为500‑1000mm/min，表征高熵或中熵合金试样微观结构，调整工艺参数直至制备出微柱状晶，使用调整后的工艺参数生产高熵或中熵合金微柱状晶。
电子束制造合金柱状制备方法

[发明专利]一种激光－强磁场复合熔铸制备偏晶合金的方法-CN201210571134.X无效
发明人：周圣丰;戴晓琴 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：一种激光－强磁场复合熔铸制备偏晶合金的方法，该方法的特点是：首先，根据偏晶合金的化学成分，将各组分的金属粉末按质量百分比混合，配制成粒度均匀、流动性好的偏晶合金粉末；然后，将具有循环冷却水系统的铜铸模放置于强磁场装置内的中心位置，利用粉末喷嘴将偏晶合金粉末喷射入CO2激光束热源内快速熔化，当激光束运动移开后，熔化的偏晶合金粉末在铜铸模内快速凝固并形成偏晶合金。本发明利用CO2激光束快速加热熔化偏晶合金粉末的同时引入强磁场，抑制熔体的对流，降低第二相颗粒的运动速度，改善偏晶合金的组织偏析与结构分层。因此，采用本发明可在高效率、低成本的条件下，制备大尺寸、第二相颗粒均匀分布、高性能的偏晶合金，克服了常规方法在重力场条件下难铸造且存在组织分布不均匀与分层现象的问题。
一种激光磁场复合熔铸制备合金方法

[发明专利]一种高熵合金钎料及其制备方法-CN202011012480.5有效
发明人：任海水;尚泳来;熊华平;任新宇;冯洪亮 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B23K35/28 文献下载
摘要：本发明是一种高熵合金钎料及其制备方法，所述高熵合金钎料的化学成分及按原子百分比的组成为：Al：10％～20％，Cu：10％～20％，Co：10％～20％，Fe：10％～20％，Ni：10％～20％，Cr：10％～20％，Si：4％～12％，B：4％～12％，其制备方法包括以下步骤：按钎料成分称取熔炼所需的原材料；对原材料进行熔炼，得到高熵合金钎料锭；利用真空急冷快速凝固技术制备成高熵合金非晶箔带，或采用真空气雾化技术制备成高熵合金钎料粉末所述高熵合金钎料具有很高的混合熵，其组织以固溶体组织为主，可用于TiAl合金与镍基高温合金这两种极异材料之间的钎焊连接，能同时与这两种被焊母材保持较好的相容性，获得较高的连接强度。
一种合金料及制备方法

[发明专利]一种Al-Co-Cr-Ni四元高熵合金体系及其制备方法-CN201910837304.6有效
发明人：马丽莉;王家宁;金培鹏;马斌;余慧南;张宏宏 -专利权人：青海大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料及其制备技术领域，具体公开了一种Al‑Co‑Cr‑Ni四元高熵合金体系，其化学成分按原子比设计为：AlaCob高熵合金体系的制备方法。本发明通过提供一种兼具强度和塑性的四元共晶高熵合金Al18Co24Cr20Ni38来丰富高熵合金体系，且该高熵合金力学性能优异，强塑性匹配较好，解决了现有高熵合金强塑性匹配差的问题，而且，随着Ni/Al摩尔比的减小，本发明中的高熵合金体系存在亚共晶‑共晶‑过共晶的微观结构转变，对解决如何合理设计出强塑性匹配良好的共晶高熵合金具有推动作用。
一种 al co cr ni 四元高熵合金体系及其制备方法

[发明专利]镁基大块非晶材料及其制备方法-CN200710037305.X无效
发明人：袁广银;丁文江 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：一种镁基大块非晶材料及其制备方法，属于金属材料技术领域。本发明镁基大块非晶材料包含组分及其重量百分比为：33.5－42.4％镁、7.4－27.0％铜、6.2－13.7％镍、33.3－36.5％钆。本发明还提供了镁基大块非晶材料的制备方法，具体为：将金属钆反复熔炼提纯；然后将金属铜、钆、镍按规定重量百分比配料，熔炼直至合金熔化均匀，生成镍－铜－钆合金铸锭，并将其破碎；用高频感应真空炉抽真空后，充入氩气，将上述破碎的合金铸锭与镁块一起熔炼，直至熔化均匀，得到母合金锭；将上述母合金锭破碎后采用感应加热重新熔化后，经后续处理制得镁基大块非晶材料。本发明镁基大块非晶材料压缩断裂力学性能达到900MPa、同时具有高耐蚀性和高玻璃形成能力。
大块材料及其制备方法

[发明专利]一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法-CN202110983341.5在审
发明人：黄平;王飞;肖丽丽 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法，通过磁控溅射的方法制备非晶包裹纳米晶的双相高熵合金，其中非晶相可以看作宽度为2～3.5nm的晶界，纳米晶晶粒尺寸为3～5nm。由于非晶相对纳米晶晶粒的滑移和旋转起到很好的抑制作用，而调控退火温度可以改变非晶相宽度从而对晶粒旋转和晶界滑移进行不同程度的抑制，实现调控CrMnFeCoNi纳米晶高熵合金蠕变性能的目的。该方法可以有效的调控CrMnFeCoNi纳米米晶高熵合金的蠕变抗性。
一种调控纳米晶高熵合金性能方法

[发明专利]硅铝铜镁增强纤维及制备方法与铝铜镁超塑合金基复合铝-CN201810968316.8在审
发明人：孙瀚;刘华武;戴洪明 -专利权人：深圳市正佳科建科技有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： D01F9/08 文献下载
摘要：本发明公开硅铝铜镁增强纤维及制备方法与铝铜镁超塑合金基复合铝。按重量百分比计，由46%‑52%的火成岩、30%‑42%的氧化铜和10%‑18%氧化镁组成。本发明在天然高硅铝火成岩矿石基础上，通过引入氧化铜和氧化镁组分，生成一种非晶高硅铝铜镁增强纤维。所述非晶高硅铝铜镁增强纤维与铝铜镁超塑铝合金复合，增强材料中的硅、铝、铜、镁组分，会和金属溶体发生分子融合，从而改善复合界面的结合牢度，即提高铝铜镁超塑合金基复合铝的强度。
增强纤维铝铜铜镁超塑合金复合铝高硅铝火成岩氧化镁氧化铜非晶硅铝制备复合重量百分比结合牢度塑铝合金增强材料溶体矿石金属融合引入

[发明专利]一种高熵金属玻璃薄膜及其制备方法和应用-CN202111503625.6有效
发明人：文懋;于文倩;何星嘉;王麒骅;张侃;郑伟涛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于金属玻璃薄膜技术领域，特别涉及一种高熵金属玻璃薄膜及其制备方法和应用。本发明提供的高熵金属玻璃薄膜包括高熵难熔金属元素和贵金属元素；所述贵金属元素与任一高熵难熔金属元素的混合焓大于任两种高熵难熔金属元素的混合焓；所述高熵金属玻璃薄膜中贵金属元素的原子含量为15～40at.％；所述高熵合金玻璃薄膜包括高熵难熔金属‑贵金属配位非晶玻璃纳米层和贵金属析出非晶玻璃纳米层。本发明在高熵难熔金属体系中引入与各组元金属元素混合焓和原子失配偏差大的贵金属实现薄膜玻璃化转变，最终形成多层的非晶玻璃纳米层，消耗裂纹扩展能量使得高熵金属玻璃薄膜的韧性提高，提高了高熵金属玻璃薄膜的韧性
一种金属玻璃薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种无铅铜基非晶钎焊料带材的制备方法-CN201410652301.2在审
发明人：刘桂芹 -专利权人：刘桂芹
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B23K35/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅铜基非晶钎焊料带材的制备方法，该无铅铜基非晶钎焊料带材由无铅铜基非晶钎焊料制成。该无铅铜基非晶钎焊料的总质量百分比为100％，0.02％≤P≤0.06％、0.02％≤Bi≤0.06％、4.0％≤Sn≤6.8％、13.5％≤Zn≤14.3％、0.15％≤Ce≤0.22％、71％≤Cu本发明特加入了Bi元素，同时彻底摈除Cu元素，通过分析了无铅铜基非晶钎焊料的显微组织形貌，测试了无铅铜基非晶钎焊料的抗拉强度、断后伸长率以及维氏硬度，结果表明，添加Bi元素能显著提高无铅铜基非晶钎焊料的抗拉强度和硬度
一种无铅铜基非晶钎焊料带材制备方法

[发明专利]一种AlCoCrFeNi2.1-CN202110554802.7在审
发明人：卢一平;阿卜杜喀迪尔·艾麦尔;李廷举 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B22F10/28 文献下载
摘要：本发明提供一种AlCoCrFeNi2.1共晶高熵合金及其激光选区增材制造制备方法，具体公开了激光选区增材制造AlCoCrFeNi2.1共晶高熵合金的最佳工艺参数，包括：激光功率、扫描速度、单道间距、铺粉层厚度，并制备得到了由FCC和BCC双相结构组成的AlCoCrFeNi2.1共晶高熵合金本发明AlCoCrFeNi2.1共晶高熵合金跟铸造的比致密度高、晶粒细小、具有更好的拉伸力学性能。本制备方案利用选区激增材制造高的冷却速度实现了高致密、显微组织细小的共晶高熵合金的制备，本制备技术制备效率高、得到的合金质量好、自动化程度高等优点。
一种 alcocrfeni base sub 2.1

[发明专利]非晶薄膜/高熵合金复合材料及其制备方法-CN201811096946.7在审
发明人：朱胜利;丁静;井上明久;崔振铎;杨贤金 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明提供非晶薄膜/高熵合金复合材料及其制备方法，其成分具有如下表达式ZraFebNic晶薄膜/高熵合金复合材料在保证超高强度的同时，表现出良好的塑性，解决了块状非晶存在的室温脆性问题，非晶薄膜/高熵合金复合材料由于表层非晶层的存在，表现出优异的耐腐蚀性能；本发明提供的方法可以快速制备非晶薄膜/高熵合金复合材料，无需任何热处理，制备方法简单，非晶和高熵合金的界面稳定，强度塑性配合良好；本发明制备的非晶薄膜/高熵合金复合材料具有高强度、良好的塑性和耐腐蚀性的特点，能较好地满足精密器件、汽车领域的要求
薄膜合金复合材料及其制备方法

[发明专利]一种钴基非晶合金丝的制备方法-CN201010273992.7有效
发明人：沈宝龙;宁伟;蔡平平;乔文 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴基非晶合金丝的制备方法，使用导热性能良好的铜辊轮切削母合金并连续快速抽拉，通过铜辊轮转动线速度和母合金进给速度的匹配实现母合金的连续进给，同时使用铜辊水冷技术对高速旋转的铜辊进行持续冷却，使铜辊切割面始终保持30℃～50℃，从而得到连续的直径为10μm～200μm的钴基非晶合金丝；另外，制备过程在氩气保护的条件下进行，避免了钴基非晶合金丝形成过程中的氧化以及与其他冷却介质反应所带来的影响，保持钴基非晶合金丝表面光洁、性能均一、圆度高，可广泛应用于交流传感器技术、磁敏传感器技术领域。
一种钴基非晶合金丝制备方法

[发明专利]一种高熵非晶基体复合材料及其制备方法-CN201611107234.1有效
发明人：王永胜;武荣风;令狐嵘凯;乔珺威 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：一种高熵非晶基体复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域，其成分为(Ti‑Zr‑Hf‑Nb‑Cu)100‑xBex，x为Be元素所占的原子数百分比，x≤40%，其它元素所占的原子数百分比为：Ti为12%先熔炼Hf和Nb为中间合金，然后在将中间合金与Ti，Zr，Cu，Be元素置于一起反复熔炼，获得具有高强度、高塑性等优良力学性能的高熵非晶基复合材料。 1
高熵基体复合材料中间合金熔炼原子数非晶制备非晶基复合材料复合材料技术力学性能高塑性

[发明专利]一种提高高熵合金超塑性的方法-CN202211625349.5在审
发明人：吴利辉;李宁;倪丁瑞;马宗义;薛鹏;肖伯律 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种提高高熵合金超塑性的方法，包括如下步骤：步骤(1)：对铸态高熵合金进行搅拌摩擦加工处理；步骤(2)：对搅拌摩擦加工高熵合金在高温短时保温后进行高温拉伸；步骤(1)使得高熵合金粗大的铸态组织转变为细小等轴组织；等轴组织中具有高角度晶界(错配角度不低于15°)，高角度晶界在晶界中所占比例为80％以上；等轴组织中的晶粒尺寸在100～1000纳米之间；该组织可结合步骤(2)在高温拉伸过程中进一步形成的大量孪晶，由此实现优异的高温超塑性，从而可实现高熵合金复杂构件的超塑性成型，由此大大降低高熵合金复杂构件的高温成型难度和成型成本。
一种提高合金塑性方法

[发明专利]一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法-CN202210327869.1有效
发明人：王亚强;丁佳琪;张金钰;吴凯;刘刚;孙军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法，Zr的原子百分比小于15.8at.％，其余为近等原子比的TaWMoCr。在抛光的钢基体和单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层，其中TaWMoCr合金靶采用2个直流电源，Zr靶采用1个射频电源。高真空磁控溅射共溅射制备得到的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层为单相BCC固溶体，具有纳米柱状晶结构，表面形貌为针片状，成分均匀，组织致密，厚度为2.1～2.7μm。Zr的适量加入可以有效提高TaWMoCr高熵合金涂层的力学性能、膜基结合性能以及抗氧化性能，扩展了高熵合金涂层的应用范围。
一种纳米 tawmocrzr 难熔高熵合金涂层及其制备方法

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