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- [发明专利]氧化物超导体及其制造方法-CN201710112427.4有效
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荒木猛司;石井宏尚;小林奈央
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株式会社东芝
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2017-02-28
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2019-03-12
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H01B13/00
- 本发明的实施方式涉及氧化物超导体及其制造方法。提供导入人工钉扎且磁场特性得以提高的氧化物超导体及其制造方法。实施方式的氧化物超导体具有氧化物超导层，该氧化物超导层具有包含稀土类元素、钡以及铜的连续的钙钛矿型结构；上述稀土类元素包含Pr即第1元素，选自Nd、Sm、Eu和Gd中的至少一种的第2元素，选自Y、Tb、Dy和Ho中的至少一种的第3元素以及选自Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的第4元素。在将第1元素的原子数设定为N(PA)、第2元素的原子数设定为N(SA)、第4元素的原子数设定为N(CA)的情况下，1.5×(N(PA)+N(SA))≤N(CA)或者2×(N(CA)－N(PA))≤N(SA)。
- 氧化物超导体及其制造方法
- [发明专利]氧化物超导体和其制造方法-CN201680012999.9有效
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荒木猛司;林真理子;福家浩之
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株式会社东芝
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2016-01-29
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2019-03-12
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H01B12/06
- 氧化物超导体包括：REBa2Cu3O7‐x(RE是选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Y、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的“RE元素组”中的一种元素)。所述RE包括至少三种类型的金属元素(M1、M2和M3)，并且所述三种类型的金属元素是按顺序选择的所述RE元素组中的任何元素。在满足R(M1)≤20mol％且R(M2)≥60mol％且R(M3)≤20mol％的氧化物体系中，R(M1)为M1+M2+M3中的M1的平均金属元素比，在包含所述c轴的横截面的平均膜厚度的50％的位置处满足SD(Ms)>0.15，Ms是R(M1)和R(M3)中非较大的金属元素，SD(Ms)是Ms的浓度的标准偏差/平均值。
- 氧化物超导体制造方法
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