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[发明专利]一种元素掺杂钇钆钡铜氧高温超导薄膜的制备方法-CN201310035669.X无效
发明人：赵万富;陈源清 -专利权人：江苏天诚线缆集团有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C04B35/624 文献下载
摘要：本发明公开了一种元素掺杂钇钆钡铜氧高温超导薄膜的制备方法，用三氟乙酸和丙烯酸或丙酸作络合剂，将醋酸钡、氧化钇或醋酸钇、稀土氧化物或稀土醋酸盐、乙酰丙酮锆或氯化锡或氯化铪、醋酸铜溶解于甲醇中，形成低氟溶液用浸渍提拉法或旋转涂覆法在单晶基片或带有缓冲层的NiW合金基带上，制备凝胶薄膜；随后将得到的凝胶薄膜在空气下干燥；然后将干燥得到的干膜放入石英管式烧结炉中进行预处理和终处理，即可获得性能优良的稀土掺杂的钇钡铜氧超导薄膜该方法，成本低，有效避免BaCO3杂相的生成，避免乳酸的使用，提高了溶液的稳定性，还简化了操作过程，可用于产业化生产大面积超导薄膜，获得的超导膜性能均匀、表面光洁度好，性能优良。
一种元素掺杂钇钆钡铜氧高温超导薄膜制备方法

[发明专利]氧化物超导体的制造方法,氧化物超导体用的原料及其制备方法-CN01132673.5有效
发明人：荒木猛司;山际胜也;平林泉 -专利权人：东芝株式会社;财团法人国际超电导产业技术研究中心;日本特殊陶业株式会社
申请日： 2001-09-05 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：将一种包含一种或多种选自镧系和钇、钡和铜的元素的混合元素金属盐水溶液与三氟乙酸进行混合,制得混合金属三氟乙酸盐溶液。用这种提纯的混合金属三氟乙酸盐可以制造具备性能优良的氧化物超导体。
氧化物超导体制造方法超导体用原料及其制备

[发明专利]液氮温区复合超导材料-CN87107506.7无效
发明人：韦钦;蔡建国;毛小极 -专利权人：中南工业大学
申请日： 1987-12-09 - 公布日： 1991-04-24 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：液氮温区复合超导材料，以钇、钡、铜、氧系为基体，并含有锡或碳。其方法是先制成钇钡铜氧的基体材料，然后添加锡或碳掺杂，经充分研磨，压制成型再进行烧结和热处理。本发明在保证和提高超导材料的良好特性前提下能节省部分昂贵稀土材料，获得较高的临界电流密度，对于超导材料的大量制作和应用，有直接的经济价值和实用价值。
液氮复合超导材料

[发明专利]氧化物超导体及其制造方法-CN201680047826.0有效
发明人：林真理子;荒木猛司;福家浩之;小林奈央 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层，该氧化物超导层含有单晶、2.0×10¹⁵原子/cc以上5.0×10¹⁹原子/cc以下的氟和1.0×10¹⁷原子/cc以上5.0×10²⁰原子/cc以下的碳，所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构
氧化物超导体及其制造方法

[发明专利]一种图案化钇钡铜氧高温超导薄膜的制备方法-CN201310036234.7无效
发明人：赵万富;陈源清 -专利权人：江苏天诚线缆集团有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化钇钡铜氧高温超导薄膜的制备方法，包括：（1）低氟感光溶液的配制，有效成分的摩尔比为：稀土醋酸盐：醋酸钡：醋酸铜：三氟乙酸：丙烯酸：苯甲酰丙酮：甲醇＝1：2：3～4：3～6：6～12本发明的图案化钇钡铜氧高温超导薄膜的制备方法，在该改进的不含胺根离子的低氟溶液基础上，进一步采用化学络合技术，赋予其光性，并结合紫外曝光，溶洗，热处理，获得具有特定图案化的YBCO超导薄膜图形。
一种图案化钇钡铜氧高温超导薄膜制备方法

[发明专利]液氮温区超导线材，带材及其制法-CN87102731.3无效
发明人：朱道本;王德禧;吴培基;刘杰三;陈德俊;侯可悦;姚幼新;方万全;武小军 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 1987-04-14 - 公布日： 1990-10-31 - 主分类号： C22C29/12 文献下载
摘要：本发明是关于钇钡铜氧化物体系的液氮温区超导线材和带材及其制造工艺。制备工艺是将钇钡钢氧体系先利用高分子化合物粘接，变成容易加工成不同形状，尺寸的前躯体，然后进行热处理制成线材和带材成品。这种可供实用的液氮区超导线材和带材可期望应用于电力输送，信息能量传递超导磁铁、磁悬浮列车以及一切需用超导材料的方面。
液氮超导线材及其制法

[发明专利]掺锶的汞钡(钙)铜氧化物高温超导体及其制备方法-CN93118566.1无效
发明人：朱文杰;黄玉珍;陈立泉;赵忠贤 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1993-10-20 - 公布日： 1997-11-05 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺锶的汞钡(钙)铜氧化物超导体及其制备方法，其特征在于这种超导体为HgBa2-xSrxCan-1CunO2n+2+δ(n＝1，2，3)，其中X＝0.0～0.7，具有高临界转变温度(90K～
氧化物高温超导体及其制备方法

[发明专利]提高超导体线材中铜/超导体比率的方法-CN200380103979.5有效
发明人： W·G·马兰希克;S·洪 -专利权人：牛津超导技术公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：制造具有高的铜/超导体组成(Cu/SC)横截面积比率的超导体的方法。制备了由一个或多个埋入铜基体且具有超导组成或具有超导合金组合物的前体成分的细丝形成的组合件。用铜对该组合件进行电镀以便提高所得制品中Cu/细丝的比率，由此提高所述的Cu/SC比率从而提高最终超导体的稳定性。
提高超导体线材比率方法

[发明专利]一种纳米复合钇钡铜氧超导块材的制备方法-CN201510791429.1在审
发明人：熊菊莲 -专利权人：熊菊莲
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米复合钇钡铜氧超导块材的制备方法，包括步骤：以Y₂O₃纳米粉和BaCuO₂粉末制备固相先驱块；Ba₃₂O₃粉体制成的支撑块的正上方，再将一块钕钡铜氧籽晶嵌入至液相先驱块下末端的中心位置，且钕钡铜氧籽晶的下表面与固相先驱块的上表面平行，完成前驱块的装配；通过熔渗生长纳米复合钇钡铜氧单畴块材及渗氧处理即可。本申请在超导块材的表面无任何液相残留，所用的稀土元素较少，制备成本较低。
一种纳米复合钇钡铜氧超导制备方法

[发明专利]氧气氛控制钇钡铜氧超导厚膜面内取向生长的制备方法-CN200710041485.9无效
发明人：姚忻;蔡衍卿 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧气氛控制钇钡铜氧超导厚膜面内取向生长的制备方法，利用液相外延生长装置，在纯氧气氛中制备YBCO厚膜。将密闭熔炉里的气氛环境改变为纯氧气氛，并将熔体温度调整到低于YBCO包晶熔化温度10－30K，以具有八重对称性的钇钡铜氧薄膜为种膜，液相外延生长得到高结晶品质的具有纯45°面内取向的钇钡铜氧超导厚膜。本发明通过气氛环境中氧含量的改变，使原本只能制备纯0°面内取向YBCO厚膜的液相外延过程，在较宽的温度范围内能得到具有纯45°面内取向的YBCO厚膜。
氧气控制钇钡铜氧超导厚膜面内取向生长制备方法

[发明专利]提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法-CN201310304004.4有效
发明人：杨万民;杨志娟;李佳伟;车晓燕 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：一种提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔渗生长工艺（Top Seeded Metal Oxide Infiltration and Growth，简称TS-MOIG）制备单畴钇钡铜氧块材本发明所制备的单畴钇钡铜氧超导块材磁悬浮力大，同时适用于Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材的制备。
提高单畴钇钡铜氧超导制备效率方法

[发明专利]低功耗的电子芯片-CN201410801128.8有效
发明人：林蔡月琴 -专利权人：永新电子常熟有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗的电子芯片，所述的低功耗的电子芯片包括最上层的超导体材料层、中间层的还原剂和最下层的有色金属合金层组合而成，所述超导体材料层为镧钡铜氧化物，所述有色金属合金层为硅铁，所述的超导体材料层占低功耗的电子芯片总体分量的
功耗电子芯片

[其他]钇钡铜氧系超导材料的制取方法-CN87105026有效
发明人：冀春霖;王魁汉;崔传孟;刘素兰;张国范;钱存富;曾桂义;樊占国 -专利权人：东北工学院
申请日： 1987-06-25 - 公布日： 1989-12-06 - 主分类号：文献下载
摘要：一种制取钇钡铜氧系超导材料的方法。按一定的比例研磨混合，然后成型烧结，定向反应制得单相的ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ6.5＋δ超导材料此种方法为定向反应合成，所得材料的超导性能稳定可靠，样品１００％合格，为钇钡铜氧系超导材料的工厂化生产提供了可靠的生产工艺。
钇钡铜氧系超导材料制取方法

[发明专利](103)取向的钇钡铜氧高温超导薄膜的制备方法-CN201010272544.5有效
发明人：苏晓东 -专利权人：苏州大学
申请日： 2010-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种(103)取向的钇钡铜氧(YBa2Cu3O7-δ，YBCO)高温超导薄膜的制备方法，该方法以YBCO为靶材，利用真空沉积装置，在2～10Pa的压强、800～850℃的温度下在(100)取向的MgO单晶基片上沉积外延生长YBCO超导薄膜。在上述条件下，两个(103)取向的YBCO晶格和三个(100)取向的MgO的晶格有比较接近的晶格匹配关系，因此，实现了在(100)取向的MgO单晶基片直接原位外延生长(103)取向的YBCO高温超导薄膜实验结果表明，本发明制备的钇钡铜氧高温超导薄膜具有良好的(103)择优方向，薄膜表面平整，结晶性好，超导临界转变在90K左右。
103 取向钇钡铜氧高温超导薄膜制备方法

[发明专利]制备稀土－钡－铜酸盐超导体的方法-CN98115117.5无效
发明人： J·克里斯蒂安森 -专利权人：赫多特普索化工设备公司
申请日： 1998-03-20 - 公布日： 1998-12-23 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：一种以在金属带、金属丝上的厚膜或以管中粉末形式制备稀土－钡－铜酸盐超导体的方法,包括步骤将具有高熔点的稀土－钡－铜酸盐籽晶和具有较低熔点的稀土－钡－铜酸盐粉末的混合物承载在金属基片上;将该基片上的承载材料在高熔点稀土－钡－铜酸盐籽晶和金属基片的熔点以下和在低熔点粉末的熔点以上温度进行热处理;和将热处理过的承载材料在该材料熔化温度以下冷却。
制备稀土铜酸盐超导体方法