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[发明专利]一种锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶及其制备方法-CN201010299222.X无效
发明人：张钦辉;孙仁兵;罗豪甦;赵祥永;任博;林迪;李晓兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长领域，涉及一种锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶及其制备方法。本发明的锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶，其化学成份符合化学组成式(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3-yat%Mn，其中0＜x＜1，0.1≤y≤0.4，yat%代表Mn占(1-x本发明采用顶部籽晶助熔剂提拉法生长Mn掺杂的NBBT无铅压电单晶，其压电常数d33达到500pC/N，机电耦合系数kt达到60%，已达到了使用水平，可广泛用于高频超声换能器、工业探伤及医用超声工程等领域
一种掺杂钛酸铋钠钛酸钡压电及其制备方法

[发明专利]一种钨酸铋单晶及其制备方法-CN202210955377.7在审
发明人：刘国卿;王国伟;田相鑫;颜强;吴正新;刘永 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨酸铋单晶及其制备方法，所述制备方法为助熔剂法，包括步骤：将氧化钨粉末和氧化铋粉末混合后，进行高温固相反应生成钨酸铋多晶；向所述钨酸铋多晶中加入助熔剂，加热熔融并恒温一段时间，然后进行程序降温至预设温度，再自然冷却至室温，得到所述钨酸铋单晶。本发明采用助熔剂法，将助熔剂与制备得到的钨酸铋多晶混合，加热熔融一定时间并通过降温控制钨酸铋单晶的生长，所述钨酸铋单晶可作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域，解决了钨酸铋多晶粉体因本身构型缺陷不能作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域的问题所述制备方法工艺简单、原料易得、成本较低、容易实现，可为制备大尺寸的钨酸铋单晶提供有益参考。
一种钨酸铋单晶及其制备方法

[发明专利]钛酸铋钠纳米花及其制备方法-CN200810025109.5无效
发明人：李杰;汪国忠;蔡伟平;王洪强 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠纳米花及其制备方法。纳米花由交叉站立着的纳米片组成，纳米片的长度为250～350nm、高度为50～150nm、厚度为5～15nm，其是由三角结构的单晶钙钛矿钛酸铋钠构成；方法为先向浓度为0.8～1.2M的柠檬酸水溶液中加入氨水调节pH为4.5～6后，再向其中加入钛酸四丁酯，并将其于50～70℃下搅拌5h以上，获得清液，之后，先将五水合硝酸铋水溶液与清液相混合，并将其于80～100℃下搅拌30min以上，获得混液，再将氢氧化钠加入混液中，并继续搅拌15min以上，获得合成液，然后，先将合成液置于温度为80～180℃下保温0～10h后，再将其洗涤至呈中性，获得产物，最后对产物干燥处理，制得钛酸铋钠纳米花。
钛酸铋钠纳米及其制备方法

[发明专利]一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法-CN201410588052.5在审
发明人：刘锦峰;许桂生;杨丹凤;陈夏夏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的制备方法，所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1‑x)Bi(Mg
一种四方相钛镁酸铋钛酸铅基压电制备方法

[发明专利]一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法-CN202211359763.6在审
发明人：岳建岭;杨泽欧;胡海龙;黄小忠 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：以掺铌钛酸锶单晶衬底作为底电极；在掺铌钛酸锶单晶衬底表面交替沉积钛酸锶层和另一类氧化物膜层，制备得到钛酸锶基氧化物超晶格薄膜作为存储介质层，其中，另一类氧化物膜层选用掺钇氧化锆、钴酸镧、或铁酸铋中的一种；在步骤S2得到的镀有存储介质层的基片表面再沉积金属薄膜作为顶电极，得到含有底电极∥STO基氧化物超晶格薄膜存储介质层∥顶电极的忆阻器。由该制备方法制备得到的钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器可形成单晶或晶体完整性较高的超晶格薄膜，忆阻器具备低的操作电压和高的组态稳定性。
一种钛酸锶基氧化物晶格薄膜忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钙光电功能晶体及其生长方法与应用-CN201911307562.X有效
发明人：于法鹏;樊梦迪;武广达;潘晓博;陈菲菲;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋钙光电功能晶体及其生长方法与应用，该钛酸铋钙晶体，化学式为CaBi4Ti4O15，为单晶，属于正交晶系2mm点群，非中心对称结构，属于正交晶系2mm点群，晶胞参数为一种钛酸铋钙光电功能晶体及其生长方法应用

[发明专利]一种铁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法-CN201710109555.3在审
发明人：庄建;张楠;张洁;叶作光 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法，根据化学组成(1‑x)BiFeO3‑xPbTiO3，其中0.3<x<1，称取原料和助融剂，并在坩埚中生长晶体，本发明得到的晶体居里温度较高，根据组分不同，可在500～700℃区间内调控，较当前主流压电材料PZT和PMN‑PT基材料的居里温度有显著提高；铅含量较低，通过引入无铅材料铁酸铋与钛酸铅固溶，显著降低了铅含量；本发明采用高温融盐技术
一种铁酸铋钛酸铅压电及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋陶瓷材料的制备方法-CN201510173939.2有效
发明人：董显林;惠世鹏;周志勇;曹菲 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋陶瓷材料的制备方法，所述钛酸铋陶瓷材料中钛酸铋以片状钛酸铋晶粒的形式存在，所述制备方法包括1）先将钛酸铋陶瓷粉体预合成后粉碎，再在向其中加入可烧蚀纤维进行湿法球磨，烘干后压块，制备得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在1000‑1100℃下烧结去除棉纤维，得到以片状钛酸铋晶粒的形式存在的钛酸铋陶瓷材料。
一种钛酸铋陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种含铋空位的钛酸铋纳米片/UiO-66-NH2-CN202211225056.8在审
发明人：路建美;李娜君 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B01J31/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种含铋空位的钛酸铋纳米片/UiO‑66‑NH2异质结及其制备方法与应用。将二氧化钛、氧化铋、无机盐混合后煅烧，得到钛酸铋纳米片，然后将钛酸铋纳米片浸入离子共晶溶剂中，得到含铋空位的钛酸铋纳米片；将含铋空位的钛酸铋纳米片、二氨基对苯二甲酸、氯化锆和乙酸的混合物水热反应，得到含铋空位的钛酸铋纳米片采用简单的离子共晶溶剂浸出的方法，在钛酸铋纳米片上构建铋空位，能够有效增强钛酸铋纳米片晶体结构的不对称性，以含铋空位的钛酸铋纳米片为基底，水热生长UiO‑66‑NH2
一种空位钛酸铋纳米 uio 66 nh base sub

[发明专利]水性胶粒表面构建纳米钛酸铋的方法-CN201911092847.6有效
发明人：张震乾;刘芳;林永周;丁建宁;方必军 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C08L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及水性反相胶体、半导体、光降解和光致发光领域，特别涉及水性胶粒表面构建纳米钛酸铋的方法。本发明通过水性含铋盐胶粒的制备、有机钛材料的预处理和控制水性含铋盐胶体粒子表面的水溶性完成构建纳米钛酸铋。该方法聚合物壳层表面可以控制有机钛材料水解，构建不同形态的钛酸铋颗粒；微波照射钛酸铋颗粒产生的点状高温可以形成钨酸铋晶体，减少后处理环节，维持了纳米钛酸铋初始尺寸，在胶粒表面形成的钛酸铋颗粒尺寸在1‑3
水性胶粒表面构建纳米钛酸铋方法

[发明专利]一种锗酸铋单晶体的生长方法-CN201310688548.5有效
发明人：胡智向;朱刘;文崇斌;罗涛 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗酸铋单晶体的生长方法，该方法以Bi2O3与GeO2为原料，在超声振动、恒温的环境下进行化合反应，得到组分均一、熔融状态的锗酸铋多晶料，然后采用布里奇曼晶体生长法制备锗酸铋单晶体。本发明通过在生长坩埚部分使用超声波传感技术一步法来实现生长锗酸铋单晶体，该方法省去了传统下降法生长锗酸铋单晶体过程中利用铂坩埚熔融合成多晶料的环节，简化了锗酸铋单晶体的生长工艺，缩短了生产周期，且大大减少了贵金属铂的用量，从而降低了生产成本，同时，本发明生长方法还避免了生产过程中外界杂质元素的介入，进一步提高了锗酸铋晶体的质量。
一种锗酸铋单晶体生长方法

[发明专利]一种钛酸铋/铋/钒酸铋复合物光催化剂及其在光热催化净化有机气体污染物中的应用-CN201910658867.9有效
发明人：芮泽宝;杨晓庆 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B01J23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋/铋/钒酸铋复合物光催化剂及其在光热催化净化有机气体污染物中的应用。制备方法如下：（1）制取钒酸铋；（2）制取氧化铋/钛酸铋复合物前体；（3）将氧化铋/钛酸铋复合物前体和钒酸铋研磨混合，高温煅烧，得到钛酸铋/氧化铋/钒酸铋复合物；（4）还原钛酸铋/氧化铋/钒酸铋复合物，得到钛酸铋/铋/钒酸铋复合物。
一种钛酸铋钒酸铋复合物光催化剂及其光热催化净化有机气体污染物中的应用

[发明专利]一种动力锂电池氧化锰锂-钛酸铋材料及其制备方法-CN201710456681.6有效
发明人：陈庆;司文彬;曾军堂 -专利权人：新昌县鼎瑞科技有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种动力锂电池氧化锰锂‑钛酸铋材料及其制备方法，该氧化锰锂‑钛酸铋材料为层状夹芯结构，钛酸铋的晶粒镶嵌于层状氧化锰锂层中间。该制备方法是将钛酸铋、层状氧化锰锂通过晶相诱导、剪切切片和强电场规整离子形成一种层间镶嵌钛酸铋晶粒的氧化锰锂‑钛酸铋材料。该氧化锰锂‑钛酸铋材料在层状氧化锰锂的层间生长钛酸铋，利用钛酸铋的晶体构架支撑氧化锰锂，防止晶格塌陷，克服体积膨胀和收缩，使高温循环性能大幅提升，适合用于锂动力电池。
一种动力锂电池氧化锰钛酸铋材料及其制备方法

[发明专利]一种织构化压电陶瓷及其制备方法和用途-CN201910043876.7有效
发明人：陈朗;马晓姿;袁国亮 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及一种织构化压电陶瓷及其制备方法和用途，所述织构化压电陶瓷包括模板晶体材料和钪酸铋钛酸铅基体材料，所述钪酸铋钛酸铅基体材料定向生长在模板晶体材料上；所述织构化压电陶瓷保持了钪酸铋钛酸铅基体材料本体较高的居里温度的特性，其居里温度≥435℃，且本发明所述织构化压电陶瓷的织构度很高，其织构度≥83％，使得织构化压电陶瓷的性能接近单晶性能，其机电耦合系数Kp最高可达0.71，Kt最高可达0.64，机械品质因数Qm最高可达
一种织构化压电陶瓷及其制备方法用途

[发明专利]掺钆钛酸铋可见光光催化剂及其制备方法-CN201510946933.4有效
发明人：陈志武;江训洋;康雄兵 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： B01J23/644 文献下载
摘要：本发明公开了掺钆钛酸铋可见光光催化剂，掺钆钛酸铋中铋原子与钆原子摩尔比为39:1～9:1；所述掺钆钛酸铋的表面负载有金属铂颗粒。本发明还公开了掺钆钛酸铋可见光光催化剂制备方法，以硝酸铋、硝酸钆和钛酸四丁酯为原料，以冰乙酸、乙二醇甲醚和乙酰丙酮为溶剂，利用溶胶凝胶‑水热法合成钆掺杂钛酸铋载体，然后通过氯铂酸水溶液浸渍法使得掺钆钛酸铋表面吸附氯铂酸，最后高温焙烧在掺钆钛酸铋表面负载铂颗粒。
掺钆钛酸铋可见光光催化剂及其制备方法