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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种马赫曾德尔干涉仪工作点监测器-CN202310556929.1在审
发明人：曾成;瞿智成;夏金松 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01B9/02055 文献下载
摘要：本发明公开了一种马赫曾德尔干涉仪工作点监测器，属于集成光器件技术领域，监测器自下而上依次包括：埋氧层、铌酸锂平板区域及器件区；所述器件区包括马赫曾德尔干涉仪及两个监测光栅；所述马赫曾德尔干涉仪包括波导、光分束结构和1×2型多模干涉器；所述光分束结构的两个输出端与所述1×2型多模干涉器的两个输入端之间分别通过所述波导连接，所述光分束结构的输入端和所述1×2型多模干涉器的输出端分别连有所述波导；所述两个监测光栅分别位于所述1×2型多模干涉器输出端所连波导的两侧。本发明的工作点监测器具有较大的工艺容差和光学带宽，不影响马赫曾德尔干涉仪本身的输出，同时能够实现片上集成。
一种马赫曾德尔干涉仪工作监测器

[发明专利]一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器-CN202110919248.8有效
发明人：夏金松;胡畅然;曾成;瞿智成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器，属于集成光器件技术领域。包括：衬底，其材料为硅；埋氧层，其材料为二氧化硅；铌酸锂脊形波导，位于埋氧层之上；周期性二氧化硅包层，覆盖于脊波导之上。本发明在X切铌酸锂薄膜上加工被二氧化硅包层周期性覆盖的布拉格光栅结构，利用铌酸锂的双折射特性实现偏振无关的反射式光滤波器。其中周期性二氧化硅包层制备步骤具有较大的工艺容差，器件制备仅需两次光刻、无需套刻，制备工艺简单。该器件可以与基于薄膜铌酸锂材料的调制器、谐振器等结构单片集成，构成在光信号处理芯片，在微波光子学和光通讯等领域有较好的应用前景。
一种基于切铌酸锂薄膜偏振无关反射滤波器

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器-CN202110890825.5有效
发明人：夏金松;胡畅然;曾成;瞿智成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器，属于集成光器件技术领域。本发明所述耦合器包括双层倒锥和包层波导；所述双层倒锥包括上层倒锥和下层倒锥；所述下层倒锥材料为二氧化硅和铌酸锂，所述上层倒锥材料为铌酸锂；所述包层波导覆盖于所述双层倒锥上，所述包层波导的材料为氮氧化硅，包层波导的截面呈现出圆顶凸字形。所述下层倒锥延伸至耦合器芯片端面；所述上层倒锥截止于所述下层倒锥的铌酸锂层之上。本发明基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加额外光刻步骤的情况下，增大耦合器模斑尺寸，提升耦合器耦合效率。
一种基于铌酸锂薄膜大模斑水平端面耦合器

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