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[发明专利]铌酸钾钠/铜压电复合材料的制备方法-CN200710120741.3无效
发明人：张海龙;赵高磊;张波萍 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：一种铌酸钾钠/铜压电复合材料的制备方法，属于压电驱动器技术领域。以无铅压电陶瓷铌酸钾钠为基体，金属铜为第二相，通过控制烧结气氛的氧分压制备铌酸钾钠/铜压电复合材料。铌酸钾钠/铜压电复合材料的烧结温度为1020～1080℃，烧结气氛的氧含量为0.5％～3ppm，第二相铜的含量为1～20vol％。优点在于，通过控制气氛烧结实现了无铅压电陶瓷铌酸钾钠与普通金属铜的复合烧结，生产成本较低，无环境污染。所制备的铌酸钾钠/铜压电复合材料具有以下突出优点：第二相铜的含量变化可以调控铌酸钾钠压电陶瓷的压电性能并形成梯度变化；并且，第二相铜对于铌酸钾钠陶瓷基体具有弥散强化和阻裂增韧效应。
铌酸钾钠压电复合材料制备方法

[发明专利]In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法-CN200810064777.9无效
发明人：徐衍岭;刘维海;王佳;王锐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li₂CO₃、Nb₂O₅、Fe₂O_{3铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。}
in fe cu 掺杂铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠/铜功能梯度结构压电驱动器件的制备方法-CN200810119689.4无效
发明人：张海龙;张楠;张波萍;赵高磊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L41/24 文献下载
摘要：一种铌酸钾钠/铜功能梯度结构压电驱动器件的制备方法，属于弯曲型压电驱动器技术领域。特征是利用气氛烧结方法将锂掺杂铌酸钾钠无铅压电陶瓷和贱金属铜进行复合，并形成铜含量梯度变化的铌酸钾钠/铜多层复合材料，在复合材料的上下表面和沿厚度中心部位涂覆银电极并切割成型，制备得到铌酸钾钠/铜功能梯度结构压电驱动器铌酸钾钠/铜复合材料的铜含量最高为40vol％，烧结温度为1020～1100℃，烧结气氛氧含量为0.5％～3ppm。本发明的优点在于，金属铜加入铌酸钾钠陶瓷所形成的压电性能梯度变化使得各复合层协调变形，并且金属铜的弥散强化和阻裂增韧作用大幅提高悬臂梁结构压电驱动器的工作可靠性和服役寿命；无铅压电陶瓷铌酸钾钠属于环境友好材料，贱金属铜有利于降低生产成本。
一种铌酸钾钠功能梯度结构压电驱动器件制备方法

[发明专利]一种铜铌复合射频超导谐振腔的制备方法-CN202111197158.9有效
发明人：皇世春;何源;翟浩银;徐孟鑫;张升学;杨自钦;郭浩;刘鲁北;李春龙;王志军 -专利权人：中国科学院近代物理研究所;兰州瑞源机械设备有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05H7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铌复合超导谐振腔的制备方法。该方法包括下述步骤：1)制备纯铌超导腔；2)对步骤1)制备的纯铌超导腔内外表面依次进行机械抛光、清洗液清洗、超声波超纯水清洗、酸液抛光、清除材料表面的残酸；清洗残酸后的超导腔外表面依次还进行喷砂和反镀电清洗处理；3)纯铌超导腔外表面铌铜间共晶键结合结构的制备：a、在纯铌超导腔外表面电铸过渡金属层：b、在所述过渡金属层的金属表面电铸铜；c、将铌‑过渡层金属‑铜层真空高温退火，通过过渡金属在铜和铌层产生原子间共晶键结合；4)在步骤3)制备的超导腔外表面的铜层上电铸厚铜层；5)对步骤4)制备得到的超导腔外表面精加工，即得所述铜铌复合超导谐振腔。
一种复合射频超导谐振腔制备方法

[发明专利]一种极化增强的铌酸钾/氧化铜复合光催化材料及其制备方法-CN202310327936.4在审
发明人：江龙;刘飞;淡宜;黄云 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J23/847 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化增强的铌酸钾/氧化铜复合光催化材料的制备方法，步骤如下：S1、在5～20kV的电压下对铌酸钾进行极化处理5～60min；极化处理的方式为电晕极化或油浴极化；S2、将极化后的铌酸钾分散在溶剂中，加入可溶性铜盐，超声30～60min；S3、将超声后的混合液转移至水热反应釜中，150～300℃下反应1～24h，冷却后过滤、洗涤，干燥，得到铌酸钾/氧化铜复合光催化材料。本发明的制备方法中先对铌酸钾进行极化，增强铌酸钾内部的极化电场，利用铌酸钾内部增强的极化电场促进铌酸钾和氧化铜界面处的电荷转移，不用考虑两者间能带结构匹配的问题，解决了铌酸钾吸收范围窄和光生电子还原能力差的问题
一种极化增强铌酸钾氧化铜复合光催化材料及其制备方法

[发明专利]锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法-CN201110066137.3无效
发明人：徐超;许磊;冷雪松;代丽;杨春晖;徐玉恒 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法，涉及掺杂的铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的Cu、Fe双掺铌酸锂晶体的响应时间长的技术问题。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体由Nb2O5、Li2CO3、ZrO2、Fe2O3和CuO制成；方法：将Fe2O3、CuO、ZrO2、Nb2O5和Li2CO3混合后，煅烧得到多晶，然后将多晶在单晶生长炉内采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩及等径生长，拉脱后退火生成晶体，然后经极化得到锆铁铜铌酸锂晶体。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体的写入时间为5s～35s，固定衍射效率在5.9％～38％。可用于全息存储领域。
锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]铌酸锂光波导芯片-CN201910776688.5在审
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技(安徽)有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂光波导芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在所述薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在所述单晶硅基板上并包覆所述铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在所述二氧化硅包层上的金属电极；所述薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本发明利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。
铌酸锂热光系数薄膜铌酸锂光波导芯片二氧化硅包层铌酸锂光波导单晶硅基板铌酸锂薄膜温度变化不敏感侧翼材料折射率光波导结构有效折射率质子交换层金属电极物理性能材料层折射率中心脊包覆热敏升高

[实用新型]铌酸锂光波导芯片-CN201921367295.0有效
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铌酸锂光波导芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在单晶硅基板上并包覆铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在二氧化硅包层上的金属电极；薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本实用新型利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。
铌酸锂光波导芯片

[发明专利]一种采用框式阳极装置直接电解‑酸浸联合法回收铜钽铌废料中有价金属的方法-CN201510350463.5有效
发明人：王华;李磊 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C25C1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用框式阳极装置直接电解‑酸浸联合法回收铜钽铌废料中有价金属的方法，属于资源与环境技术领域。首先将铜钽铌废料破碎，然后采用清洁试剂清洗；将清洗后的铜钽铌废料装入到以钛网为材料的框式阳极中，采用机械或人工的方式对碎片进行压实，然后将框式阳极放入到电解槽中电解获得阴极铜、电解废液和钛网中剩余的含少量杂质铜的钽铌废料；将剩余的含少量杂质铜的钽铌废料加入到酸浸剂中获得金属钽铌。该方法直接将含部分可电溶金属的铜钽铌基合金废料经过破碎清洁后装入阳极框中进行电解，不仅实现了钽铌资源的综合回收利用，且省去了对人体环境有害的氢氟酸、萃取剂等药剂的使用，在环境保护和经济效益中实现了双丰收
一种采用阳极装置直接电解联合回收铜钽铌废料中有价金属方法

[发明专利]一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体及其制备方法-CN200910068854.2无效
发明人：孔勇发;刘富才;刘士国;黄自恒;陈绍林;张玲;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体，由纯度为99.99％的Li₂CO₃、Nb₂O₅、ZrO₂、CuO和将粉料按用料比混合，烘干后在混料机上搅拌，使Li₂CO₃充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法沿c轴方向按拉脖、放肩、等径、收尾程序生长锆铜铈三掺铌酸锂晶体本发明的优点及效果：锆铜铈三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铜铈三掺铌酸锂晶体中能很好的实现了非挥发存储，灵敏度比铜铈双掺铌酸锂晶体提高了10倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性
一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关-CN202010685447.2在审
发明人：尹锐;刘枫榆;黄庆捷;季伟 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关，该光开关包括自上而下依次设置的铌酸锂薄膜层、光限制层和基底，铌酸锂薄膜层上设置有若干个电极组，电极组沿着铌酸锂薄膜层的长度方向设置，每个电极组包含两个电极；本发明提供了一种基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关，基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关巧妙利用铌酸锂材料的电光特性，通过电光效应改变材料折射率，从而提高材料特定区域单元的折射率，形成材料的波导结构，从而实现材料层光路的导通；未加电区域，材料层光路关断，进而实现高消光比光开关的功能。
一种基于铌酸锂薄膜高消光开关

[发明专利]可实现高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088213.9有效
发明人：华勇;田自君;张征;乔海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种可实现高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的中部设置有柱状的光波导区，光波导区的轴向与铌酸锂晶片的大平面垂直，光波导区贯通铌酸锂晶片；铌酸锂晶片的大平面上光波导区以外的区域，覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片的大平面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。本发明的有益技术效果是提供了一种用于替换偏振消光比测试装置中现有偏光棱镜的新的偏振片，使偏振消光比测试装置的测量上限得到提升，改善偏振消光比测试装置的性能。
实现偏振及其制作方法测试装置

[发明专利]一种光模块-CN202011328746.7有效
发明人：尹延龙;陈思涛;隋少帅;赵其圣 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种光模块，包括：电路板、第一光纤阵列、第二光纤阵列、铌酸锂芯片和硅光芯片。电路板上设置有激光器，激光器发射的信号光经铌酸锂芯片进入第一光芯阵列铌酸锂芯片包含了调制单元，实现光发射功能，同时，通过硅光芯片铌酸锂芯片之间的光耦合连接，实现对调制光路的监测。本申请提供的光收发器件由硅光芯片和铌酸锂芯片共同组合，实现光信号的调制及对调制信号的监测，充分利用铌酸锂调制器高带宽，低驱动电压、低插入损耗以及硅光芯片器件高度集成化的优势。
一种模块

[发明专利]热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络-CN202210802170.6在审
发明人：彭传艳;杨乐思 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司;图灵智算量子科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络，所述热光相移器包括：铌酸锂波导层、加热件，所述铌酸锂波导层用于传输光波；所述加热件被设置为加热所述铌酸锂波导层，以使所述铌酸锂波导层调节所述光波的相位通过利用加热件对铌酸锂波导层加热，从而可以提高铌酸锂波导层的温度，进而调整铌酸锂波导层的折射率，实现对热光相移器内传输的光波相位的调整。采用热光相移器的马曾干涉仪可以有效地避免光波在到达第二个Y分支会产生不符预期的相位差。
相移干涉仪计算网络

[实用新型]热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络-CN202221769300.2有效
发明人：彭传艳;杨乐思 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司;图灵智算量子科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络，所述热光相移器包括：铌酸锂波导层、加热件，所述铌酸锂波导层用于传输光波；所述加热件被设置为加热所述铌酸锂波导层，以使所述铌酸锂波导层调节所述光波的相位通过利用加热件对铌酸锂波导层加热，从而可以提高铌酸锂波导层的温度，进而调整铌酸锂波导层的折射率，实现对热光相移器内传输的光波相位的调整。采用热光相移器的马曾干涉仪可以有效地避免光波在到达第二个Y分支会产生不符预期的相位差。
相移干涉仪计算网络

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