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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三角形端面的铌酸锂薄膜波导、制备方法及模斑变换器-CN202310845015.7在审
发明人：杨作运;宝剑锋;邱晨 -专利权人：苏州康冠光电科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种三角形端面的铌酸锂薄膜波导、制备方法及模斑变换器，包括衬底，设于所述衬底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有铌酸锂薄膜波导部，所述铌酸锂薄膜波导部端面为三角形。提出了多次刻蚀、控制刻蚀速率的方法来实现窄线宽模斑变换器的制备，刻蚀共包含三个过程，分别为LN脊刻蚀、Cr膜低深宽比刻蚀、LN三角形脊刻蚀。经实验验证，该方法能实现模斑变换器部位窄线宽三角形端面的薄膜铌酸锂波导制备；可以实现波导和光纤模斑的匹配，从而减小波导和光纤耦合的插入损耗，解决了铌酸锂薄膜光波导和光纤的模式适配问题；采用紫外光刻的工艺
三角形端面铌酸锂薄膜波导制备方法变换器

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器-CN202110890825.5有效
发明人：夏金松;胡畅然;曾成;瞿智成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器，属于集成光器件技术领域。本发明所述耦合器包括双层倒锥和包层波导；所述双层倒锥包括上层倒锥和下层倒锥；所述下层倒锥材料为二氧化硅和铌酸锂，所述上层倒锥材料为铌酸锂；所述包层波导覆盖于所述双层倒锥上，所述包层波导的材料为氮氧化硅，所述下层倒锥延伸至耦合器芯片端面；所述上层倒锥截止于所述下层倒锥的铌酸锂层之上。本发明基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加额外光刻步骤的情况下，增大耦合器模斑尺寸，提升耦合器耦合效率。
一种基于铌酸锂薄膜大模斑水平端面耦合器

[发明专利]一种采用铌酸锂材料制成的波长高速调谐的激光器-CN201910963141.6有效
发明人：储涛;刘晨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用铌酸锂材料制成的波长高速调谐的激光器，包括：铌酸锂薄膜芯片(即LNOI芯片)；设置在所述铌酸锂薄膜芯片上的第一模斑转换器(SSC，spot size converter)；与所述第一模斑转换器连接的复合谐振腔，所述的复合谐振腔采用铌酸锂材料。本发明复合谐振腔采用铌酸锂材料，具有很好的电光效应。X‑cut铌酸锂薄膜当光模式沿着y方向传播，电场方向为z方向，其电光系数r33可达30.8pm/V。
一种采用铌酸锂材料制成波长高速调谐激光器

[实用新型]耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置-CN202020304255.8有效
发明人：李俊慧;王旭阳;冯亚丽;郝琰 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置，基于本实用新型提供的耦合元件能获得满足实用化应用需求的铌酸锂薄膜波导耦合装置，能提高耦合效率。所述耦合元件，包括容纳管、单模光纤和模斑转换器，其中，所述容纳管具有容纳腔；所述模斑转换器位于所述容纳管的容纳腔中，且所述单模光纤的一端插入所述容纳管的容纳腔并与所述模斑转换器连接；所述模斑转换器和所述单模光纤均粘接固定于所述容纳管；所述模斑转换器设有锥形脊波导，所述锥形脊波导包括两个末端，其中一端为宽端，另一端为窄端；所述宽端与所述单模光纤的纤芯耦合，所述窄端用于耦合所述铌酸锂薄膜波导。
耦合元件铌酸锂薄膜波导装置

[发明专利]基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器-CN202111088025.8有效
发明人：吴侃;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：一种基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器，该芯片自下向上依次是衬底、二氧化硅包层、掺铒铌酸锂薄膜和射频电极；利用光刻刻蚀所述的掺铒铌酸锂薄膜，形成脊型掺铒铌酸锂波导；在所述的掺铒铌酸锂波导的两侧、互相平行地设置所述的射频电极本发明采用掺铒铌酸锂薄膜作为波导，即保留了掺铒波导的低噪声增益特性，又引入了铌酸锂波导的电光特性，满足了主动锁模激光器所需的增益和调制需求，配合直流偏置，可以实现低噪声且重频连续可调的集成主动锁模激光器通过脊型掺铒铌酸锂波导将电极间距靠近，降低所需的调制电压和电功耗，对信号光和泵浦光模斑的强束缚还可以增加两者的交叠，提升泵浦效率。
基于掺铒铌酸锂波导芯片激光器

[发明专利]耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置-CN202010173189.X在审
发明人：李俊慧;王旭阳;冯亚丽;郝琰 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明提供一种耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置，基于本发明提供的耦合元件能获得满足实用化应用需求的铌酸锂薄膜波导耦合装置，能提高耦合效率。所述耦合元件，包括容纳管、单模光纤和模斑转换器，其中，所述容纳管具有容纳腔；所述模斑转换器位于所述容纳管的容纳腔中，且所述单模光纤的一端插入所述容纳管的容纳腔并与所述模斑转换器连接；所述模斑转换器和所述单模光纤均粘接固定于所述容纳管；所述模板转换器设有锥形脊波导，所述锥形脊波导包括两个末端，其中一端为宽端，另一端为窄端；所述宽端与所述单模光纤的纤芯耦合，所述窄端用于耦合所述铌酸锂薄膜波导。
耦合元件铌酸锂薄膜波导装置

[发明专利]一种气相质子交换铌酸锂光波导的模斑转换器-CN202310939695.9在审
发明人：朱赟 -专利权人：合肥芯智华光子科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明提供一种气相质子交换铌酸锂光波导的模斑转换器，包括：铌酸锂(LN)衬底、气相质子交换锥形波导、气相质子交换直波导、阻挡片；气相质子交换锥形波导的波导宽度遵循余弦规律，由宽至窄变化，收窄至与气相质子交换直波导相连，连接处两端波导大小相等；阻挡片位于气相质子交换锥形波导上；本发明提出了一种气相质子交换铌酸锂光波导的模斑转换器，提高了气相质子交换波导与单模光纤的耦合效率。
一种质子交换铌酸锂光波导转换器

[发明专利]基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统-CN202111340205.0在审
发明人：张云霄;孙文宝 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H04B10/27 文献下载
摘要：本申请提供一种基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统，包括自下而上依次层叠布置的基底晶片、下包层、铌酸锂薄膜以及上包层；铌酸锂薄膜上设有铌酸锂光波导；铌酸锂光波导包括依次连接的模斑转换波导、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、第三直波导和光学微腔波导；上包层上与第一直波导相对应的位置设有第一金属电极；第一金属电极、模斑转换波导以及第一直波导共同形成相位调制器；上包层上与光学微腔波导相对应的位置设有第二金属电极；第二金属电极、第三直波导以及光学微腔波导共同形成高Q微谐振器；铌酸锂薄膜上还设有与高Q微谐振器输出端相连接的探测器。
基于铌酸锂薄膜调谐集成微波芯片系统

[发明专利]基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件-CN202211167513.2在审
发明人：蔡鑫伦;张仙 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。
基于集成薄膜铌酸锂片上耦合结构制备方法器件

[发明专利]一种CWDM光发送芯片-CN202211099433.8在审
发明人：张凯鑫;张赞允 -专利权人：苏州微光电子融合技术研究院有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种CWDM光发送芯片，包括：SiNx光栅耦合器、SiNx模斑转换器、波导转换器、SiNx‑薄膜铌酸锂电光调制器、SiNx‑薄膜铌酸锂波导器件、SiNx‑薄膜铌酸锂CWDM波分复用器，其特征在于，SiNx材料沉积在二氧化硅衬底层，形成SiNx波导器件层，薄膜铌酸锂直接键合在SiNx波导器件层上，SiNx波导器件层用于刻蚀SiNx‑薄膜铌酸锂波导器件，SiNx波导器件层上依次覆盖二氧化硅薄膜层与薄膜铌酸锂层；本发明利用薄膜铌酸锂材料的电光调制特性，采用倒脊形波导结构，能够实现高速电光调制，将波分复用与电光调制集成，实现了高速率、大容量的信号传输。
一种 cwdm 发送芯片

[发明专利]一种基于铌酸锂光子波导的混合集成外腔可调谐激光器-CN202111015275.9在审
发明人：蔡鑫伦;张仙;韩雅 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于铌酸锂光子波导的混合集成外腔可调谐激光器，包括反射型半导体光放大器和铌酸锂光子芯片，其中，铌酸锂光子芯片包括依次连接的模斑转换器、游标滤波器、布拉格反射光栅和输出波导；反射型半导体光放大器的输出端与模斑转换器的输入端的端面耦合；游标滤波器上覆盖设置有镍铬合金电极和金电极；通过对镍铬合金电极和金电极施加电压，对输出的激光波长进行调谐。本发明通过采用反射型半导体光放大器以端面耦合的方式与铌酸锂光子芯片即可构成混合集成外腔可调谐激光器，具有制作工艺简单的特点，且通过对镍铬合金电极施加电压并进行电压调节，即可实现对输出的激光波长进行调谐。
一种基于铌酸锂光子波导混合集成外腔可调谐激光器

[发明专利]一种大范围高线性度调频激光器-CN202111197795.6有效
发明人：吴侃;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：一种大范围高线性度调频激光器，包括：反射型半导体光放大器，MEMS光开关阵列，模斑转换器，薄膜铌酸锂光栅阵列。本发明采用RSOA提供增益，结合MEMS光开关对具有不同中心频率的薄膜铌酸锂光栅的选择，实现大范围频率调节。通过在铌酸锂光栅上施加电场来实现小范围内的高线性度频率扫描。
一种范围线性调频激光器

[发明专利]一种石英衬底铌酸锂模斑转换器-CN202310784550.6在审
发明人：刘博缘;马向;李少波;于文琦;齐合飞;丁跃迪;何剑涛;杨瑾;杨万里 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英衬底铌酸锂模斑转换器，涉及光通信和微波光子领域。本发明包括石英衬底层、二氧化硅包层、铌酸锂波导层、氧化物夹层和氧化物上包层，所述铌酸锂波导层为三层阶梯型结构，且三层铌酸锂波导层的光纤耦合端横截面均为等腰梯形，氧化物夹层和氧化物上包层的光纤耦合端横截面均下部设有缺口，上部设有等腰梯形突出的形状，且氧化物夹层和氧化物上包层的等腰梯形突出、铌酸锂波导层的横截面等腰梯形的斜边角度均不超过70°。本发明可实现光信号在集成铌酸锂光子芯片与光纤间进行耦合时的高耦合和低传输损耗，且降低了工艺加工难度，具有较高的实用性。
一种石英衬底铌酸锂模斑转换器

[发明专利]基于铌酸锂薄膜的宽带低相噪集成光生微波源芯片及系统-CN202111340226.2在审
发明人：张云霄;孙文宝 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请提供一种基于铌酸锂薄膜的宽带低相噪集成光生微波源芯片，包括设置在铌酸锂薄膜上的铌酸锂光波导；铌酸锂光波导包括模斑转换波导、第一直波导、第一弯曲波导、第一Y分支波导、第二Y分支波导；第一Y分支波导与第二Y分支波导之间并联有第四直波导和第五直波导；第四直波导上连接有第一光学微腔波导；第五直波导上连接有第二光学微腔波导；模斑转换波导、第一直波导和第一金属电极共同形成相位调制器；第四直波导、第一光学微腔波导和第二金属电极共同形成高
基于铌酸锂薄膜宽带低相噪集成微波芯片系统

[发明专利]硅-氧化硅-铌酸锂高带宽电光调制器及集成方法-CN202210321287.2在审
发明人：邹卫文;王静 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：硅‑氧化硅‑铌酸锂高带宽电光调制器及集成方法，晶圆从下到上分别为硅衬底层、氧化硅隔离层、铌酸锂薄膜层、氧化硅缓冲层与硅薄膜层；电光调制器包括多模干涉仪、模斑转换器、电光移相臂、行波电极和热电极。氧化硅层作为缓冲层缓解了硅晶圆与铌酸锂晶圆之间的热失配与晶格失配，提升了在基于硅‑氧化硅‑铌酸锂晶圆的电光调制器的可靠性与良率，并且为电光调制器的设计提供了新的自由度。本发明与CMOS工艺兼容，并且发挥了硅、氧化硅、铌酸锂三种材料的优势，有利于提高集成的紧凑度、可靠性。
氧化铌酸锂高带宽电光调制器集成方法

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