专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]耦合元件和薄膜波导耦合装置-CN202020304255.8有效
  • 李俊慧;王旭阳;冯亚丽;郝琰 - 北京世维通科技股份有限公司
  • 2020-03-12 - 2021-01-26 - G02B6/26
  • 本实用新型提供一种耦合元件和薄膜波导耦合装置,基于本实用新型提供的耦合元件能获得满足实用化应用需求的薄膜波导耦合装置,能提高耦合效率。所述耦合元件,包括容纳管、单模光纤和转换器,其中,所述容纳管具有容纳腔;所述转换器位于所述容纳管的容纳腔中,且所述单模光纤的一端插入所述容纳管的容纳腔并与所述转换器连接;所述转换器和所述单模光纤均粘接固定于所述容纳管;所述转换器设有锥形脊波导,所述锥形脊波导包括两个末端,其中一端为宽端,另一端为窄端;所述宽端与所述单模光纤的纤芯耦合,所述窄端用于耦合所述薄膜波导。
  • 耦合元件铌酸锂薄膜波导装置
  • [发明专利]基于掺铒的光波导芯片及锁激光器-CN202111088025.8有效
  • 吴侃;陈建平 - 上海交通大学
  • 2021-09-16 - 2023-04-07 - H01S3/063
  • 一种基于掺铒的光波导芯片及锁激光器,该芯片自下向上依次是衬底、二氧化硅包层、掺铒薄膜和射频电极;利用光刻刻蚀所述的掺铒薄膜,形成脊型掺铒波导;在所述的掺铒波导的两侧、互相平行地设置所述的射频电极本发明采用掺铒薄膜作为波导,即保留了掺铒波导的低噪声增益特性,又引入了波导的电光特性,满足了主动锁激光器所需的增益和调制需求,配合直流偏置,可以实现低噪声且重频连续可调的集成主动锁激光器通过脊型掺铒波导将电极间距靠近,降低所需的调制电压和电功耗,对信号光和泵浦光的强束缚还可以增加两者的交叠,提升泵浦效率。
  • 基于掺铒铌酸锂波导芯片激光器
  • [发明专利]耦合元件和薄膜波导耦合装置-CN202010173189.X在审
  • 李俊慧;王旭阳;冯亚丽;郝琰 - 北京世维通科技股份有限公司
  • 2020-03-12 - 2020-06-05 - G02B6/26
  • 本发明提供一种耦合元件和薄膜波导耦合装置,基于本发明提供的耦合元件能获得满足实用化应用需求的薄膜波导耦合装置,能提高耦合效率。所述耦合元件,包括容纳管、单模光纤和转换器,其中,所述容纳管具有容纳腔;所述转换器位于所述容纳管的容纳腔中,且所述单模光纤的一端插入所述容纳管的容纳腔并与所述转换器连接;所述转换器和所述单模光纤均粘接固定于所述容纳管;所述模板转换器设有锥形脊波导,所述锥形脊波导包括两个末端,其中一端为宽端,另一端为窄端;所述宽端与所述单模光纤的纤芯耦合,所述窄端用于耦合所述薄膜波导。
  • 耦合元件铌酸锂薄膜波导装置
  • [发明专利]基于薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统-CN202111340205.0在审
  • 张云霄;孙文宝 - 天津津航技术物理研究所
  • 2021-11-12 - 2022-03-01 - H04B10/27
  • 本申请提供一种基于薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统,包括自下而上依次层叠布置的基底晶片、下包层、薄膜以及上包层;薄膜上设有光波导;光波导包括依次连接的转换波导、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、第三直波导和光学微腔波导;上包层上与第一直波导相对应的位置设有第一金属电极;第一金属电极、转换波导以及第一直波导共同形成相位调制器;上包层上与光学微腔波导相对应的位置设有第二金属电极;第二金属电极、第三直波导以及光学微腔波导共同形成高Q微谐振器;薄膜上还设有与高Q微谐振器输出端相连接的探测器。
  • 基于铌酸锂薄膜调谐集成微波芯片系统
  • [发明专利]基于异质集成薄膜片上耦合结构、制备方法及光器件-CN202211167513.2在审
  • 蔡鑫伦;张仙 - 中山大学
  • 2022-09-23 - 2022-11-29 - G02F1/017
  • 本发明涉及光学器件技术领域,提出一种基于异质集成薄膜片上耦合结构、制备方法及光器件。其中,包括薄膜光子芯片,薄膜光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层;薄膜光子芯片上设置有波导层,波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到光子芯片上,实现了薄膜平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜光子芯片通过优化设计的III‑V/LN转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连,实现III‑V有源波导层与波导之间的高效率耦合。
  • 基于集成薄膜铌酸锂片上耦合结构制备方法器件
  • [发明专利]一种CWDM光发送芯片-CN202211099433.8在审
  • 张凯鑫;张赞允 - 苏州微光电子融合技术研究院有限公司
  • 2022-09-07 - 2023-01-13 - G02B6/124
  • 本发明公开了一种CWDM光发送芯片,包括:SiNx光栅耦合器、SiNx转换器、波导转换器、SiNx‑薄膜锂电光调制器、SiNx‑薄膜波导器件、SiNx‑薄膜CWDM波分复用器,其特征在于,SiNx材料沉积在二氧化硅衬底层,形成SiNx波导器件层,薄膜直接键合在SiNx波导器件层上,SiNx波导器件层用于刻蚀SiNx‑薄膜波导器件,SiNx波导器件层上依次覆盖二氧化硅薄膜层与薄膜层;本发明利用薄膜材料的电光调制特性,采用倒脊形波导结构,能够实现高速电光调制,将波分复用与电光调制集成,实现了高速率、大容量的信号传输。
  • 一种cwdm发送芯片
  • [发明专利]一种基于光子波导的混合集成外腔可调谐激光器-CN202111015275.9在审
  • 蔡鑫伦;张仙;韩雅 - 中山大学
  • 2021-08-31 - 2021-12-17 - H01S5/14
  • 本发明涉及光学器件技术领域,提出一种基于光子波导的混合集成外腔可调谐激光器,包括反射型半导体光放大器和光子芯片,其中,光子芯片包括依次连接的转换器、游标滤波器、布拉格反射光栅和输出波导;反射型半导体光放大器的输出端与转换器的输入端的端面耦合;游标滤波器上覆盖设置有镍铬合金电极和金电极;通过对镍铬合金电极和金电极施加电压,对输出的激光波长进行调谐。本发明通过采用反射型半导体光放大器以端面耦合的方式与光子芯片即可构成混合集成外腔可调谐激光器,具有制作工艺简单的特点,且通过对镍铬合金电极施加电压并进行电压调节,即可实现对输出的激光波长进行调谐。
  • 一种基于铌酸锂光子波导混合集成外腔可调谐激光器
  • [发明专利]硅-氧化硅-高带宽电光调制器及集成方法-CN202210321287.2在审
  • 邹卫文;王静 - 上海交通大学
  • 2022-03-24 - 2023-10-03 - G02F1/035
  • 硅‑氧化硅‑高带宽电光调制器及集成方法,晶圆从下到上分别为硅衬底层、氧化硅隔离层、薄膜层、氧化硅缓冲层与硅薄膜层;电光调制器包括多干涉仪、转换器、电光移相臂、行波电极和热电极。氧化硅层作为缓冲层缓解了硅晶圆与晶圆之间的热失配与晶格失配,提升了在基于硅‑氧化硅‑晶圆的电光调制器的可靠性与良率,并且为电光调制器的设计提供了新的自由度。本发明与CMOS工艺兼容,并且发挥了硅、氧化硅、三种材料的优势,有利于提高集成的紧凑度、可靠性。
  • 氧化铌酸锂高带宽电光调制器集成方法

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